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[发明专利]自对准双段衬垫及其制造方法-CN200710136408.1有效
发明人：托马斯·W.·戴尔;方隼飞;阎江 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2007-07-16 - 公布日： 2008-03-05 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：一种形成覆盖第一和第二组半导体器件的双段衬垫的方法。该方法包括形成第一衬垫以及其的顶部上的第一保护层，第一衬垫覆盖第一组半导体器件；形成第二衬垫，第二衬垫具有覆盖第一保护层的第一部分、过渡部分以及覆盖第二组半导体器件的第二部分，第二部分通过过渡部分与第一衬垫自对准；在第二衬垫的第二部分的顶部上形成第二保护层；去除第二衬垫的第一部分以及过渡部分的至少一部分；以及获得包括第一衬垫、第二衬垫的过渡部分和第二部分的双段衬垫。还提供了具有根据本发明的一种实施方案而形成的自对准双段衬垫的半导体结构。
对准衬垫及其制造方法

[发明专利]半导体器件以及制造半导体器件的方法-CN200610002411.X有效
发明人：宋均镛;阎江;丹尼·P－C.·舒姆;阿洛艾斯·古特曼 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2006-01-27 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种半导体器件，包括半导体主体，其包含具有第一晶向的半导体材料。第一晶体管在具有第一晶向的半导体材料中形成。绝缘层覆盖半导体主体的部分并且半导体层覆盖绝缘层。该半导体层具有第二晶向。第二晶体管在具有第二晶向的半导体层中形成。在优选实施方案中，半导体主体是(100)硅，第一晶体管是NMOS晶体管，半导体层是(110)硅并且第二晶体管是PMOS晶体管。
半导体器件以及制造方法

[发明专利]减少非钝化激光熔丝的飞溅-CN03822255.8有效
发明人：杰拉尔德·R.·弗利斯;安迪·考利;莫哈梅德·F.·法亚兹;威廉·T.·莫特斯弗 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2003-09-19 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01L21/71 文献下载
摘要：本申请涉及减少非钝化激光熔丝的飞溅。使用激光熔断非钝化电熔丝(例如熔丝405)会导致熔丝材料飞溅，从而导致电短路。在熔丝的被激光熔断的区域周围形成的爆炸阻挡体(例如爆炸阻挡体406)有助于约束熔丝材料的飞溅。爆炸阻挡体可以用与熔丝本身相同的材料形成，因而可以在同一制造步骤中形成。
减少钝化激光飞溅

[发明专利]双镶嵌结构中的金属－绝缘体－金属电容结构及制造方法-CN03822544.1有效
发明人：宁先捷;凯斯.洸汉.黄 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2003-09-23 - 公布日： 2005-10-19 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：本申请涉及双镶嵌结构中的金属－绝缘体－金属(MIM)电容结构及制造方法。具体来说，本发明提供了一种MIM电容器结构以及制造该结构的方法，使用具有第一图案(216)和第二图案(218)的双镶嵌图案对半导体器件(200)的电介质层(214)构图。第二图案的深度大于第一图案。在第一图案中的电介质层(214)上形成导电层(226)，在第一图案中的导电层上形成一个导电层。电介质层(232)、导电层(234)、电介质层(236)以及导电层(238)被设置在第二图案(218)的导电层(226)上。导电层(234)、电介质层(232)以及导电层(226)形成第一金属－绝缘体－金属电容器。导电层(238)、电介质层(236)以及导电层(234)形成平行于第一MIM电容器的第二MIM电容器。
镶嵌结构中的金属绝缘体电容制造方法

[发明专利]形成可熔断连接的方法-CN02812824.9无效
发明人：汉斯－乔其穆·巴斯;莱奥德·G.·波莱尔;杰拉尔德·R.·弗里斯;麦克尔·斯蒂特 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2002-06-27 - 公布日： 2005-06-15 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：在集成电路内形成可熔断连接的方法，包括在一最后的金属层(38)上形成可熔断连接(40)。可熔断连接可以和一个键合焊盘区42同时形成。一层钝化层(44)被淀积上，随之构图以使键合焊盘区和可熔断连接的表面(46，48)被暴露；可熔断连接的被暴露区(48)确定了一个破坏区，该方法可以有利地用于使用铜金属化和低k电介质材料的集成电路的制作中。
形成熔断连接方法

