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[发明专利]电子装置-CN202310806672.0在审
发明人：大卫·锡纳乐;麦克·凯利;罗讷·休莫勒;金阳瑞;郑季洋;张明河;纳都汉 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L25/07 文献下载
摘要：电子装置。一种具有增强的插入物质量的半导体装置，以及其制造方法。举例来说且不受限制，本发明的各种方面提供一种插入晶粒，其包括包括至少第一介电层和第一传导层的第一信号分布结构，其中所述信号分布结构在侧边缘处受到保护层保护。并且，举例来说，本发明的各种方面提供一种制造包括此插入晶粒的半导体装置的方法。
电子装置

[发明专利]电子装置-CN201910468358.X有效
发明人：大卫·锡纳乐;麦克·凯利;罗纳·休莫勒 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2023-09-01 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种电子装置。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供各种半导体封装结构，和其制造方法，所述半导体封装结构包括在多个其它半导体裸片之间投送电信号的连接裸片。
电子装置

[发明专利]电子装置-CN201710059847.0有效
发明人：大卫·锡纳乐;麦克·凯利;罗讷·休莫勒;金阳瑞;郑季洋;张明河;纳都汉 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：电子装置。一种具有增强的插入物质量的半导体装置，以及其制造方法。举例来说且不受限制，本发明的各种方面提供一种插入晶粒，其包括包括至少第一介电层和第一传导层的第一信号分布结构，其中所述信号分布结构在侧边缘处受到保护层保护。并且，举例来说，本发明的各种方面提供一种制造包括此插入晶粒的半导体装置的方法。
电子装置

[发明专利]半导体封装以及其制造方法-CN202111037391.0在审
发明人：大卫·锡纳乐;麦克·凯利;拉诺德·胡莫勒;莫印苏;李相亨;杜旺朱;金进勇 -专利权人：安靠科技新加坡控股私人有限公司
申请日： 2021-09-06 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：半导体封装以及其制造方法。一种电子装置包括：信号重布结构(SRS)，其包括SRS顶侧、SRS底侧和多个SRS横向侧，其中信号重布结构是无芯的；下部电子组件(LEC)，其包括LEC顶侧、LEC底侧和多个LEC横向侧，其中LEC顶侧耦合到SRS底侧；竖直互连结构，其在从下部电子组件横向偏移的位置处耦合到SRS底侧；LEC互连结构，其耦合到LEC顶侧和SRS底侧，使得下部电子组件通过至少LEC互连结构电耦合到信号重布结构；半导体裸片，其包括裸片顶侧、裸片底侧和多个裸片横向侧；第一裸片互连结构，其耦合到SRS顶侧和裸片底侧，使得半导体裸片电耦合到竖直互连结构；及第二裸片互连结构，其耦合到SRS顶侧和裸片底侧，使得半导体裸片电耦合到下部电子组件。
半导体封装及其制造方法

[发明专利]半导体封装和其制造方法-CN201911177940.7在审
发明人：大卫·锡纳乐;麦克·凯利;罗纳·休莫勒 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：半导体封装和其制造方法。本公开提供一种电子装置，包括：第一信号重分布结构；第一竖直互连结构，在第一信号重分布结构的第一面上；连接管芯，包括背面和正面，背面面向且耦合到第一信号重分布结构的第一面；第一连接管芯互连结构，耦合到连接管芯的正面；第二信号重分布结构，在第一竖直互连结构及第一连接管芯互连结构上；及第一电子部件，包括：第一互连结构，耦合到第二信号重分布结构且至少通过其而电耦合到第一竖直互连结构；及第二互连结构，耦合到第二信号重分布结构且至少通过其而电耦合到第一连接管芯互连结构。
半导体封装制造方法

[发明专利]电子装置-CN201610862236.5有效
发明人：大卫·锡纳乐;麦克·凯利;罗纳·休莫勒 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2016-09-28 - 公布日： 2019-06-14 - 主分类号： H01L25/065 文献下载
摘要：一种电子装置。作为非限制性实例，本发明的各种方面提供各种半导体封装结构，和其制造方法，所述半导体封装结构包括在多个其它半导体裸片之间投送电信号的连接裸片。
电子装置

[实用新型]电子装置-CN201720100996.2有效
发明人：大卫·锡纳乐;麦克·凯利;罗讷·休莫勒;金阳瑞;郑季洋;张明河;纳都汉 -专利权人：艾马克科技公司
申请日： 2017-01-24 - 公布日： 2017-11-21 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本实用新型提供一种电子装置，包括第一信号分布结构(DS1)，其包括第一DS1介电层、第一DS1导体层、DS1顶部侧、DS1底部侧和在所述DS1顶部侧与所述DS1底部侧之间延伸的多个DS1侧边；第二信号分布结构(DS2)，其包括第一DS2介电层、第一DS2导体层、DS2顶部侧、DS2底部侧和在所述DS2顶部侧与所述DS2底部侧之间延伸延伸的多个DS2侧边，其中所述DS1底部侧耦合到所述DS2顶部侧，且所述DS2顶部侧包括由所述DS1底部侧覆盖的中心部分和未由所述DS1底部侧覆盖的在所述DS1底部侧周围的外围部分；第一功能半导体晶粒，其耦合到所述DS1顶部侧；以及介电材料，其覆盖至少所述DS1侧边和所述DS2顶部侧的所述外围部分。
电子装置