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[发明专利]单晶硅片的制绒方法、单晶硅太阳能电池及其制备方法-CN202010771407.X有效
发明人：王丹丹;陈家健;倪秀财;梁杭伟;吴含封;杨健 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2020-08-04 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种单晶硅片的制绒方法、单晶硅太阳能电池及其制备方法。上述单晶硅片的制绒方法包括如下步骤：对单晶硅片采用第一混合溶液进行前清洗，第一混合溶液包括质量比为3:8～3:10的碱性试剂与H2O2；对单晶硅片进行制绒；对单晶硅片依次采用第二混合溶液和混合酸液进行后清洗，然后干燥，其中，第二混合溶液包括质量比为3:8～3:10的碱性试剂与H2O2，混合酸液包括体积比为2:3～2.5:3的氢氟酸和盐酸。上述单晶硅片的制绒方法能够使硅片表面快速脱水，不容易残留脏污，从而避免硅片黑点产生，提升产品良率，进而改善电池片的电性能。
单晶硅方法太阳能电池及其制备

[发明专利]一种减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺-CN202110015472.4在审
发明人：陈太昌;梁杭伟;邢珍帅;吴娟;杨健 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2021-01-05 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，涉及太阳能电池技术领域。该工艺包括步骤：S1，将制绒后的硅片通入POCl3进行扩散处理，在硅表面得到附磷层；S2，通入800‑1200sccm氧气，在温度770‑790℃，压力90‑110mbar的条件下，使所述附磷层上形成氧化层；S3，提高S2的氧气量，使所述氧化层的厚度达到35‑45nm；S4，通入氮气进行吹扫，结束扩散，在硅片表面获得减小SE激光损伤的厚氧化层。本发明提供的减小SE激光损伤的厚氧化层扩散工艺，通过在硅表面得到附磷层之后，再在硅片附磷层表面形成一层40nm左右的致密性强的氧化层(SiO2)，达到减小激光重掺杂对硅片损伤的效果，从而解决了激光烧蚀区域形成死伤层导致电性能参数下降的问题。
一种减小 se 激光损伤氧化扩散工艺

[发明专利]一种太阳能电池的激光SE加工方法-CN202011479864.8在审
发明人：王道发;梁杭伟;杨江海;祁嘉铭;杨健 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2020-12-15 - 公布日： 2021-04-02 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种太阳能电池的激光SE加工方法，包括：对当前的激光图形进行划分得到第一图形和第二图形，所述第一图形对应于电池硅片的第一区域，所述第二图形对应于所述电池硅片的第二区域，采用第一激光功率在电池硅片的第一区域进行激光SE掺杂处理，以及采用第二激光功率在所述第二区域进行激光SE掺杂处理。本发明通过对电池硅片上的第一区域和第二区域进行分开处理，可使得重掺杂的各个区域的方阻差异缩小，提高各个区域的方阻的均匀性，具体有提升电池硅片的转换效率的优点。
一种太阳能电池激光 se 加工方法

[发明专利]可改善EL弧形黑斑的PERC电池的镀膜方法及PERC电池-CN202010864462.3在审
发明人：吴娟;梁杭伟;鲍亚平;吴含封;杨健 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2020-11-20 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了可改善EL弧形黑斑的PERC电池的镀膜方法及PERC电池，镀膜方法包括：将PERC半成品插入背钝化石墨舟中，并送入PECVD设备中；在所述PERC半成品上沉积AlOx薄膜；其中，沉积AlOx薄膜的工艺参数如下：PECVD设备炉管内的温度为260～320℃，压力为1500‑1700mTorr，TMA释放量为75～90％，N2O流量为3.0‑5.0slm，沉积时间为60～80s。本发明通过优化TMA释放量、N2O流量、沉积时间、沉积压力和炉管温度等参数，大大降低了PERC电池制造过程中出现的EL弧形黑斑的比例，提高了产品良率。
改善 el 弧形黑斑 perc 电池镀膜方法

[发明专利]太阳能电池及其制备方法和光伏组件-CN201810835543.3有效
发明人：赖海文;吴娟;宋海峰;李家兰;梁杭伟;叶雄新;孙小菩 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2018-07-26 - 公布日： 2020-09-08 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池及其制备方法和光伏组件。该太阳能电池的第二二氧化硅层、第一二氧化硅层及N层氮化硅层依次层叠在硅基底层上，且第二二氧化硅层的折射率大于第一二氧化硅层的折射率，自靠近第一二氧化硅层到远离第一二氧化硅层，N层氮化硅层的折射率依次减小，且N层氮化硅层中，最靠近第一二氧化硅层的一层氮化硅层的厚度最小。上述太阳能电池的转换效率较高且抗PID性能较好。
太阳能电池及其制备方法组件

