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[发明专利]承载装置和半导体工艺设备-CN202311086936.6在审
发明人： 田西强;董涛;叶华;刘国杰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2023-08-28 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供一种承载装置和半导体工艺设备，该装置中，至少一个环形通道围绕承载面的轴线设置；第二匀气通道组环绕于环形通道的外围；多个第一连接通道位于环形通道所围空间中，且相对于承载面的轴线对称分布，每个第一连接通道的一端用作进气口，另一端与环形通道连通；环形通道与第二匀气通道组之间通过多个第二连接通道连通；并且，多个第二连接通道相对于承载面的轴线的周向间隔设置。本方案可以有效提高朝晶圆的边缘部分吹出的吹扫气体在周向上的分布均匀性，从而可以提高工艺均匀性。
承载装置半导体工艺设备

[发明专利]反应腔室-CN202210790450.X有效
发明人： 田西强;王冲;王磊 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-07-06 - 公布日： 2023-09-08 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供一种反应腔室，其包括腔体和设置在腔体中的基座，该基座具有承载待加工晶圆的承载部，以及环绕承载部设置的台阶部；沉积环具有与台阶部相搭接的搭接部，以及沿沉积环的轴向延伸的延伸部；延伸部内设置有冷却组件，用于对沉积环进行冷却；温控组件用于检测沉积环的温度，并根据温度控制冷却组件对沉积环进行冷却，从而能够减少沉积环在工艺过程中的热形变量，减少颗粒问题的发生。
反应

[发明专利]承载装置及半导体工艺设备-CN202210087821.8有效
发明人：王冲;田西强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种承载装置及半导体工艺设备，其中，承载装置包括：加热盘，用于承载并加热晶圆；冷却盘，用于对加热盘进行降温，冷却盘包括冷却主体部和边缘导热部，其中，冷却主体部与加热盘间隔设置，边缘导热部设置于冷却主体部的边缘且沿冷却主体部的周向延伸一周，边缘导热部与加热盘密封连接，以在冷却盘与加热盘之间形成隔离腔；第一管路，与隔离腔连通，用于选择性地向隔离腔通入第一流体介质，当第一管路向隔离腔通入第一流体介质时，第一流体介质在隔离腔内的流动能够辅助冷却盘对加热盘进行降温。上述承载装置适用于较高的工艺温度范围和较低的工艺温度范围，无需整体拆卸并更换承载装置，节省成本。
承载装置半导体工艺设备

[发明专利]半导体工艺设备及其承载装置-CN202210381543.7有效
发明人： 田西强;叶华;陈智勇;王冲;朱磊;刘国杰 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-04-12 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种半导体工艺设备的承载装置。该承载装置设置于工艺腔室内，包括：基座、承载件以及限位环结构；限位环结构套设于基座的外周，内周壁与基座的外周壁之间形成有吹气流道及第一匀流空间，第一匀流空间与吹气流道连通；承载件与基座相互叠置且位于基座的下方，并且承载件与基座之间设置有气流道结构；气流道结构通过连接流道与第一匀流空间连通；气流道结构用于将吹扫气体通过连接流道输送至第一匀流空间；第一匀流空间用于对吹扫气体进行匀流；吹气流道用于将匀流后的吹扫气体吹出，以对晶圆的底面及侧面进行吹扫。本申请实施例实现了边缘吹气对晶圆的底面及侧面气流场影响是一致的，从而大幅提高了工艺均匀性及工艺良率。
半导体工艺设备及其承载装置

[实用新型]承载装置和半导体工艺腔室-CN202222557846.8有效
发明人：董涛;田西强;叶华;刘国杰;王冲 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本实用新型提供一种承载装置，设置于半导体工艺腔室中，且用于承载待加工的晶圆，承载装置包括承载盘和设置在承载盘顶部的多个凸起部，凸起部用于支撑待加工的晶圆，承载盘的中心区域设置有多个气孔，多个气孔沿承载盘的周向均匀分布；承载盘的边缘区域还设置有环形气槽，各气孔与环形气槽之间通过多条导气槽连通，各导气槽在承载盘的顶部的投影呈轴对称分布。本实用新型提供的承载装置能够提高吸气时气体流速沿周向的均匀性，保证对晶圆的吸附效果，并提高晶圆温度沿周向的均匀性。本实用新型还提供一种半导体工艺腔室。
承载装置半导体工艺

