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[发明专利]船舶的加载控制系统及船舶的加载控制方法-CN202111508636.3在审
发明人：李东;窦卫东;罗光雄;刘彩霞 -专利权人：中集安瑞科投资控股（深圳）有限公司;中国国际海运集装箱（集团）股份有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： B63B17/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种船舶的加载控制系统及船舶的加载控制方法。船舶包括船体以及可拆卸连接于船体上的燃料供应机构。控制系统包括：剩余燃料检测机构、导航机构和控制中心。剩余燃料检测机构检测燃料供应机构内燃料的实时剩余量；导航机构用于定位船体的实时位置，并对船体导航；控制中心同时与剩余燃料检测机构以及导航机构电连接，接收燃料的实时剩余量以及船体的实时位置；在实时剩余量到达一预设剩余量时，控制中心依据实时剩余量以及实时位置进行分析计算，输出满足条件的至少一换装站；换装站内具有承载有燃料的可供更换的燃料供应机构；在确定一换装站为目标换装站后，导航机构以目标换装站为目的地进行导航，而使船体航行至目标换装站。
船舶加载控制系统控制方法

[实用新型]船舶及其供气系统-CN202221289596.8有效
发明人：樊杰;陈来生;刘彩霞;许佳慧;解飞;窦卫东;张云凯 -专利权人：南通中集能源装备有限公司;中集安瑞科投资控股（深圳）有限公司;中国国际海运集装箱（集团）股份有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： F02M21/02 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种船舶及其供气系统。供气系统包括储存设备、气化设备和换热设备。储存设备用于储存呈液态的燃料；气化设备位于储存设备和发动机之间，用于接收并气化燃料，并发送至发动机；换热设备，其包括能够进行热交换的热量通道和媒介通道；热量通道设置于发动机的下游，以接收发动机的循环水；媒介通道内设有媒介，媒介为乙二醇水溶液；媒介接收循环水的热量；媒介通道的出口与气化设备连接，而将温度升高后的媒介输送至气化设备内，以加热而气化燃料。通过循环水的热量加热媒介，再通过媒介将热量传递至呈液态的燃料，使燃料气化。该供气系统以乙二醇水溶液为媒介，其冰点较低，不易冻结，从而能够稳定的气化燃料。
船舶及其供气系统

[实用新型]船舶及其供气系统-CN202221286225.4有效
发明人：樊杰;陈来生;刘彩霞;许佳慧;解飞;窦卫东;张云凯 -专利权人：南通中集能源装备有限公司;中集安瑞科投资控股（深圳）有限公司;中国国际海运集装箱（集团）股份有限公司
申请日： 2022-05-26 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： F02M21/06 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种船舶及其供气系统。供气系统包括储罐、气化机构以及换热机构。储罐内储存有液体状的燃料；气化机构设置于储罐的下游，用于接收并气化液体状的燃料；且气化机构与发动机连接，以向发动机提供燃料；换热机构包括能够进行热交换的第一热源通道和介质通道；第一热源通道设置于发动机的下游，以接收发动机的尾气；介质通道内设有中间介质，中间介质的温度低于尾气而进行热交换；中间介质为水；介质通道的出口与气化机构连接，而将温度升高后的中间介质输送至气化机构内，以加热而气化液体状的燃料。
船舶及其供气系统

[实用新型]一种电气工程及其自动化实验用剥线装置-CN202121968896.4有效
发明人： 窦卫东;罗玉婷;陈俊 -专利权人： 窦卫东
申请日： 2021-08-20 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H02G1/12 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电气工程及其自动化实验用剥线装置，包括底座，所述底座的中部上表面固定有支撑板三，且支撑板三的上表面固定有支撑环，且支撑环内转动连接有刀盘，且刀盘的中部设置有切割口，且切割口内插接有电线，所述底座靠近支撑板三的一端设置有支撑板二，且支撑板二的上部固定有进线框，且支撑板三靠近支撑板二的一侧固定有伸缩杆一，且伸缩杆一的延伸杆与支撑板二相接，且底座的上表面开设有滑槽。本实用新型通过刀盘旋转剥线，剥线完毕后伸长伸缩杆一使电线向远离刀盘的反向运行，使电线外皮与电线在刀盘处就分离，省去剥皮后手动取下电线外皮的步骤，减小人力成本。
一种电气工程及其自动化实验线装