[发明专利]铜制金属－绝缘体－金属电容器-CN02803763.4有效
发明人：迈克尔·D.·阿马克思特;安德列斯·K.·奥古斯丁;杰拉尔德·R.·弗瑞斯;约翰·E.·海登瑞奇三世;加里·R.·许克尔;肯尼思·J.·斯坦 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2002-01-16 - 公布日： 2005-01-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：采用铜制技术的平行板电容器形成在下方(在0.3μm之内)无铜的区域中，具有底部阻蚀层(104)，具有TiN层之下的铝层的复合底板(110)，氧化物电容器电介质(120)，和TiN的顶板(130)。制程涉及蚀刻顶板以留下电容器区域，蚀刻底板到在所有侧面具有余量的较大底部区域；在电容器顶板的顶表面之下沉积具有较高材料品质的层间电介质；开凿到顶板和底板，以及到下部互连的触孔，直到两步骤制程，同时穿透该底板之上的氮化物覆盖层，接着切通电容器电介质，并结束氮化物覆盖层的穿透。
铜制金属绝缘体电容器

[发明专利]制造具有不同类型的晶体管的器件的方法-CN200410036660.1有效
发明人：陈佳;安德里亚斯·E·格拉斯曼 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2004-04-29 - 公布日： 2004-12-01 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种关于制造具有不同类型的晶体管的器件的方法和结构，其中该器件中不同类型的晶体管的栅极包括不同的材料。该方法包括在栅极电介质层上沉积硅层，在硅层上沉积第一类型的栅极材料，从将要形成第二类型的栅极的区域去除第一类型的栅极材料，在已经去除第一类型的栅极材料的区域中在硅层上沉积第二类型的栅极材料，以及同时图案化第一类型的栅极材料和第二类型的栅极材料，形成第一类型和第二类型的栅极，并且对两种类型的栅极材料退火及转变。
制造具有不同类型晶体管器件方法

[发明专利]低K技术中的铜通孔-CN01821895.4有效
发明人：史蒂文·H·伯特切尔;赫伯特·L·霍;马克·霍因凯思;李贤求;王允愈;黄洸汉 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2001-12-19 - 公布日： 2004-11-10 - 主分类号： H01L21/44 文献下载
摘要：在具有铜互连和低k层间电介质的集成电路中，发现热处理后开路的问题，通过Ti第一衬层(42)、随后的CVDTiN保形衬层(46)、依次随后的TA或TaN最终衬层(48)解决该问题，从而增强通孔和底铜层之间的粘附力，同时把由Ti和铜之间合金化引起的电阻增加减小到可接受的值。
技术中的铜通孔

[发明专利]集成电路芯片及其制造方法-CN00118610.8有效
发明人：俄尔莱克·格露恩宁;卡尔·J.·拉登斯 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2000-06-16 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：一种用于集成电路芯片的方法和结构，它包括：在水平衬底的垂直窗口中制作存储电容器，制作从垂直窗口横向延伸的导电条，以及制作具有沿垂直表面延伸的沟道区的晶体管，此垂直表面位于垂直窗口外面并从垂直窗口横向移位，此晶体管被导电条的外扩散电连接到存储电容器。
集成电路芯片及其制造方法

[发明专利]整平的方法-CN00120471.8无效
发明人： C·费尔桥克;井场淳一郎;J·纽策尔;矢野博之 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司;株式会社东芝
申请日： 2000-07-12 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：通过化学机械抛光处理整平聚合物层。
方法

[发明专利]电熔化熔断器及其阵列和排列-CN00106422.3无效
发明人：钱德拉赛卡·纳雷扬;加布里尔·丹尼尔 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2000-04-06 - 公布日： 2004-09-15 - 主分类号： H01L23/525 文献下载
摘要：通过从结构的最上层远距离提供电压到熔断器上来编程埋入多层结构内的电熔断器。用导电座来堆叠组成熔断器的熔断器座从而在熔断器和最上层之间提供电气路径。导电座的尺寸与熔断器座相同。极大地降低了用于编程埋入多层结构内的电熔断器所需的电压。此外，可用导电条来替代导电座，每个导电条与每个熔断器的两个座之一短接。使得熔化所选择的熔断器之一所需的电压降低到一个更低值。
熔化熔断器及其阵列排列