[发明专利]太阳能电池片扩散方法-CN201710929587.8有效
发明人：肖川;宋海峰;刘冬平;梁杭伟;叶雄新 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2017-10-09 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池片扩散方法。一种太阳能电池片扩散方法，包括以下步骤：将太阳能电池片放入扩散炉中进行进舟处理；将所述太阳能电池片进行中低温稳定处理；将所述太阳能电池片进行中低温沉积处理；将所述太阳能电池片进行边升温边推进处理；将所述太阳能电池片进行高温沉积处理；将所述太阳能电池片进行高温推进处理；将所述太阳能电池片进行边降温边推进处理；将所述太阳能电池片进行退火吸杂处理；及将所述太阳能电池片进行中低温出舟处理。上述太阳能电池片扩散方法能提高电池转换效率及开路电压。
太阳能电池扩散方法

[发明专利]PERC太阳能电池的镀膜方法-CN202010103879.8在审
发明人：吴娟;梁杭伟;鲍亚平;李家兰 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司
申请日： 2020-02-20 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种PERC太阳能电池的镀膜方法，包括：对石墨舟进行预处理；将装载有硅片的预处理后的石墨舟置于PECVD炉管内，使用PECVD炉管对硅片背离石墨舟壁的一面沉积复合膜，硅片通过卡点固定在所述石墨舟上；其中，预处理的步骤包括在石墨舟表面形成碳化硅膜，以及在碳化硅膜表面形成氮化硅膜。本发明对硅片背面镀膜前先在石墨舟表面形成碳化硅膜、在碳化硅膜表面形成氮化硅膜，该碳化硅膜使得石墨舟壁表面具有较好的平坦度，能够使得在硅片背面镀氮化硅膜的步骤中形成的氮化硅膜均匀成膜。并且石墨舟表面镀上氮化硅膜后，能够缓解在硅片背面镀氮化硅膜的步骤中氮化硅镀到石墨舟和卡点上导致的硅片边角和卡点处出现的色差。
perc 太阳能电池镀膜方法

[发明专利]太阳能电池片及其制备方法和太阳能电池-CN201710597264.3有效
发明人：马金金;梁杭伟;方贵允;李家兰;曾宪日;祁嘉铭;叶雄新 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2017-07-20 - 公布日： 2020-06-12 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池片及其制备方法和太阳能电池。太阳能电池片的制备方法包括如下步骤：使用第一清洗液对制绒后的硅片进行清洗，其中，第一清洗液包括氧化剂和水，且第一清洗液中的氧化剂的体积百分含量为1.2％～2.1％；将清洗后的硅片依次进行扩散和蚀刻；使用第二清洗液对蚀刻后的硅片进行清洗，再形成电极，得到太阳能电池片，其中，第二清洗液包括氧化剂和水，且第二清洗液中的氧化剂的体积百分含量为1.2％～2.1％。上述制备方法得到的太阳能电池片具有较高的开路电压。
太阳能电池及其制备方法

[发明专利]太阳能电池及其制作方法-CN201910965983.5在审
发明人：王道发;梁杭伟;李家兰;王丹丹 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2019-10-11 - 公布日： 2020-01-31 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能电池及其制作方法。上述太阳能电池的制作方法包括如下步骤：提供具有第一表面及第二表面的硅片；在第一表面上形成背电极，背电极包括层叠在第一表面上的背铝层和层叠在背铝层的背银层；在第二表面上印刷形成栅线状的第一银层；在第一银层远离第二表面的一侧印刷形成栅线状的第二银层，且第二银层在第一银层上的正投影至少部分落在第一银层上；在第二银层远离第一银层的一侧印刷形成栅线状的第三银层，且第三银层在第二银层上的正投影至少部分落在第二银层上，得到副栅线电极；及在第二表面上形成主栅线电极，且主栅线电极部分覆盖副栅线电极。上述太阳能电池的制作方法能够使得到的太阳能电池的转换效率提高。
银层太阳能电池第二表面电极第一表面栅线状背电极副栅线正投影主栅线印刷铝层制作转换效率硅片覆盖

[发明专利]太阳能光伏组件及建筑幕墙-CN201710253868.6有效
发明人：李建;梁杭伟;叶雄新;彭华 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2017-04-18 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明涉及一种太阳能光伏组件及建筑幕墙，太阳能光伏组件包括第一玻璃基板、太阳能电池片层、第二玻璃基板、第三玻璃基板、隔离条以及接线盒。该太阳能光伏组件融合了光伏组件和中空玻璃优点，共用第一玻璃基板作为采光面，第二玻璃基板和第三玻璃基板还能够在中空腔中对从电池片之间的间隙漏过的光线进行二次或多次反射，使最终通过第三玻璃基板的光线充足，提高了光线利用率。采用该太阳能光伏组件组成的建筑幕墙，通过透过第三玻璃基板的光线保证室内具有一定的光照强度，从而减少照明设施。另外在光线较强的时候，由于电池片的遮挡，能有效缓解入射到室内的光线，从而可以减少降温设备的使用量。
太阳能组件建筑幕墙

