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[发明专利]监控源漏多晶和管侧墙间寄生电容的测试结构及制造方法-CN201110394479.8有效
发明人：周正良;潘嘉 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-12-02 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明公开了一种监控源漏多晶和管侧墙间寄生电容的测试结构，包括栅极、栅极侧墙和源漏多晶硅，所述栅极包括栅氧层和位于栅氧层上方的栅极多晶硅，栅极侧墙形成于栅极的两侧，源漏多晶硅形成于栅极侧墙的外侧，栅极、栅极侧墙和源漏多晶硅均位于氧化硅浅槽隔离上方。本发明还公开所述测试结构的制造方法及一种多指结构的测试结构。本发明针对锗硅BiCMOS工艺中的自对准CMOS管，可以有效监控栅极多晶硅通过管侧墙和源漏多晶硅间的寄生电容的大小；测试结构完全建立在浅槽氧化硅隔离上，源漏多晶硅的下部是氧化硅，通过源漏多晶硅和栅极多晶硅底部产生的额外寄生电容可以忽略，所测电容单一来自源漏多晶硅-CMOS侧墙-栅极多晶硅的寄生电容。
监控多晶管侧墙间寄生电容测试结构制造方法

[发明专利]自对准双极晶体管及其制造方法-CN201110389000.1有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛恺;周克然;潘嘉;李昊;蔡莹;陈曦 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准双极晶体管，通过发射区窗口介质层定义出发射区窗口和外基区自对准注入区，能实现发射区和外基区之间的良好对准；发射区由形成于发射区窗口中的多晶硅和发射区窗口介质层的上层多晶硅膜组成，能使发射区窗口做的很小，从而能减少器件尺寸，并能减少发射区和外基区的耦合区域、从而能降低发射区和基区间的寄生电容，最后能提高器件的频率特性和性能。本发明还公开了一种自对准双极晶体管的制造方法，外基区注入为自对准注入，从而能够节省形成外基区的光刻层，降低工艺成本；形成发射区时对发射极多晶硅进行的回刻为全面回刻，也能节省一层光刻掩模板，降低工艺成本和复杂度。
对准双极晶体管及其制造方法

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管及制造方法-CN201110388997.9有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛恺;周克然;潘嘉;李昊;蔡莹;陈曦 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-30 - 公布日： 2013-06-05 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，在外基区中包括有以发射区的外侧边缘为自对准边界的自对准注入的锗或碳杂质以及P型杂质。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明通过在外基区中注入锗或碳杂质，能减少外基区的P型杂质的横向扩散，从而能减少外基区的宽度，提高器件的最大振荡频率。
锗硅异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]寄生横向型PNP器件及制造方法-CN201110363181.0有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛恺;周克然;潘嘉;李昊;蔡莹;陈曦 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种寄生横向型PNP器件，由形成于相邻的两个有源区中的N型注入层组成基区，由基区的两个有源区之间的浅槽场氧底部形成的P型掺杂的多晶硅赝埋层组成发射区，由基区的两个有源区两侧的浅槽场氧底部形成的P型掺杂的多晶硅赝埋层组成集电区。最后形成的器件的结构为C-B-E-B-C，该结构能将器件的基区的电流通路变成直线型，能提升器件的电流能力，使器件的电流增益和频率特征都得到显著的改善；还能减少器件的面积，提高电流密度。多晶硅赝埋层能降低发射极和集电极的连接电阻且使阻值均匀，能较大的提高器件的截止频率。本发明还公开了一种寄生横向型PNP器件的制造方法。
寄生横向 pnp 器件制造方法

[发明专利]自对准双极晶体管及其制作方法-CN201110363863.1有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛恺;周克然;潘嘉;李昊;蔡莹;陈曦 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种自对准双极晶体管，通过发射区窗口介质层定义出发射区窗口和外基区自对准注入区，能实现发射区和外基区之间的良好对准；发射区仅由形成于发射区窗口中的多晶硅组成，能减少发射区和外基区的耦合区域、从而能降低发射区和基区间的寄生电容，最后能提高器件的频率特性和性能。本发明还公开了一种自对准双极晶体管的制作方法，外基区注入为自对准注入，从而能够节省形成外基区的光刻层，降低工艺成本；形成发射区时对发射极多晶硅进行的回刻为全面回刻，也能节省一层光刻掩模板，降低工艺成本和复杂度。
对准双极晶体管及其制作方法

