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[发明专利]一种氮化物半导体外延结构-CN202310335179.5在审
发明人：蔡长祐;胡智威;蔡清富;陈威佑 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体外延结构，要解决的是现在氮化镓功率器件的功率损耗问题，本结构涉及氮化物半导体外延结构技术领域，包含衬底，在所述衬底上依次设有成核层、过渡层、复合缓冲层、顶氮化镓层、被覆层，镁参杂层；还包含设置在铝鎵氮层(AlGaN‑Barrier)与镁参杂层(p‑GaN)之间的低温铝氮层(LT‑AlN)，所述低温铝氮层用于减少镁原子往铝鎵氮层AlGaN Barrier扩散，进而改善氮化镓功率元件之功率输出。
一种氮化物半导体外延结构

[实用新型]一种碳化硅清洗用固定装置-CN202321347292.7有效
发明人： 胡智威;罗艾 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-05-30 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种碳化硅清洗用固定装置，具体涉及碳化硅加工技术领域，包括底座和电机座，所述底座顶部中央固定安装有安装板，所述安装板顶部左右两侧分别固定安装有支撑板一和支撑板二，所述支撑板一与支撑板二之间设置有可调节夹持组件，所述安装板顶部中央固定安装有升降安装座组件。本实用新型通过将碳化硅镜片放置在防滑垫顶部，通过启动气缸调节防滑垫的高度，之后启动电机三，电机三带动与其输出轴固定连接的转轮转动，通过皮带带动另外一个转轮转动，从而带动丝杠一和丝杠二同步转动，且螺纹连接在丝杠一上的移动块与螺纹连接在丝杠二上的移动块均向内移动，间接带动两个弧形夹板同步朝防滑垫方向移动。
一种碳化硅清洗固定装置

[发明专利]一种降低碳化硅外延片表面缺陷的方法-CN202310336236.1在审
发明人：陈威佑;蔡清富;蔡长祐;胡智威 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低碳化硅外延片表面缺陷的方法，涉及降低碳化硅外延片表面缺陷的技术领域，包含表面蚀刻、缓冲层成长与外延成长三个阶段；在充满氢气的环境下,升温到摄氏1600度以上,通入含有硅源与碳源的反应气体进行外延,硅和碳的来源气体主要是硅烷和丙烷,氮气与三甲基铝则被用来做参杂浓度的气体来源，本方法在缓冲层成长过程中,除了反应气体外,通入一定占比范围的含氯气体来提高硅气体分子在和碳气体分子的在外延反应过程中键结稳定性,避免产生非碳化硅键结的反应,藉此来降低外延中因产生非碳化硅键结而形成的表面与晶体缺陷,同时并可提高外延成长速率,来获得高质量的碳化硅外延层。
一种降低碳化硅外延表面缺陷方法

[实用新型]一种碳化硅晶片掺杂浓度电子探针分析仪-CN202321025448.X有效
发明人：蔡长祐;蔡清富;陈威佑;胡智威 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-05-04 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G01N23/225 文献下载
摘要：本实用新型涉及分析仪技术领域，且公开了一种碳化硅晶片掺杂浓度电子探针分析仪，包括台面、升降座和分析探头，所述升降座设置于台面的顶部，所述分析探头固定安装于升降座上；所述升降座的底部固定设有安装杆，所述分析探头固定安装于安装杆的下端，所述安装杆的杆壁弹性滑动设有防护罩；所述台面的顶部转动设有转轴，所述转轴的上端固定设有旋转盘，所述旋转盘的上表面边缘处固定设有多个均匀分布的晶片放置盘，所述台面的顶部且与转轴之间设有限位机构。本实用新型不仅能够将碳化硅晶片的掺杂浓度隔离检测，而且便于对多个碳化硅晶片的掺杂浓度进行检测分析对比，提高了检测分析的效率。
一种碳化硅晶片掺杂浓度电子探针分析