[实用新型]太阳能电池的减反射膜生产设备、减反射膜及太阳能电池-CN201821215018.3有效
发明人：吴娟;赖海文;李家兰;梁杭伟;祁嘉铭;叶雄新 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2018-07-27 - 公布日： 2019-04-05 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种太阳能电池的减反射膜生产设备。该太阳能电池的减反射膜的生产设备包括：第一镀膜腔，用于在待镀膜硅片的表面镀制折射率为2.3～2.6的第一氮化硅层；第二镀膜腔，与第一镀膜腔连接，且用于在第一氮化硅层的表面镀制折射率为2.1～2.3的第二氮化硅层；第三镀膜腔，与第二镀膜腔连接，且用于在第二氮化硅层的表面镀制折射率为2.0～2.1的第三氮化硅层；与第一镀膜腔连通的第一气体混合器、与第二镀膜腔连通的第二气体混合器及与第三镀膜腔连通的第三气体混合器，以分别向第一镀膜腔、第二镀膜腔及第三镀膜腔通入混合均匀的气体。上述减反射膜生产设备能够制备具有较低色差的减反射膜。
镀膜腔减反射膜氮化硅层太阳能电池生产设备气体混合器表面镀折射率连通本实用新型镀膜硅片低色差制备

[发明专利]双玻太阳能光伏组件-CN201610613312.9有效
发明人：陈志穗;杨江海;梁杭伟;叶雄新;彭华 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2016-07-29 - 公布日： 2019-01-01 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明公开了一种双玻太阳能光伏组件，包括依次层叠的第一玻璃基板、第一封装层、太阳能电池片层、第二封装层以及第二玻璃基板；第一封装层的材料包括乙烯‑醋酸共聚物和分散在乙烯‑醋酸共聚物中的二氧化钛颗粒；第二封装层的材料包括乙烯‑醋酸共聚物和分散在乙烯‑醋酸共聚物中的抗氧化剂。这种双玻太阳能光伏组件的第一封装层的材料包括乙烯‑醋酸共聚物和分散在乙烯‑醋酸共聚物中的二氧化钛颗粒，第二封装层的材料包括乙烯‑醋酸共聚物和分散在乙烯‑醋酸共聚物中的抗氧化剂，从而能够保护太阳能电池片层中的电池删线不被氧化变色，提升了双玻太阳能光伏组件的抗蜗牛纹性能。
太阳能组件

[发明专利]太阳能电池片扩散方法-CN201710119930.2有效
发明人：肖川;梁杭伟;李家兰;叶雄新;彭华 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2017-03-01 - 公布日： 2018-07-27 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明提供一种太阳能电池片扩散方法。一种太阳能电池片扩散方法，包括以下步骤：将太阳能电池片放入扩散炉中进行进舟处理；将所述太阳能电池片进行中低温稳定处理；将所述太阳能电池片进行中低温沉积处理；将所述太阳能电池片进行边升温边推进处理；将所述太阳能电池片进行高温沉积处理；将所述太阳能电池片进行高温推进处理；将所述太阳能电池片进行边降温边推进处理；将所述太阳能电池片进行退火吸杂处理；及将所述太阳能电池片进行中低温出舟处理。上述太阳能电池片扩散方法能提高电池转换效率。
太阳能电池扩散方法

[发明专利]黑硅的制备方法-CN201610640897.3有效
发明人：马金金;梁杭伟;李家兰;肖川;叶雄新;彭华 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2018-06-15 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本发明公开了一种黑硅的制备方法，包括如下步骤：步骤一、提供待处理的硅片，并且在所述硅片表面进行酸制绒；步骤二、在步骤一得到的所述硅片表面形成纳微复合结构；步骤三、对步骤二得到的所述硅片进行第一次清洗；步骤四、对步骤三得到的所述硅片进行扩散处理；步骤五、对步骤四得到的所述硅片进行第二次清洗；以及步骤六、对步骤五得到的所述硅片进行热氧氧化处理，从而在所述硅片表面形成一层致密的二氧化硅层，得到黑硅。这种黑硅的制备方法对经过第二次清洗后的硅片进行热氧氧化处理，从而在硅片表面形成一层致密的二氧化硅层，从而对硅片的表面缺陷进行了改善,制得的黑硅的开路电压得到提高。 1
硅片黑硅硅片表面制备致密清洗二氧化硅层氧化处理热氧表面缺陷复合结构开路电压扩散处理酸制绒

[发明专利]抗PID电池片的制备方法及光伏组件-CN201610969074.5有效
发明人：吴娟;梁杭伟;李家兰;叶雄新;彭华 -专利权人：东莞南玻光伏科技有限公司;中国南玻集团股份有限公司
申请日： 2016-11-04 - 公布日： 2018-02-06 - 主分类号： H01L31/0216 文献下载
摘要：本发明涉及一种抗PID电池片的制备方法及光伏组件，该制备方法先将晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧形成第一SiO2薄膜，然后以含有N2O的气体作为反应气体在第一SiO2薄膜上沉积第二SiO2薄膜，然后在第一混合气体中沉积第一SiNx薄膜以及在第二混合气体中沉积第二SiNx薄膜。第二SiO2薄膜可以弥补初步氧化的不完全覆盖，增加SiO2膜层的厚度和致密性。第一SiNx薄膜与第二SiNx薄膜配合可以增强电池片表面对紫外短波部分的吸收。这种方法制备得到的电池片，膜层的致密性好，界面更加连续，抗PID性能较好。
pid 电池制备方法组件

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