[发明专利]锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管及制作方法-CN201110363892.8有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛恺;周克然;潘嘉;李昊;蔡莹;陈曦 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-16 - 公布日： 2013-05-22 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管，通过采用具有正梯形形状的锗硅生长前定义窗口，能使发射区的锗硅层为多晶结构，从而能提高发射区的掺杂浓度，提高器件的发射效率以及器件的放大系数和增加器件的截止频率。本发明采用了先进的深孔接触工艺和P型赝埋层的工艺，且基区采用侧向连出的结构，能极大地节省有源区的面积，改善器件的寄生效应，减小器件集电极电阻，提高器件的性能。有源区的宽度能够做到0.3微米至0.4微米之间，能使得器件的寄生NPN的放大系数降低。本发明还公开了一种锗硅HBT工艺中垂直寄生型PNP三极管的制作方法，能和锗硅HBT工艺中的NPN三极管的工艺集成，并降低生产成本。
锗硅 hbt 工艺垂直寄生 pnp 三极管制作方法

[发明专利]与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管的制造方法-CN201110353240.6有效
发明人：陈帆;陈雄斌;潘嘉;周克然;薛恺 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-09 - 公布日： 2013-05-15 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管的制造方法，包括步骤：在PNP区域的N型基区的离子注入完成后，利用P型阱光刻掩膜进行硅离子注入，使PNP三极管的基区的硅表面的晶格结构被破坏。在NPN区域的N型集电区形成后，在NPN区域和PNP区域同时采用外延生长工艺形成锗硅层。本发明方法通过对PNP区域的基区的硅表面进行硅离子注入，能使PNP区域的基区的硅表面变成非晶结构，从而能使后续在PNP区域通过外延生长形成的锗硅层为多晶结构，这样就有利于在后续对PNP三极管进行发射区的离子注入时离子能够扩散到整个发射区的锗硅层中，从而能提高PNP三极管的发射区的掺杂浓度，提高器件的发射效率以及器件的放大系统，并能增加器件的截止频率。
锗硅异质结 npn 三极管集成 pnp 制造方法

[发明专利]BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件及其制造方法-CN201110326338.2有效
发明人：陈帆;陈曦;周正良;陈雄斌;潘嘉;李昊;薛凯;周克然;蔡莹 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本发明公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件，包括：集电区、基区、发射区以及赝埋层。赝埋层形成于集电区两侧的浅槽场氧底部并横向延伸进入有源区并和集电区形成接触，通过在赝埋层顶部的浅槽场氧中形成的深孔接触引出集电极。发射区由形成于基区上部的P型多晶硅组成、且发射区位于偏离有源区中心的一侧。基区的金属接触位于有源区的另一侧。本发明还公开了一种BiCMOS工艺中的垂直寄生型PNP器件的制造方法。本发明器件能用作高速、高增益BiCMOS电路中的输出器件，为电路提供多一种器件选择，能有效地缩小器件面积、减小PNP管的集电极电阻、提高器件的性能。本发明方法无须额外的工艺条件，能够降低生产成本。
bicmos 工艺中的垂直寄生 pnp 器件及其制造方法

[发明专利]双极晶体管器件及制造方法-CN201110326334.4有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李昊;王永成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种双极晶体管器件，包括：集电区、基区和发射区，还包括场板，场板呈一侧墙结构覆盖于有源区的侧面从而能从侧面覆盖集电区，场板的平面和有源区的侧面平行、场板和有源区的侧面间隔离一衬垫氧化层、场板的顶部高度低于有源区表面。本发明还公开了一种双极晶体管器件的制造方法。本发明能使集电结的电场强度平坦、降低集电结的峰值电场强度，从而能在不增加集电区的电阻、不降低器件的频率特性的条件下提高器件的击穿电压。
双极晶体管器件制造方法

[发明专利]垂直寄生型PNP三极管及制造方法-CN201110326331.0有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李昊;蔡莹;陈曦 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直寄生型PNP三极管，在有源区周侧的浅槽场氧底部形成有一槽，在槽中填充有多晶硅，由填充于槽中的多晶硅形成多晶硅赝埋层，在多晶硅赝埋层中掺入有P型杂质，P型杂质还扩散至多晶硅赝埋层周侧的硅衬底中形成第一P型掺杂区，由多晶硅赝埋层和第一P型掺杂区组成集电极连接层，集电极连接层和集电区在浅槽场氧的底部相接触；由在多晶硅赝埋层顶部的浅槽场氧中形成有深孔接触并引出集电极。本发明还公开了一种垂直寄生型PNP三极管的制造方法。本发明能提高集电极连接层的厚度、使其杂质分布均匀，能降低集电极连接层电阻和接触电阻且使阻值均匀，从而能提高器件的截止频率。
垂直寄生 pnp 三极管制造方法