[发明专利]一种降低碳化硅外延缺陷阻障层生长控制方法-CN202310335183.1在审
发明人： 胡智威;蔡清富;蔡长祐;陈威佑 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种降低碳化硅外延缺陷阻障层生长控制方法，涉及碳化硅外延缓冲层的结构设计技术领域，包含碳化硅外延层、碳化硅衬底，在碳化硅外延层、碳化硅衬底之间加入复合式的碳化硅缺陷阻障层，用于使晶体产生晶格扭曲位移改变了衬底垂直型位错的伯格向量，减低了垂直型位错往上延伸至外延层的驱动力，并透过调控高浓度氮掺杂缺陷阻障层的浓度与掺杂调变碳化硅层堆叠的层数，降低因垂直型位错造成的外延表面与内部堆叠错位的缺陷密度，提高外延层质量，在后续的器件应用上，减少因缺陷所导致的器件不良率，进而提供器件产品的稳定度与性能表现。
一种降低碳化硅外延缺陷阻障生长控制方法

[实用新型]设有特斯拉阀的核电站凝汽器抽真空系统-CN202320454668.8有效
发明人：卢坚伟;王煊;肖晋卫;赖芳芳;范伟栋;段止钦;李文;温丹;胡智威;郑远杰 -专利权人：华能霞浦核电有限公司
申请日： 2023-03-11 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： F04C25/02 文献下载
摘要：一种设有特斯拉阀的核电站凝汽器抽真空系统。目前，水环式真空泵水封筒的水位主要由电磁阀控制，当电磁阀故障无法开启时，水封筒水位下降，水环式真空泵无法形成水环，从而影响凝汽器的真空。一种设有特斯拉阀的核电站凝汽器抽真空系统，其组成包括：凝汽器（1），凝汽器通过抽真空管（2）与水环式真空泵（3）一端连接，水环式真空泵的另一端与水封筒（4），水封筒的顶部与特斯拉阀（5）连接，特斯拉阀与排气管（6）连接，水环式真空泵通过真空泵冷却补水管（7）与海水冷却器（8）的一端连接，海水冷却器的另一端与水封筒连接；水封筒上连接有水环筒补水管（9）。本实用新型应用于抽真空系统领域。
设有特斯拉核电站凝汽器真空系统

[发明专利]一种碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法-CN202310682017.9在审
发明人： 胡智威;蔡清富;蔡长祐;陈威佑 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法，其中缺陷阻障结构包括至少一层设置于碳化硅衬底与碳化硅外延层之间的碳化硅缓冲层，以及至少一层生长于碳化硅衬底和碳化硅缓冲层的之间的碳化硅缺陷阻障层。碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度高于碳化硅衬底，所述碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度介于5E18/cm3～7.5E18/cm3之间；所述碳化硅缺陷阻障层的厚度介于4μm～10μm之间。上述技术方案的缺陷阻障层能产生些微的晶格扭曲位移，改变了衬底垂直型位错的伯格向量，减低了垂直型位错往上延伸至外延层的驱动力，从而降低外延层的内部与表面的缺陷数量，可以使外延层缺陷密度低于1/cm2，提高器件性能及良率。
一种碳化硅外延缺陷阻障结构方法

[发明专利]碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法-CN202210161021.6有效
发明人： 胡智威;蔡长祐;陈威佑;蔡清富 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-02-22 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种碳化硅外延层的缺陷阻障结构及方法，其中缺陷阻障结构包括至少一层设置于碳化硅衬底与碳化硅外延层之间的碳化硅缓冲层，以及至少一层生长于碳化硅衬底和碳化硅缓冲层的之间的碳化硅缺陷阻障层。碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度高于碳化硅衬底，碳化硅缺陷阻障层的掺杂浓度大于等于5E18/cm3且小于等于1E19/cm3。上述技术方案的缺陷阻障层能产生些微的晶格扭曲位移，改变了衬底垂直型位错的伯格向量，减低了垂直型位错往上延伸至外延层的驱动力，从而降低外延层的内部与表面的缺陷数量，可以使外延层缺陷密度低于1/cm2，提高器件性能及良率。
碳化硅外延缺陷阻障结构方法

