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[发明专利]有机半导体薄膜的形成方法、以及使用该方法的有机半导体器件及其制造方法-CN201580038837.8有效
发明人：酒井正俊;工藤一浩;贞光雄一 -专利权人：日本化药株式会社
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2019-03-01 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明提供可以通过短时间的处理形成有机半导体薄膜的有机半导体薄膜的形成方法，并且提供利用上述有机半导体薄膜的有机半导体器件，以及生产量高的有机半导体器件的制造方法。在包含有机半导体材料(7)的有机半导体薄膜(4)的形成方法中，对有机半导体材料(7)一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料(7)制成薄膜。有机半导体器件的制造方法为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其中，通过上述形成方法形成有机半导体薄膜。有机半导体器件为通过上述制造方法制造的有机半导体器件。
有机半导体薄膜形成方法以及使用有机半导体器件及其制造

[发明专利]有机半导体器件和有机半导体薄膜-CN200780000602.5无效
发明人：胜原真央;鹈川彰人;宫本佳洋;国清敏幸 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2007-02-16 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明提供有机半导体薄膜基有机半导体器件，该器件包括由有机半导体材料形成的有机半导体薄膜，所述有机半导体材料可在低温如室温下溶解于有机溶剂并且适用于涂布工艺。该有机半导体器件包括沟道形成区，该沟道形成区包括由有机半导体材料形成的有机半导体薄膜，所述有机半导体材料具有基于两个π－电子单位的氧化或还原机制并且具有二维或三维传导路径。
有机半导体器件有机半导体薄膜

[发明专利]一种利用电润湿提高有机半导体高温稳定性的方法-CN202210989704.0有效
发明人：李立强;王颜鹏;陈小松;孙首港;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2022-08-18 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种利用电润湿提高有机半导体高温稳定性的方法，属于有机半导体技术领域。所述利用电润湿提高有机半导体高温稳定性的方法的步骤包括：先在自下而上包含衬底电极、介电层和有机半导体薄膜结构器件中的有机半导体薄膜上滴加无机盐溶液，再于衬底电极和无机盐溶液间施加正电压；除去无机盐溶液，干燥，得到耐高温有机半导体薄膜。本发明通过电润湿的方法，促进无机盐溶液对有机半导体薄膜的浸润能力，使无机盐溶液能够浸入有机半导体薄膜到晶界深处，并在干燥的过程中结晶析出无机盐晶粒，增加有机半导体聚集态结构变化的势垒，抑制薄膜在高温下的晶界迁移，有效的提高有机半导体薄膜的高温稳定性。
一种利用润湿提高有机半导体高温稳定性方法

[发明专利]有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜、有机半导体膜形成用分散液、有机半导体薄膜的制造方法及有机薄膜晶体管-CN201180041963.0有效
发明人：市川结;全现九;小熊尚实;平田直毅;河野寿夫 -专利权人：国立大学法人信州大学;大日精化工业株式会社
申请日： 2011-08-17 - 公布日： 2013-05-01 - 主分类号： H01L51/30 文献下载
摘要：本发明为有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，有机半导体微粒材料的特征在于，所述有机半导体微粒材料是能够作为有机半导体材料使用的微粒状的材料，该微粒是在被加热至50℃～350℃的温度时向液晶状态发生相变的热致液晶根据上述本发明，能够提供有机半导体微粒材料、有机半导体薄膜及有机晶体管，所述有机半导体微粒材料容易大面积且均一地制作通过印刷制膜法形成的有机半导体薄膜，具有高的电子迁移率及高的开/关值，并且能够通过使用了微粒的分散液涂布法来形成有机半导体薄膜
有机半导体微粒材料薄膜形成分散制造方法有机薄膜晶体管

[发明专利]一种增强有机半导体薄膜聚集态稳定性的方法-CN202111110113.3有效
发明人：李立强;陈小松;戚建楠;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体技术领域，公开了一种增强有机半导体薄膜聚集态稳定性的方法：构筑有机半导体薄膜，然后在构筑的有机半导体薄膜表面或薄膜内部引入微量的纳米粒子，纳米粒子均匀且不连续，不会影响有机半导体薄膜本身的电学性能有机半导体薄膜的晶界、位错、层错以及表面等被纳米粒子钉扎，导致有机半导体薄膜聚集态结构变化的势垒增加，从而增强其聚集态稳定性，进而大幅增加有机场效应晶体管的最高工作温度以及储存寿命。在常温储存条件下，引入纳米粒子稳定的有机半导体形貌几乎不会发生变化，保证了以有机半导体薄膜所制备的有机晶体管器件在高温工作环境和实际大气环境中电学性能的稳定。
一种增强有机半导体薄膜聚集稳定性方法