[发明专利]基座组件及半导体加工设备-CN202010944393.7有效
发明人： 田西强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-09-09 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： C23C14/54 文献下载
摘要：本申请公开一种基座组件及半导体加工设备，所公开的基座组件用于在半导体加工设备中承载并加热待加工工件(100)，该基座组件包括承载部(300)和冷却模组，其中：承载部(300)的第一面承载待加工工件(100)，冷却模组包括第一冷却机构(400)和第二冷却机构(500)，第一冷却机构(400)和第二冷却机构(500)均与承载部(300)背离第一面的第二面导热相连；其中，第一冷却机构(400)的冷却能力和第二冷却机构(500)的冷却能力均可调。上述方案能够解决加热盘的外缘区域比中部区域温度高的问题。
基座组件半导体加工设备

[发明专利]加热器、半导体加工腔室及加工设备-CN201910853259.3有效
发明人： 田西强;史全宇 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-09-10 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请实施例提供了一种加热器、半导体加工腔室及设备。该加热器用于在腔室内对待加热件进行加热，加热器自上而下依次设置有：顶板、加热组件及底座；顶板用于承载待加热件；加热组件包括有匀热板，匀热板的顶面与顶板的底面贴合设置；匀热板上划分出第一匀热区及第二匀热区，第二匀热区位于第一匀热区的外周，且第二匀热区的热容量大于第一匀热区的热容量。本申请实施例的两个热区的热容量不同，且第二匀热区的热容量大于第一匀热区的热容量，从而可以有效提高本申请实施例的加热器表面温度的均匀性，进而可以提高晶圆的性能及良品率。因此本申请实施例能够降低成本提高经济效益，且具有巨大的经济价值。
加热器半导体加工设备

[发明专利]半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备-CN202011554924.8有效
发明人： 田西强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-12-24 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体工艺设备的工艺腔室及半导体工艺设备，其中，工艺腔室内设有可升降的基座，基座中设有多个支撑针；基座上设有多个贯穿基座上下表面的针孔，针孔的顶端设有密封凹槽，基座的下表面设有与多个针孔一一对应的挡环；支撑针的顶端设有密封头，密封头的形状与密封凹槽匹配，支撑针的底端设有定位块，定位块与挡环之间套设有处于压缩状态的弹性件，基座上升至工艺位时，密封头与密封凹槽密封配合；工艺腔室的底壁上设有定位板，定位板的上表面设有形状与定位块匹配的第一定位部，基座下降至传输位时，定位块与第一定位部定位配合，支撑针从基座上表面伸出。本发明可以减少支撑针的密封头与针孔密封凹槽处漏气，提升工艺效果。
半导体工艺设备工艺

[发明专利]半导体工艺腔室-CN202210741950.4在审
发明人：王冲;田西强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-06-28 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺腔室，包括腔体、基座、升降轴以及沿高度方向相对设置的第一磁性组件和第二磁性组件，基座、第一磁性组件和第二磁性组件设置在腔体中，腔体的底壁上形成有避让通孔，升降轴的顶端固定连接在基座的底部，升降轴的底端通过避让通孔穿出至腔体外部，第一磁性组件固定设置在基座的底部，第二磁性组件固定设置在腔体的底壁上，第二磁性组件用于选择性地与第一磁性组件相互作用以产生排斥磁力或吸引磁力，从而在磁力作用下带动基座上升或下降。本发明可以利用磁体之间的磁力作用带动基座上升和下降，且第一磁性组件和第二磁性组件均设置在腔体内部，无需占用狭小的机台下部空间，降低了安装维护难度，提高了机台维护效率。
半导体工艺