[发明专利]一种储热储冷装置及其工作方法-CN202310603339.X在审
发明人：彭浩;仇豆豆;彭孝天;胡学成;胡智威;樊东昊 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2023-05-26 - 公布日： 2023-08-11 - 主分类号： F28D20/02 文献下载
摘要：本发明涉及相变储能技术领域，具体为一种储热储冷装置及其工作方法，包括底板、供水子系统、储热释热子系统和储冷释冷子系统，所述底板的中部设置有电控柜，所述电控柜的一侧设置有供电箱，所述底板的中部设置有陶瓷储热设备，所述陶瓷储热设备的一端设置有蓄热体，所述蓄热体的一端设置有集热孔道，所述集热孔道的一端设置有管壳式换热器，所述陶瓷储热设备的一端设置有热风风机，所述热风风机的一端连接有循环管道。本装置提高了能量利用率，减少了生产生活成本，减少了装置的占用面积，提高面积使用率，相变过程与换热同时进行，相较于静态冰蓄冷的盘管内融冰的运行方式，提升了储冷和释冷的效率，亦能够提高了系统运行安全性和自动化程度。
一种储热储冷装置及其工作方法

[实用新型]一种新型电锅炉内筒排污装置-CN202320329838.X有效
发明人：姚尧;黄鹏;胡智威;郭新建;赖芳芳;王琦;马成文;李大为;王磊;宋宇飞;刘驰;陈俊杰 -专利权人：西安热工研究院有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： F22B37/54 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种新型电锅炉内筒排污装置，包括电锅炉外筒、电锅炉内筒、排污总管、排污扩容器、排污隔离阀、自动排污阀、排污阀逆止阀及手动排污阀；电锅炉内筒设置于电锅炉外筒内，排污总管的一端与电锅炉内筒底部的排污口相连通，排污总管的另一端穿出电锅炉外筒后分为两路，其中，一路依次经排污隔离阀、自动排污阀及排污阀逆止阀后与排污扩容器的入口相连通，另一路经手动排污阀与排污扩容器的入口相连通，该装置能够实现自动排污阀的在线更换及维修。
一种新型电锅炉排污装置

[发明专利]一种内外翅片螺旋盘管式换热器-CN202310429292.X在审
发明人：王国林;王倩;彭浩;彭孝天;樊东昊;胡智威 -专利权人：江苏福斯特石化装备有限公司;南京工业大学
申请日： 2023-04-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： F28D7/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种内外翅片螺旋盘管式换热器，属于换热器技术领域，本发明包括至少一组呈螺旋形的换热盘管；每组换热盘管包含多层层管，层管上固定焊接有外翅片和内翅片，相邻层管之间通过双头管夹固定连接，针对如反应釜等工业装置内换热区域所需温度梯级分布，所述换热盘管对应高温区、中温区和低温区形成高温区换热盘管、中温区换热盘管、低温区换热盘管；本发明中换热盘管的相邻层管间距、内外翅片数量和密度根据各换热区域的所需温度不同变化，将现有技术汇总的换热盘管层管的等间距布置结构调整为等比间距布置结构，在满足各换热区域的最佳换热量及换热温差下，可缩短换热管总长以减轻换热器整体质量，从而降低材料和能源消耗。
一种内外螺旋盘管式换热器

