专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]太阳能光伏电池的制备方法-CN202211213637.X在审
  • 祁嘉铭;刘泉;陈太昌;方贵允;陈家健 - 东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
  • 2022-09-30 - 2022-12-06 - H01L31/18
  • 本申请公开了一种太阳能光伏电池的制备方法,具体涉及光伏电池技术领域,根据本申请实施例的太阳能光伏电池的制备方法,包括:对N型硅片的正反面进行制绒;对制绒后的N型硅片的正反面进行磷扩散,得到N型硅片正反面的n+区;对磷扩散后的N型硅片的背面进行碱抛光;对碱抛光后的N型硅片的背面进行氧化,形成隧穿氧化层和n+掺杂多晶硅层;通过激光刻蚀的方式对n+掺杂多晶硅层进行激光开槽;对沉积减反射膜后的N型硅片进行印刷和共烧,形成p+区和正负电极,形成太阳能光伏电池。本申请的太阳能光伏电池的制备方法有效简化了TBC电池的制备步骤,提高了TBC电池的生产效率。
  • 太阳能电池制备方法
  • [发明专利]硅片内除杂的方法和系统-CN202210646479.0在审
  • 陈家健;祁嘉铭;王丹丹;杨江海;杨健 - 东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
  • 2022-06-09 - 2022-10-21 - H01L31/18
  • 本申请公开了一种硅片内除杂的方法和系统,涉及电池技术领域。方法包括将设置有若干硅片的加工容器设置为真空状态;在处于真空状态的加工容器中通入氮气并进行升降温预处理,使得硅片内的部分杂质扩散于氮气中并与氮气混合;从加工容器中抽取出混合了杂质的氮气;在抽取氮气后的加工容器中通入氩气并进行内吸杂处理并进行清洗,得到干净的硅片。通过在真空状态下的加工容器中通入氮气并在升温降温预处理时,让硅片内杂质在受热膨胀后扩散到氮气并在抽真空时跟随氮气排出。然后通过通入氩气进行内吸杂处理,使得剩余的杂质大部分能留于硅片表面。因此,本申请实施例的方法和系统通过升降温预处理以及内吸杂两重杂质祛除,能提升硅片电池的可靠性。
  • 硅片方法系统
  • [发明专利]单面异质结电池及其制作方法-CN202111544247.6在审
  • 刘泉;祁嘉铭;杨江海;杨健 - 东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
  • 2021-12-16 - 2022-04-12 - H01L31/0747
  • 本申请公开了一种单面异质结电池及其制作方法。单面异质结电池包括:硅片基体、第一非晶硅膜、第二非晶硅膜、第一导电层、第二导电层、钝化层和背场层,第一非晶硅膜设置于硅片基体的受光面;第二非晶硅膜设置于硅片基体的背光面;第一导电层设置于第一非晶硅膜的上侧;第二导电层设置于第二非晶硅膜的下侧;钝化层设置于第二导电层的下侧;背场层设置于钝化层的下侧;其中,第二导电层的厚度小于第一导电层的厚度。在硅片基体的背光面设置背场层,利用背场层较佳的导电能力减少制备导电层所需的昂贵靶材的用量,使背光面侧的第二导电层的厚度小于受光面侧的第一导电层的厚度,从而降低电池生产成本。
  • 单面异质结电池及其制作方法

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