[发明专利]半导体工艺腔室及其上电极结构-CN202210452382.6在审
发明人：王磊;杨帆;田西强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2022-04-27 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： H01J37/34 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体工艺腔室及其上电极结构，上电极结构包括磁控管组件、发射组件、接收组件、靶材和信号处理装置；磁控管组件位于靶材上方；发射组件与接收组件对称设置在磁控管组件沿水平方向的两侧，且高度均与磁控管组件对应；发射组件用于向接收组件发射多束沿高度方向间隔设置的光线；接收组件用于接收光线以形成光信号，将光信号转换成电信号并发送给信号处理装置；信号处理装置用于根据电信号确定磁控管组件与靶材之间的靶磁间距。在本发明中，磁控管组件能够阻挡发射组件发出的对应高度范围内的光线，进而可根据接收组件接收到光线的情况实时确定磁控管组件的高度，提高确定磁控管组件位置的效率，并保证磁控管组件位置的精确性。
半导体工艺及其电极结构

[发明专利]反应腔室和半导体设备-CN201811354815.4有效
发明人：王磊;张超;耿波;罗建恒;赵康宁;邱国庆;田西强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2018-11-14 - 公布日： 2021-04-09 - 主分类号： C23C14/50 文献下载
摘要：公开了一种反应腔室和半导体设备，反应腔室包括：腔室主体；设置在腔室主体内的基座组件，所述基座组件包括金属加热盘以及用于接地的接地盘，金属加热盘具有用于承载基片的承载面；处理组件，包括围绕承载面的外沉积环，处理组件用于与基座组件配合形成工艺区域，其中，反应腔室还包括接地环，连接至外沉积环以及所述接地盘之间，用于在处理组件与基座组件配合形成工艺区域时提供外沉积环至接地盘的接地路径，可有效解决使用金属材质的加热盘时外沉积环放电而引发打火现象，有利于提高镀膜效果。
反应半导体设备

[发明专利]卡盘装置及半导体设备-CN201910438245.5在审
发明人：王磊;史全宇;叶华;田西强;赵康宁 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本发明提供一种卡盘装置及半导体设备，该卡盘装置包括由下而上依次设置的基座、底座以及用于承载被加工工件的卡盘，其中，所述基座与所述底座之间设置有隔热件；还包括短接结构；所述短接结构设置在所述底座和所述基座的外侧或者二者之间，且分别与所述底座和所述基座电接触；所述卡盘的下表面与所述底座的上表面相贴合。通过本发明，可添加射频电源并在实现射频功能的同时保证了工艺稳定性。
卡盘装置半导体设备

[发明专利]一种加热装置及半导体加工设备-CN202010454487.6在审
发明人： 田西强 -专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司
申请日： 2020-05-26 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： C23C16/46 文献下载
摘要：本发明公开一种加热装置及半导体加工设备，所公开的加热装置用于在半导体加工设备中承载并加热待加工工件，加热装置包括基部、加热本体、冷却机构和气道板，其中：气道板与加热本体之间形成第一气道，加热本体开设有第二气道，且第二气道的出口位于加热本体的加热面的边沿区域，第二气道与第一气道连通；基部设置于气道板背离加热本体的一侧，且基部与气道板形成安装空间，冷却机构设置于安装空间，冷却机构与气道板的外缘区域导热相连。上述方案能够解决晶圆的成膜均匀性较差的问题。
一种加热装置半导体加工设备

[发明专利]水下静密封锁紧机构-CN201410105287.4有效
发明人：苏锋;王立权;杨安;陈斌;马洪文;杨洪庆;刘冬冬;周凯;李维天;田西强 -专利权人：中国海洋石油总公司;海洋石油工程股份有限公司;哈尔滨工程大学
申请日： 2014-03-20 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： B63C11/52 文献下载
摘要：一种水下静密封锁紧机构，一基座、安装在基座上的水下控制壳体底板、安装在水下控制壳体底板上的水下控制壳体，其中，基座、水下控制壳体底板、水下控制壳体的中部设有相应的安装孔，一锁紧轴穿过并安装在该安装孔内，锁紧轴的上端与控制壳体上口连接处安装有一预紧头，水下控制壳体的上部安装有一壳体顶盖；锁紧轴的底部沿水下控制壳体底板向上依次安装有坐盘、锁紧螺纹套法兰盘、锁紧螺纹套、中间管，水下控制壳体上还安装有一密封装置。本发明结构紧凑，不仅更加方便水下机器人安装及拆卸；而且，有效地解决了3000米以下水深对于水下控制模块壳体与锁紧机构零件之间的密封；同时，进一步有效地降低了生产成本。
水下密封机构

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