[实用新型]一种电力系统及其自动化设备的插箱-CN202122054084.5有效
发明人： 窦卫东;罗玉婷;陈俊 -专利权人： 窦卫东
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H05K7/14 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电力系统及其自动化设备的插箱，包括第一壳体和第二壳体，所述第一壳体一侧内壁开设有第一安装槽，第一安装槽内滑动连接有移动块，移动块内侧通过螺栓固定有安装条，安装条顶部开设有多个均匀分布的第一滑槽，第一滑槽内滑动连接有第一滑块，第一滑块顶部通过轴承转动连接有连接轴，连接轴顶部通过螺栓固定有架线板，架线板顶部开设有多个均匀分布的架线槽，架线槽截面设置成弧形，且两侧的多个架线槽弧向相反。本实用新型中，将不同的导线置放到对应的架线槽内，且架线板可以绕着连接轴转动，即可调节便于导线进行架设，从而达到便于区分的效果。
一种电力系统及其自动化设备

[实用新型]一种电气工程及其自动化的外露线保护装置-CN202121891156.5有效
发明人： 窦卫东;罗玉婷;陈俊 -专利权人： 窦卫东
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： H02G3/04 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种电气工程及其自动化的外露线保护装置，包括底箱、顶箱、横筒和缓冲箱，所述底箱的一端外壁固定连接有第一旋转杆，且顶箱的一端外壁固定连接有第二旋转杆，第一旋转杆与第二旋转杆的相对一侧外壁之间套接有转轴，转轴的两端外壁均分别通过轴承转动连接于第一旋转杆与第二旋转杆的圆周内壁，底箱和顶箱的另一端外壁设置有固定机构，所述底箱和顶箱的顶部与底部内壁两侧均设置有滚动缓冲机构。本实用新型实现了对外露线管的保护，滚轮在旋转并且挤压弹簧时会提供给线管足够大的缓冲效果，可以在不打开顶箱以及不需要将线管抽出的情况下，将装置移动到任意位置对线管进行保护。
一种电气工程及其自动化外露保护装置

[发明专利]一种基于铜箔基底的有机单分子层薄膜制备方法-CN201910660085.9有效
发明人： 窦卫东;施碧云 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2019-07-22 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种基于铜箔基底的有机单分子层薄膜制备方法，属于单分子有机薄膜技术领域；本发明通过利用真空分子束沉积法在金属基底上制备具有单分子层厚度的有机薄膜的方法，与通常情况不同的是，单分子层有机薄膜中的有机分子以“站立”形态排列，分子之间的pi‑pi堆栈方向与金属基底表面相平行。退火处理后的铜箔表面具有原子级的平整度，且其表面分布着含有COOH官能团的碳氢化合物，退火处理后铜箔表面上存在的COOH是导致并五苯分子形成“站立”式堆栈结构的关键。
一种基于铜箔基底有机单分子层薄膜制备方法

[发明专利]一种百微米级二维有机红荧烯单晶纳米片的制备方法-CN202010242602.3在审
发明人： 窦卫东 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：一种百微米级二维有机红荧烯单晶纳米片的制备方法，属于百微米级二维有机单晶纳米片制备技术领域；本发明可以制备尺寸大于100微米的二维有机纳米片，且整个蒸镀过程不需要真空和复杂的装置，具有操作简便、制备成本低等特点。本发明制备的红荧烯纳米薄片典型尺寸大于200微米，典型厚度为200‑500nm，在有机光波导和有机激光等领域有应用价值。
一种微米二维有机红荧烯单晶纳米制备方法