[发明专利]具有多个独立激活的电荷泵的电荷泵系统及相应方法-CN00135251.2有效
发明人：路易斯·L.C.·苏;奥利弗·维恩佛特纳;马修·R.·沃德曼 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2000-12-12 - 公布日： 2004-08-25 - 主分类号： H02M3/07 文献下载
摘要：一种提供电荷泵发生器系统和方法，通过根据电源电压所达到的电压电平来运行部分或全部可用电荷泵，更准确地保持内部产生的电源电压的电平。当电源电压远离其目标电平时，运行第一组和每二组电荷泵。第一组最好具有比第二组更快的泵送率或更多的电荷泵数量。当电源电压超过第一预定电平时，第一组电荷泵被断开，同时第二组电荷泵保持接通，以减慢电荷传送率。第二组电荷泵继续运行直至第二电压电平(例如目标电压电平)被超过。然后较慢的电荷传送率有效地减少连接到电源电压线上的过冲、振铃和噪声。优选地，至少一个电荷泵以备用和活动两种模式运行，由此减小芯片面积。
具有独立激活电荷系统相应方法

[发明专利]制造动态随机存取存储器单元的工艺-CN00120497.1有效
发明人：加里·布隆尔;乌莱克·格略宁;杰克·A·曼德尔曼;卡尔·J·拉登斯 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2000-07-12 - 公布日： 2004-07-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：包含深沟槽存储电容器的DRAM，具有部分位于沟槽侧壁上的有源晶体管器件。此侧壁对准于具有沿单个晶轴的结晶学取向的第一结晶学平面。制造工艺包含：(a)在衬底中制作深沟槽，(b)沿具有单个结晶学取向的沟槽侧壁形成小平面晶体区，以及(c)制作部分位于侧壁中的小平面晶体区上的晶体管器件。可以在为促使沿第一结晶学轴族的氧化速率高于沿第二结晶学轴族而选择的氧化条件下的局部热氧化而生长氧化物颈圈，来制作小平面晶体区。
制造动态随机存取存储器单元工艺

[发明专利]具有垂直晶体管和对准掩埋条的栅导体的5F2单元的制作-CN00118877.1无效
发明人：乌尔里克·格里宁;卡尔·J·拉登斯 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 2000-06-22 - 公布日： 2004-06-30 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：制造集成电路器件的方法和结构：在衬底中制作存储器件，光刻制作栅窗口，在栅窗口中制作第一间隔，用第一间隔在衬底中制作条形窗口以对准条形窗口，在条形窗口中制作第二间隔，用第二间隔在衬底中制作隔离窗口，用绝缘材料填充隔离窗口，在栅窗口中形成台阶，形成第一扩散区，在衬底和台阶上制作栅绝缘层，制作栅导体，形成第二扩散区，制作与栅导体隔离的接触，栅导体中的电压形成邻近台阶的衬底中的导电区，与条形和接触电连接。
具有垂直晶体管对准掩埋导体 f2 单元制作

[发明专利]半导体器件及对准于深存储沟槽的掩埋条的改进工艺-CN99126768.0无效
发明人：杰克·曼德尔曼;卡尔·雷登斯;乌尔里克·格鲁宁 -专利权人：国际商业机器公司;英芬能技术北美公司
申请日： 1999-12-16 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：制作自对准于深存储沟槽的掩埋条的工艺。在被填充的深沟槽电容器和衬底上的凹槽壁上制作隔板。在隔板之间的区域中制作栓塞。在隔板、栓塞及其周围的材料上淀积光刻胶。对光刻胶进行图形化，从而暴露部分栓塞、隔板和周围的材料。没有被光刻胶覆盖的周围的材料中的隔板被选择性地腐蚀。清除隔板暴露的衬底和被填充的深沟槽部分，被选择性地腐蚀。在由腐蚀隔板、周围的材料、衬底和被填充的深沟槽而产生的空间中形成隔离区。
半导体器件对准存储沟槽掩埋改进工艺

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