[发明专利]与锗硅异质结NPN 三极管集成的PNP三极管-CN201110326307.7有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李昊;王永成 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/73 文献下载
摘要：本发明公开了一种与锗硅异质结NPN三极管集成的PNP三极管。本发明通过在有源区的侧面上形成有基区引出区来引出基区，能避免在有源区的顶部形成多晶硅来引出基区，从而能不需要改变锗硅异质结NPN三极管的制作工艺就能实现PNP三极管和锗硅异质结NPN三极管的集成，能避免对锗硅异质结NPN三极管的制作产生影响，能保证不增加锗硅异质结NPN三极管的制作成本和不降低锗硅异质结NPN三极管的良率。
锗硅异质结 npn 三极管集成 pnp

[发明专利]锗硅HBT器件及制造方法-CN201110326312.8有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李昊 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅HBT，在有源区周侧的浅沟槽由上下相连的第一浅沟槽和第二浅沟槽组成，第二浅沟槽位于第一浅沟槽的底部、且第二浅沟槽的宽度小于第一浅沟槽的宽度，在第二浅沟槽的底部和侧部的硅衬底中形成有由第一N型离子注入区组成的赝埋层；赝埋层和集电区在第二浅沟槽的底部和侧部相接触并作为集电极连接层；在赝埋层顶部的浅槽场氧中形成有深孔接触，深孔接触和赝埋层接触并引出集电极。本发明还公开了一种锗硅HBT的制造方法。本发明能提高集电极连接层的厚度、使其杂质分布均匀，能降低集电极连接层电阻和接触电阻且使阻值均匀，从而能提高锗硅HBT的截止频率。
锗硅 hbt 器件制造方法

[发明专利]锗硅异质结双极晶体管及制造方法-CN201110326327.4有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李昊 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种锗硅异质结双极晶体管，在有源区周侧的浅槽场氧底部形成有一槽，在槽中填充有多晶硅，由填充于槽中的多晶硅形成多晶硅赝埋层，在多晶硅赝埋层中掺入有N型杂质，N型杂质还扩散至多晶硅赝埋层周侧的硅衬底中形成第一N型掺杂区，由多晶硅赝埋层和第一N型掺杂区组成集电极连接层，集电极连接层和集电区在浅槽场氧的底部相接触；由在多晶硅赝埋层顶部的浅槽场氧中形成有深孔接触并引出集电极。本发明还公开了一种锗硅异质结双极晶体管的制造方法。本发明能提高集电极连接层的厚度、使其杂质分布均匀，能降低集电极连接层电阻和接触电阻且使阻值均匀，从而能提高SiGe HBT的截止频率。
锗硅异质结双极晶体管制造方法

[发明专利]半自对准双极晶体管及其制作方法-CN201110326296.2有效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李昊;蔡莹;陈曦 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-24 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L29/737 文献下载
摘要：本发明公开了一种半自对准双极晶体管，外基区上下都形成有掺硼的氧化膜，并通过氧化膜中的硼扩散来实现外基区的掺杂，能保证外基区的较高掺杂浓度。发射区仅由形成于发射区窗口中的多晶硅组成，能减少发射区和外基区的耦合区域、降低发射区和基区间的寄生电容，还能使外基区的宽度在工艺能力的范围内做到最小，使外基区的寄生电阻降低，从而能提高器件的频率特性和性能。本发明还公开了一种半自对准双极晶体管的制作方法，不需采用离子注入工艺对外基区进行掺杂，能减少光刻掩模板和离子注入的成本。对发射区的全面回刻和不需要制作发射区的侧墙，能节省光刻掩模板，降低工艺成本和复杂度。
对准双极晶体管及其制作方法

[发明专利]穿透硅的通孔填充钨塞的工艺方法-CN201110317237.9无效
发明人：陈帆;陈雄斌;薛凯;周克然;潘嘉;李浩 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-10-18 - 公布日： 2013-04-24 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开了一种穿透硅的通孔填充钨塞的工艺方法，包括步骤：在形成有绝缘层的硅衬底上形成接触孔和穿透硅的通孔；淀积第一衬垫层；淀积第一层钨并将接触孔完全填充；进行第一次回刻并停留在第一衬垫层上；淀积第二衬垫层；淀积第二层钨，进行第二次回刻并停留在第二衬垫层上；重复步骤六直至穿透硅的通孔被钨完全填满；采用化学机械研磨工艺将绝缘层表面的钨、第一衬垫层和第二衬垫层全部去除。本发明方法能实现穿透硅的通孔和接触孔的一并填充，不需要为常规的接触孔多进行一次钨的填充，从而能使工艺简化并降低工艺成本。
穿透填充工艺方法