[发明专利]氮化物半导体外延结构-CN202310663305.X在审
发明人： 胡智威;蔡清富;蔡长祐;陈威佑 -专利权人：南京百识电子科技有限公司
申请日： 2022-04-21 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物半导体外延结构，包括衬底，所述衬底上依次设有成核层、过渡层、复合缓冲层、顶氮化镓层、被覆层，过渡层为AlxGaN层，所述复合缓冲层包括第一复合缓冲层和第二复合缓冲层。本发明通过复合缓冲层的厚度与GaN层的厚度之间的调整，使相对靠近成核层的过渡层的平均铝含量大于相对远离成核层的复合缓冲层的平均铝含量，有效地减缓氮化镓层与衬底之间因晶格与热膨胀系数不匹配所产生的应力，从而克服前述两者之间缺陷过多的缺点。本发明以超晶格生长外延层，能有效控制翘曲，进而提升氮化镓品质，降低缺陷增加产品良率，超晶格复合缓冲结构生长方法中，加入不同铝含量生长方式，可更进一步有效改善翘曲，增加产品良率。
氮化物半导体外延结构

[发明专利]一种压水堆首次装料的保护设置方法及系统-CN202310293625.0在审
发明人：姚尧;何敏强;常重喜;叶林;赵峰;李志容;彭帅;郭新建;马成文;王琦;胡智威;陈俊杰;刘驰;李洋 -专利权人：西安热工研究院有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： G21C19/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种压水堆首次装料的保护设置方法及系统，方法包括：放置中子探测器并判断其可用数是否满足第一保护条件；判断堆芯冷却剂的参数是否满足第二保护条件；放入中子源与预设数量的燃料组件，判断中子探测器的仪表计数率是否满足第三保护条件；对已放置燃料组件进行移动并放入新的燃料组件，判断各个中子探测器的仪表计数率或倒计数率是否满足第四保护条件；按组依次装入燃料组件并在倒计数率不满足第四保护条件是进行重新标定，直至装料结束。本发明在压水堆首次装料过程中进行多重保护设置，能够使反应堆装料过程的次临界度始终满足安全监督要求，确保了装料全过程的安全可控，提高了反应堆装料过程中的堆芯安全和人员安全。
一种压水堆首次装料保护设置方法系统

[发明专利]一种新型储热系统-CN202310337715.5在审
发明人：彭浩;胡学成;彭孝天;杨思晟;樊东昊;胡智威;仇豆豆 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2023-03-31 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： F28D20/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种新型储热系统，供能系统包括向蓄热器、放热循环系统、甲醇制氢循环系统供电的供电站，蓄热器为第一换热器供热用于为放热循环系统中热水加热，所述的蓄热器为汽化塔供热用于为甲醇制氢循环系统中甲醇水溶液加热；放热循环系统通过吸收蓄热器内热量形成高温蒸汽用于为甲醇制氢循环系统中甲醇水溶液加热的同时为外部供热；甲醇制氢循环系统包括存储甲醇水溶液的甲醇水溶液罐，甲醇水溶依次经过反应塔产物预热、放热循环系统预热和蓄热器汽化后输送至反应塔中。通过储热系统与热化学反应过程系统进行耦合，克服了供能系统能源利用率低的问题。该系统具有工业产品丰富、适用范围广、零排放等优点。
一种新型系统

[发明专利]一种高温熔渣余热利用及渣粒回收系统-CN202310328752.X在审
发明人： 胡智威;彭浩;彭孝天;樊东昊;仇豆豆;胡学成 -专利权人：南京工业大学
申请日： 2023-03-30 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： C21B3/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种高温熔渣余热利用及渣粒回收系统，包括相变传热装置、驱动链轮、第一处理室、第二处理室、风机、喷雾装置、水箱、打磨装置、夹持装置、斜溜槽、熔渣池、蓄热箱、气液分离器，所述相变传热装置由蓄热体、铰链、封闭链条组成，所述封闭链条与第一驱动链轮、第二驱动链轮、第三驱动链轮、第四驱动链轮配合传动，所述第一驱动链轮、第二驱动链轮、第三驱动链轮、第四驱动链轮处于同一平面且轴心平行设置。本发明的有益效果是：本发明的高温熔渣余热利用及渣粒回收系统，以相变传热装置为核心，封闭链条传动多个蓄热体，实现蓄热体与液态高温熔渣的连续换热。蓄热体形状结构及内部相变材料的设计提高了蓄热效率。
一种高温余热利用回收系统

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