[发明专利]半导体工艺腔室及其上电极结构在审

专利信息
申请号: 202210452382.6 申请日: 2022-04-27
公开(公告)号: CN114883171A 公开(公告)日: 2022-08-09
发明(设计)人: 王磊;杨帆;田西强 申请(专利权)人: 北京北方华创微电子装备有限公司
主分类号: H01J37/34 分类号: H01J37/34;H01L21/67
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 彭瑞欣;王婷
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供一种半导体工艺腔室及其上电极结构,上电极结构包括磁控管组件、发射组件、接收组件、靶材和信号处理装置;磁控管组件位于靶材上方;发射组件与接收组件对称设置在磁控管组件沿水平方向的两侧,且高度均与磁控管组件对应;发射组件用于向接收组件发射多束沿高度方向间隔设置的光线;接收组件用于接收光线以形成光信号,将光信号转换成电信号并发送给信号处理装置;信号处理装置用于根据电信号确定磁控管组件与靶材之间的靶磁间距。在本发明中,磁控管组件能够阻挡发射组件发出的对应高度范围内的光线,进而可根据接收组件接收到光线的情况实时确定磁控管组件的高度,提高确定磁控管组件位置的效率,并保证磁控管组件位置的精确性。
搜索关键词: 半导体 工艺 及其 电极 结构
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