[发明专利]磁存储元件和电子设备在审

申请号：	201880021415.3	申请日：	2018-01-15
公开（公告）号：	CN110506327A	公开（公告）日：	2019-11-26
发明（设计）人：	长谷直基;细见政功;肥后丰;大森广之;内田裕行;佐藤阳	申请（专利权）人：	索尼半导体解决方案公司
主分类号：	H01L21/8239	分类号：	H01L21/8239;H01L27/105;H01L29/82;H01L43/08
代理公司：	11257 北京正理专利代理有限公司	代理人：	付生辉<国际申请>=PCT/JP2018
地址：	日本国神奈川***	国省代码：	日本;JP
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摘要：	[待解决的问题]提供一种具有降低的写入电流同时保持存储层的磁性保留性能的磁存储元件和电子设备。[解决方案]磁存储元件包括：自旋轨道层，其沿一个方向延伸；写入线，其电耦合到所述自旋轨道层，并允许电流沿所述自旋轨道层的延伸方向流动；隧道结元件，其包括按顺序堆叠在所述自旋轨道层上的存储层、绝缘体层和磁化固定层；以及非磁性层，其膜厚度为2nm或更小，并设置在所述自旋轨道层和所述绝缘体层之间的任何堆叠位置。
搜索关键词：	轨道层自旋磁存储元件绝缘体层存储层磁化固定层隧道结元件保留性能电子设备堆叠位置方向流动方向延伸非磁性层顺序堆叠写入电流电耦合写入线延伸
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【主权项】：

1.一种磁存储元件，包括：/n自旋轨道层，其沿一个方向延伸；/n写入线，其电耦合到所述自旋轨道层，并允许电流沿所述自旋轨道层的延伸方向流动；/n隧道结元件，其包括按顺序堆叠在所述自旋轨道层上的存储层、绝缘体层和磁化固定层；以及/n非磁性层，其膜厚度为2nm或更小，并设置在所述自旋轨道层和所述绝缘体层之间的任何堆叠位置。/n

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专利分类

H 电学

H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造

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