[发明专利]一种有机场效应晶体管-CN202210069897.8在审
发明人：李立强;戚建楠;陈小松;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L51/05 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体技术领域，公开了一种有机场效应晶体管，包括栅极、源极、漏极、介电层和有机半导体层；其中，所述有机半导体层包括纳米粒子，所述纳米粒子在有机半导体层中分布均匀且不连续，所述纳米粒子体积占有机半导体层体积的本发明在有机半导体层的有机半导体薄膜表面或薄膜内部引入微量的纳米粒子，纳米粒子均匀且不连续，不会影响有机半导体薄膜本身的电学性能。有机半导体薄膜的晶界、位错、层错以及表面等被纳米粒子钉扎，导致有机半导体薄膜聚集态结构变化的势垒增加，从而增强其聚集态稳定性，进而大幅增加有机场效应晶体管的最高工作温度以及储存寿命。
一种有机场效应晶体管

[发明专利]一种基于有机异质结结构的氨气传感器及其制备方法-CN202111316708.4在审
发明人：刘雪强;王杰;王鑫涛;乔镇;杨然 -专利权人：燕山大学
申请日： 2021-11-08 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明的一种基于有机异质结结构的氨气传感器及其制备方法属于半导体气体传感器技术领域。所述的传感器结构有：ITO玻璃基片(1)、电极(2)、P型有机半导体薄膜(3)、N型有机半导体薄膜(4)；P型有机半导体薄膜(3)和N型有机半导体薄膜(4)构成积累型异质结。制备方法包括清洗基底、沉积P型有机半导体薄膜、沉积N型有机半导体薄膜、制备电极等步骤。本发明制备的氨传感器体积小，重量轻，结构简单，在室温下可正常工作，成本低，易于大批量生产。
一种基于有机异质结结构氨气传感器及其制备方法

[发明专利]有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置与背板-CN201510404203.1有效
发明人：王怡凯;高启仁;胡堂祥 -专利权人：广州奥翼电子科技股份有限公司
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及具有该有机半导体薄膜晶体管的显示装置与背板。该有机半导体薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极和沟道层，所述沟道层中形成有沟道，所述沟道中设有有机半导体层，所述有机半导体层上形成有图案，所述源极和漏极设置于所述沟道层上，并与所述有机半导体层连接。由于沟道的深度和延伸方向在制程过程中容易控制为具有较好的一致性，因此采用该种结构的有机半导体薄膜晶体管的不同元件中，其有机半导体层的厚度会更加均匀，而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列，也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管具有较为均一的特性。
有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置背板

[发明专利]一种增强有机半导体薄膜形貌稳定性的方法-CN202111607446.7有效
发明人：李立强;孙首港;付瑶;陈小松;胡文平 -专利权人：天津大学
申请日： 2021-12-27 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种增强有机半导体薄膜形貌稳定性的方法，涉及有机半导体技术领域，本发明通过在衬底表面引入纳米颗粒，使得衬底表面粗糙化，使有机半导体薄膜的形貌难以发生变化，达到稳定有机半导体薄膜的形貌的目的。有机半导体薄膜在粗糙表面上能够在高温条件和长时间保存下表现出极高的形貌稳定性。本发明通过将有机半导体薄膜制备在纳米级粗糙表面的衬底上，借助纳米级粗糙表面大幅度增强了有机半导体薄膜的高温热稳定性和长时间保存稳定性。
一种增强有机半导体薄膜形貌稳定性方法

[发明专利]有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法和应用-CN200610016822.4有效
发明人：闫东航;王海波;朱峰;史建武;宋德 -专利权人：中国科学院长春应用化学研究所
申请日： 2006-04-29 - 公布日： 2007-08-08 - 主分类号： H01L51/00 文献下载
摘要：本发明涉及有机半导体晶体薄膜及弱取向外延生长制备方法。有机半导体晶体薄膜，既可以是n型半导体，也可以是p型半导体；本发明的有机半导体晶体薄膜有机半导体晶体中的分子站立在有序基板上取向排列，与有序基板存在取向关系。本发明制备有机半导体晶体薄膜可用于有机晶体管和有机光电三极管器件。本发明制备方法的优点是能够控制有机半导体晶体的高载流子迁移率方向在薄膜内取向有序，增强晶体之间的接触，提高薄膜的机械强度和微加工性质，载流子迁移率高，本发明弱取向外延生长薄膜为0.24cm^2<
有机半导体晶体薄膜取向外延生长制备方法应用

