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[发明专利]微电子装置组合件和封装体以及相关方法和系统-CN202080081502.5在审
发明人： O·R·费伊;R·K·理查兹;A·U·利马耶;D·S·林;C·H·育;B·K·施特雷特;仲野英一;罗时剑 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-09-21 - 公布日： 2022-07-22 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：公开了一种微电子装置组合件，所述微电子装置组合件包括衬底，所述衬底具有暴露于其表面上的导体。两个或两个以上微电子装置堆叠在所述衬底上，每个微电子装置包括有源表面，所述有源表面具有可操作地耦接到导电迹线的接合衬垫，所述导电迹线在介电材料之上延伸到所述堆叠的至少一个侧面以外的通孔位置，并且通孔在所述通孔位置处延伸穿过所述介电材料，并且包括与所述两个或两个以上微电子装置中的每一个的所述导电迹线中的至少一些接触的导电材料，并且延伸到所述衬底的暴露导体。还公开了制造方法和相关电子系统。
微电子装置组合封装以及相关方法系统

[发明专利]包含表面安装部件的微电子装置组合件和封装体-CN202011117779.7在审
发明人： R·K·理查兹;O·R·费伊;A·U·利马耶;D·S·林 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及包含表面安装部件的微电子装置组合件和封装体。公开了一种微电子装置组合件，所述微电子装置组合件包括衬底，所述衬底具有暴露于其表面上的导体。两个或两个以上微电子装置堆叠在所述衬底上，每个微电子装置包括有源表面，所述有源表面可操作地耦接到导电迹线，所述导电迹线在介电材料之上延伸到所述堆叠的至少一个侧面以外的通孔位置，至少一个表面安装部件可操作地耦接到至少一种介电材料的导电迹线，并且通孔在所述通孔位置处延伸穿过所述介电材料并且包括与所述两个或两个以上电子装置中的每一个的所述导电迹线中的至少一些接触的导电材料并延伸到所述衬底的暴露导体。
包含表面安装部件微电子装置组合封装

[发明专利]包含多个装置堆叠的微电子装置组合件和封装体以及相关方法-CN202011121437.2在审
发明人： A·U·利马耶;D·S·林;R·K·理查兹;O·R·费伊 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-10-19 - 公布日： 2021-04-20 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请涉及包含多个装置堆叠的微电子装置组合件和封装体以及相关方法。公开了一种微电子装置组合件，所述微电子装置组合件包括衬底，所述衬底具有暴露于其表面上的导体。两个或两个以上微电子装置堆叠定位在所述衬底上，并且所述堆叠的微电子装置连接到在所述堆叠外部并延伸到所述衬底的竖直导电路径和在所述堆叠之间延伸的侧向导电路径。还公开了制造方法。
包含装置堆叠微电子组合封装以及相关方法

[发明专利]包括用于热管理的石墨烯层的存储器模块和存储器封装-CN202010573855.9在审
发明人： C·H·育;G·E·帕克斯;Y·夏尔马;G·A·金;T·H·金斯利;R·K·理查兹 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/373 文献下载
摘要：本申请涉及包括用于热管理的石墨烯层的存储器模块和存储器封装。描述了与存储器装置和封装相关的系统、设备和方法。一种诸如双列直插式存储器模块DIMM或其它电子装置封装等的装置可以包括具有石墨烯层的衬底，所述石墨烯层被配置成将热能(例如，热量)从安装或固定至所述衬底的部件传导出去。在一些示例中，DIMM包括最上层或顶层石墨烯，所述最上层或顶层石墨烯暴露于空气中并且被配置成允许将存储器装置(例如，DRAM)的连接件焊接至所述衬底的导电焊盘。石墨烯可以与所述存储器装置的除了与所述导电焊盘的电连接件之外的部分接触，并且因此可以被配置成所述装置的散热器。除了石墨烯之外或者作为石墨烯的替代性方案，可以使用其它薄的导电层。石墨烯可以是其它散热机制的补充。
包括用于管理石墨存储器模块封装

[发明专利]具有天线和EMI隔离屏蔽件的半导体封装和相关联方法-CN202010645368.9在审
发明人： O·R·费伊;D·S·林;R·K·理查兹;A·U·利马耶 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-07-07 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请案涉及具有天线和EMI隔离屏蔽件的半导体封装和相关联方法。本文中描述具有天线和电磁干扰EMI屏蔽件的半导体装置以及相关联系统和方法。在一个实施例中，半导体装置包含耦合到封装衬底的半导体裸片。天线结构安置于所述半导体裸片上方和/或相邻处。电磁干扰EMI屏蔽件安置于所述半导体裸片与所述天线结构之间以至少屏蔽所述半导体裸片免受所述天线结构产生的电磁辐射影响和/或屏蔽所述天线结构免受所述半导体裸片产生的干扰影响。第一介电材料和/或热界面材料可定位于所述半导体裸片与所述EMI屏蔽件之间，且第二介电材料可定位于所述EMI屏蔽件与所述天线结构之间。在一些实施例中，所述半导体装置包含处于所述天线、所述EMI屏蔽件和/或所述第二介电材料的至少一部分上方的封装模塑料。
具有天线 emi 隔离屏蔽半导体封装相关方法

[发明专利]用于存储器装置中的时钟信号对准的方法以及采用所述方法的存储器装置及系统-CN202010572946.0在审
发明人： R·K·理查兹;D·卡特里 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2020-06-22 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G11C7/22 文献下载
摘要：本申请案涉及用于存储器装置中的时钟信号对准的方法以及采用所述方法的存储器装置及系统。存储器模块或电子系统的存储器装置或其它组件可使经接收时钟信号偏移。例如，所述存储器装置可接收具有用于系统的标称操作速度或频率的时钟信号，且所述存储器装置可基于其它操作因素(例如其它信号的速度或频率、物理约束、从主机装置接收的指示等)调整所述时钟信号或使所述时钟信号偏移。时钟偏移值可基于例如命令/地址信令的传播。在一些实例中，存储器模块可包含可管理或协调所述模块上的各种存储器装置当中或之间的时钟偏移的寄存时钟驱动器RCD、集线器或本地控制器。时钟偏移值可经编程到模式寄存器或若干模式寄存器。
用于存储器装置中的时钟信号对准方法以及采用系统

[发明专利]具有不同物理尺寸、存储器格式和操作能力的存储器装置、模块和具有存储器装置的系统-CN201980009891.8在审
发明人： T·H·金斯利;G·E·帕克斯;Y·夏尔马;G·A·金;C·H·育;R·K·理查兹;T·M·霍利斯;E·J·斯特夫 -专利权人：美光科技公司
申请日： 2019-12-19 - 公布日： 2020-09-04 - 主分类号： G06F13/16 文献下载
摘要：本发明提供一种设备，其包括多个存储器装置和缓冲装置，所述缓冲装置准许以行业标准的存储器模块格式使用具有多种物理尺寸和存储器格式的存储器装置。所述缓冲装置包含存储器接口电路系统和至少一个先进先出FIFO或多路复用器电路。所述设备进一步包括将所述缓冲装置连接到所述多个存储器装置的并行总线。所述并行总线包含多个独立控制线，所述多个独立控制线各自将所述存储器接口电路系统耦合到所述多个存储器装置的多个第一子集中的对应子集。所述并行总线进一步包含多个独立数据信道，所述多个独立数据信道各自将所述至少一个FIFO电路或多路复用器电路耦合到所述多个存储器装置的多个第二子集中的对应子集。
具有不同物理尺寸存储器格式操作能力装置模块系统

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