[发明专利]一种有机薄膜缓冲层的制备方法-CN201911299046.7在审
发明人：吴海飞;窦卫东 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2019-12-17 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C23C26/00 文献下载
摘要：一种有机薄膜缓冲层的制备方法，属于有机薄膜制备技术领域；退火处理后的SiO2/Si(111)基底表面的碳氢化合物薄膜已基本脱附，仅剩约1.6nm的碳氢化合物分子层仍平整得吸附在SiO2/Si(111)基底表面，退火处理后SiO2/Si(111)基底表面上存在的碳氢化合物分子层即为有机薄膜制备的缓冲层，在此缓冲层上可制备出具有有序分子排列结构的有机薄膜。
一种有机薄膜缓冲制备方法

[发明专利]一种基于多晶铜箔的毫米级单层单晶石墨烯的制备方法-CN201810537737.5有效
发明人： 窦卫东;曹巧君;施碧云;裘剑锋 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2018-05-30 - 公布日： 2019-02-26 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：一种基于多晶铜箔的毫米级单层单晶石墨烯的制备方法，属于薄膜石墨烯材料的制备技术领域。本发明在氩气、氢气和氧气气氛下，对铜箔进行加热，利用甲烷在铜箔表面的催化裂解，在矩形盒子的内壁上生长形成大尺寸的单层单晶石墨烯。本发明无需对铜箔进行复杂的预处理，仅用无水乙醇对铜箔表面进行简单清洁即可，且不会引入新的杂质。本发明无需对铜箔进行预氧化处理，在石墨烯的制备过程中，通过控制氧气的流量和控制CVD反应腔体内的压强，即可实现石墨烯的单晶生长。在利用最优化氧气流量参数下，通过控制甲烷的持续时间来控制单晶石墨烯的生长时间，从而调控单晶石墨烯的尺寸。
单晶石墨铜箔单层铜箔表面毫米级石墨烯甲烷多晶制备预处理压强制备技术领域石墨烯材料预氧化处理氩气催化裂解单晶生长矩形盒子无水乙醇氧气流量氧气气氛制备过程氢气反应腔最优化生长内壁薄膜加热氧气体内清洁调控引入

[发明专利]一种具有周期性波纹形貌的单层石墨烯的制备方法-CN201811390263.2在审
发明人： 窦卫东;施碧云 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2018-11-21 - 公布日： 2019-02-05 - 主分类号： C01B32/186 文献下载
摘要：一种具有周期性波纹形貌的单层石墨烯的制备方法，属于单晶石墨烯制备技术领域。本发明的制备方法包括铜箔的预处理、铜箔的升温及退火、石墨烯的生长和石墨烯的降温这四个步骤，本发明基于化学气相沉积法，通过优化石墨烯的生长参数，在不利用外力作用的情况下，制备出具有波纹形貌的单层石墨烯，且单层石墨烯基面的弯曲区域具有近似相同的曲率，起伏距离具有空间周期性，弯曲区域相互平行排列。通过本发明制得的具有周期性波纹形貌的石墨烯不但能促进纳米材料的力学属性研究，也对基于应力的石墨烯器件的应用有积极的促进意义。
形貌单层石墨烯波纹石墨烯制备弯曲区域铜箔预处理化学气相沉积制备技术领域曲率退火空间周期性石墨烯器件单晶石墨力学属性纳米材料生长参数外力作用近似生长优化应用研究

[发明专利]一种在石墨烯基底上制备酞菁铁单晶薄膜的方法-CN201811375515.4在审
发明人： 窦卫东 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2018-11-19 - 公布日： 2019-01-11 - 主分类号： C30B25/00 文献下载
摘要：一种在石墨烯基底上制备酞菁铁单晶薄膜的方法，属于有机半导体技术领域。本发明通过化学气相沉积法在晶面为(111)的单晶镍片上制备单层单晶石墨烯，从而得到镍基石墨烯基底，然后在镍基石墨烯基底上利用热沉积法制备酞菁铁单晶薄膜，将酞菁铁单晶薄膜沉积到镍基石墨烯基底的表面。本发明实现了酞菁铁分子沿特定方向生长，形成具有纳米线状形貌的有机纳米晶畴，且酞菁铁分子以平躺形式分布在镍基石墨烯基底上，形成结构有序的单晶薄膜；本发明利用金属镍与石墨烯之间的电子耦合、以及该电子耦合体系与铁原子非闭合壳层d电子之间的相互作用，并通过选择合适的沉积速率制备出具有纳米线状形貌的酞菁铁晶畴。
酞菁铁石墨烯基单晶薄膜镍基制备形貌电子耦合纳米线沉积有机半导体技术化学气相沉积有机纳米晶单晶石墨制备单层非闭合金属镍热沉积石墨烯铁原子单晶晶畴晶面壳层镍片平躺生长