[发明专利]有机半导体薄膜制造方法-CN201480021859.9在审
发明人：上田裕清;三崎雅裕;滨田雅裕;贞光雄一 -专利权人：国立大学法人神户大学;日本化药株式会社
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2015-12-02 - 主分类号： H01L51/40 文献下载
摘要：本发明的目的是提供一种有机半导体薄膜形成方法和一种使用所述有机半导体薄膜的有机半导体装置制造方法。这种有机半导体薄膜制造方法涉及将具有凹部的模具设置在基板上的步骤以及将有机半导体溶液引入由所述凹部与所述基板形成的空隙中的步骤。
有机半导体薄膜制造方法

[发明专利]有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置与背板-CN201510404227.7有效
发明人：王怡凯;高启仁;胡堂祥 -专利权人：广州奥翼电子科技股份有限公司
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2019-08-13 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明涉及一种有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及具有该有机半导体薄膜晶体管的显示装置与背板。有机半导体薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，源极和漏极上设置有沟道层，沟道层中形成有使源极和漏极至少部分露出的沟道，沟道中填充有有机半导体层，有机半导体层与源极和漏极连接，有机半导体层上形成有图案。由于沟道的深度和延伸方向在制程过程中容易控制为具有较好的一致性，因此采用该种结构的有机半导体薄膜晶体管的不同元件中，其有机半导体层的厚度会更加均匀，而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列，也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管具有较为均一的特性。
有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及显示装置背板

[实用新型]有机半导体薄膜晶体管以及显示装置与背板-CN201520498627.4有效
发明人：王怡凯;高启仁;胡堂祥 -专利权人：广州奥翼电子科技有限公司
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2016-01-20 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种有机半导体薄膜晶体管及其制造方法以及具有该有机半导体薄膜晶体管的显示装置与背板。该有机半导体薄膜晶体管包括源极、漏极、栅极和沟道层，所述沟道层中形成有沟道，所述沟道中设有有机半导体层，所述有机半导体层上形成有图案，所述源极和漏极设置于所述沟道层上，并与所述有机半导体层连接。由于沟道的深度和延伸方向在制程过程中容易控制为具有较好的一致性，因此采用该种结构的有机半导体薄膜晶体管的不同元件中，其有机半导体层的厚度会更加均匀，而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列，也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管具有较为均一的特性。
有机半导体薄膜晶体管以及显示装置背板

[实用新型]有机半导体薄膜晶体管以及显示装置与背板-CN201520498694.6有效
发明人：王怡凯;高启仁;胡堂祥 -专利权人：广州奥翼电子科技有限公司
申请日： 2015-07-10 - 公布日： 2016-08-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种有机半导体薄膜晶体管以及具有该有机半导体薄膜晶体管的显示装置与背板。有机半导体薄膜晶体管包括源极、漏极和栅极，源极和漏极上设置有沟道层，沟道层中形成有使源极和漏极至少部分露出的沟道，沟道中填充有有机半导体层，有机半导体层与源极和漏极连接，有机半导体层上形成有图案。由于沟道的深度和延伸方向在制程过程中容易控制为具有较好的一致性，因此采用该种结构的有机半导体薄膜晶体管的不同元件中，其有机半导体层的厚度会更加均匀，而且有机半导体材料也更容易顺着沟道的方向排列，也即有机半导体材料的排列方向的一致性也更好，因此使得不同元件中的有机半导体薄膜晶体管具有较为均一的特性。
有机半导体薄膜晶体管以及显示装置背板

[发明专利]有机半导体元件-CN200710140774.4有效
发明人：南方尚 -专利权人：旭化成株式会社
申请日： 2002-08-07 - 公布日： 2008-01-23 - 主分类号： C07C15/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种适合于电子学、光学、生物电子学等的有机半导体薄膜及其制造方法。此外，涉及成为该有机半导体薄膜原料的有机半导体溶液。另外，涉及采用该有机半导体薄膜的有机半导体元件。本发明的晶体管，是通过在玻璃基板(5)上依次叠层栅电极(2)、绝缘体层(3)、源电极及漏电极(4，4)，进而，在其上面涂布戊省的邻二氯苯溶液(0.05质量％)，干燥，形成有机半导体薄膜(1)得到的。可低成本且容易地形成该有机半导体薄膜(1)，由于几乎无缺陷，所以本发明能够提供电子特性优良的晶体管。
有机半导体元件

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