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[发明专利]电子装置-CN202310806672.0在审
发明人：大卫·锡纳乐;麦克·凯利;罗讷·休莫勒;金阳瑞;郑季洋;张明河;纳都汉 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：电子装置。一种具有增强的插入物质量的半导体装置，以及其制造方法。举例来说且不受限制，本发明的各种方面提供一种插入晶粒，其包括包括至少第一介电层和第一传导层的第一信号分布结构，其中所述信号分布结构在侧边缘处受到保护层保护。并且，举例来说，本发明的各种方面提供一种制造包括此插入晶粒的半导体装置的方法。
电子装置

[发明专利]电子装置-CN201710059847.0有效
发明人：大卫·锡纳乐;麦克·凯利;罗讷·休莫勒;金阳瑞;郑季洋;张明河;纳都汉 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：电子装置。一种具有增强的插入物质量的半导体装置，以及其制造方法。举例来说且不受限制，本发明的各种方面提供一种插入晶粒，其包括包括至少第一介电层和第一传导层的第一信号分布结构，其中所述信号分布结构在侧边缘处受到保护层保护。并且，举例来说，本发明的各种方面提供一种制造包括此插入晶粒的半导体装置的方法。
电子装置

[发明专利]半导体装置-CN201810171248.2在审
发明人： 纳都汉;朴松森;金德宫 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2018-03-01 - 公布日： 2019-05-24 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体装置，其包括：第一半导体晶粒；第一囊封物，其围绕第一半导体晶粒；以及第一重新分布结构，其被形成在第一半导体晶粒和第一囊封物上。半导体装置进一步包括：第二半导体晶粒；第二囊封物，其围绕第二半导体晶粒；以及第二重新分布结构，其被形成在第二半导体晶粒和第二囊封物上。半导体装置亦包括：传导通孔，其将第一重新分布结构电性连接至第二重新分布结构。
半导体晶粒半导体装置重新分布囊封物电性连接通孔传导

[实用新型]电子装置-CN201720100996.2有效
发明人：大卫·锡纳乐;麦克·凯利;罗讷·休莫勒;金阳瑞;郑季洋;张明河;纳都汉 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电子装置，包括第一信号分布结构(DS1)，其包括第一DS1介电层、第一DS1导体层、DS1顶部侧、DS1底部侧和在所述DS1顶部侧与所述DS1底部侧之间延伸的多个DS1侧边；第二信号分布结构(DS2)，其包括第一DS2介电层、第一DS2导体层、DS2顶部侧、DS2底部侧和在所述DS2顶部侧与所述DS2底部侧之间延伸延伸的多个DS2侧边，其中所述DS1底部侧耦合到所述DS2顶部侧，且所述DS2顶部侧包括由所述DS1底部侧覆盖的中心部分和未由所述DS1底部侧覆盖的在所述DS1底部侧周围的外围部分；第一功能半导体晶粒，其耦合到所述DS1顶部侧；以及介电材料，其覆盖至少所述DS1侧边和所述DS2顶部侧的所述外围部分。
电子装置