[发明专利]一种毫米级长方形单层单晶石墨烯的制备方法-CN201811273995.3在审
发明人： 窦卫东;施碧云 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：一种毫米级长方形单层单晶石墨烯的制备方法，属于薄膜石墨烯材料技术领域。本发明在氩气的气氛下，对铜箔进行加热，当加热至所需温度时，氩气停止，然后维持铜箔温度，通入氢气，并通过控制氢气流量，使铜箔表面的多晶结构转变为单晶结构。在制备过程中，通过控制通入甲烷的持续时间来调控单晶石墨烯的尺寸，且制得的单晶石墨烯呈长方形，并在单晶生长过程中，这形貌一直保持。本发明通过将铜箔剪切成矩形膜片，矩形膜片折叠成封闭的矩形盒子，矩形盒子的内部提供了准静态的环境，便于单晶石墨烯的均匀且匀速生长。
单晶石墨铜箔氩气矩形盒子矩形膜片毫米级单层制备加热形貌单晶生长过程石墨烯材料单晶结构多晶结构氢气流量铜箔表面制备过程剪切氢气准静态折叠甲烷薄膜生长调控封闭

[发明专利]一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法-CN201710996898.6有效
发明人： 窦卫东 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：一种在铜膜修饰石墨烯基底上制备金属酞菁单晶薄膜的方法，属于石墨烯技术领域。本发明可用于制备高性能有机场效应器件。在有机场效应器件中，石墨烯常用作电极涂层，利用石墨烯的高电导率及其对有机分子薄膜的结晶诱导作用，提高器件中载流子的注入和传输效率，从而改善器件性能。石墨烯基底通常会诱导金属酞菁分子形成垂直于石墨烯基底的π‑π堆栈结构，这种堆栈结构不利于载流子在平行于基底表面的横向方向上传输。本技术通过在石墨烯基底上修饰厚度为1纳米的铜纳米颗粒薄层，可以实现具有单晶结构，且分子π‑π堆栈方向平行于石墨烯基底的金属酞菁单晶薄膜可控生长。
石墨烯基单晶薄膜金属酞菁石墨烯修饰载流子堆栈结构效应器有机场铜膜制备平行有机分子薄膜铜纳米颗粒制备高性能传输效率单晶结构电极涂层堆栈方向分子形成高电导率横向方向基底表面结晶诱导可控生长器件性能诱导金属薄层可用酞菁垂直传输

[发明专利]一种纳米线状有机单晶晶畴的制备方法-CN201810139741.6在审
发明人： 窦卫东;施碧云 -专利权人：绍兴文理学院
申请日： 2018-02-11 - 公布日： 2018-08-07 - 主分类号： C30B29/54 文献下载
摘要：一种纳米线状有机单晶晶畴的制备方法，属于石墨烯技术领域。本发明的核心是调控基于石墨烯电极的有机半导体薄膜的形貌和晶体结构，该技术适用于有机场效应器件等具有横向器件结构的有机半导体器件。利用本技术可实现具有一维纳米线状构型的并五苯分子薄膜的可控制备。该纳米线状有机单晶晶畴的宽度为30纳米，长度为3‑5微米。晶畴中并五苯分子呈“站立”式、“面对面”有序排列，形成具有单一晶体结构的有机分子薄膜。此类单晶薄膜对载流子的横向传输有利，适用于高性能有机场效应器件。
纳米线并五苯石墨烯效应器有机场制备载流子有机半导体薄膜有机半导体器件形貌单一晶体结构有机分子薄膜一维纳米线单晶薄膜分子薄膜横向传输横向器件晶体结构电极可控制构型晶畴站立调控

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