专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种SnI2-CN201911404960.3在审
  • 冯晶;钱峰;葛振华;胡明钰 - 昆明理工大学
  • 2019-12-31 - 2020-04-21 - H01L35/34
  • 本发明公开一种SnI2掺杂CsGeI3钙钛矿型热电材料及其制备方法,属于新能源材料制备技术领域。具体包括以下步骤:粉体制备:将CsI、SnI2和GeI2按比例加入石英管中,抽真空后充入高纯氩气将管封严;将盛有原料的石英管放入烧结炉中,以2‑5℃/min的速率升温到450‑550℃保温12‑24h,然后以2‑5℃/min的速率降温到200‑350℃;将所得块体取出在手套箱中研磨10‑15min,即可得到SnI2掺杂CsGeI3的粉末。块体制备:将SnI2掺杂的CsGeI3粉末采用放电等离子工艺进行烧结,将粉末倒入石墨模具中,在温度为200‑400℃,压强为5‑40MPa的条件下,烧结时间为5‑30min,得到块体材料。本发明所述方法制备出钙钛矿型热电材料SnI2掺杂的CsGeI3的块体,所得块体致密度高,制备温度较低、时间较短。
  • 一种snibasesub
  • [发明专利]一种制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法-CN201611064731.8在审
  • 冯晶;胡明钰;种晓宇 - 昆明理工大学
  • 2016-11-28 - 2017-05-17 - C30B29/12
  • 本发明公开了一种制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法,所述制备ABX3钙钛矿单晶薄膜的方法将含A卤代物和含B金属化合物溶解于溶剂M中,含A卤代物和含B金属化合物的摩尔比为1:0.1~2;配置成浓度为0.05‑5.0mol/L钙钛矿溶液;向基片P上滴加钙钛矿溶液,盖上基片Q;利用基片P与基片Q两片基片,控制钙钛矿单晶的生长方向,使晶体在基片P与基片Q两基片之间的缝隙生长,即钙钛矿单晶只能延两个方向生长,随着两基片之间钙钛矿溶液中溶剂的蒸发制得钙钛矿单晶薄膜。本发明可制备出较高质量、较大尺寸的钙钛矿单晶薄膜;方法工艺简单、可操作性强、可重复性高。
  • 一种制备abx3钙钛矿单晶薄膜方法

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