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[发明专利]非易失性存储器件和控制方法-CN201980002808.4有效
发明人：贾建权;崔莹;游开开 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-22 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：公开了非易失性存储器件和控制方法。所述非易失性存储器件包括存储阵列、位线、多条字线、第一控制电路和第二控制电路。所述位线连接至存储阵列的第一存储串。所述多条字线连接至第一存储串的存储单元，每条字线连接至相应的存储单元。第一控制电路被配置为在预充电时间段期间向所述位线施加位线预脉冲信号。第二控制电路被配置为向被选择字线施加字线信号，并且向设置在选择栅极线和被选择字线之间的字线施加多个字线预脉冲信号。所述多个字线预脉冲信号的电压电平是递增的。
非易失性存储器控制方法

[发明专利]3D存储器件的编程方法-CN202110099637.0在审
发明人：魏文喆;游开开;贾建权;刘红涛;曾洋 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-25 - 公布日： 2021-05-18 - 主分类号： G11C5/14 文献下载
摘要：本申请公开了一种3D存储器件的编程方法，包括：在预充电阶段，经由位线提供预充电压以提高多个存储晶体管的沟道区电压；以及在编程阶段，在多个存储晶体管中的选定存储晶体管的栅极导体上施加编程电压以写入数据，在多个存储晶体管中的未选定存储晶体管的栅极导体上施加导通电压以减小编程干扰，其中，多个存储晶体管中的未选定存储晶体管包括与选定存储晶体管紧邻的第一组存储晶体管，在预充电阶段，在第一组存储晶体管的栅极导体上施加预充电偏置电压以减小沟道区的电子浓度。该编程方法可以抑制选定存储晶体管的编程电压对未选定存储晶体管的编程干扰。
存储器件编程方法

[发明专利]具有降低的阈值电压偏移的三维存储器器件编程-CN202180000115.9在审
发明人：宋雅丽;赵向南;闵园园;游开开 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种三维(3D)存储器器件，可以包括第一组存储器层、在第一组存储器层上方的第二组存储器层、以及在第一组存储器层与第二组存储器层之间的第一虚设存储器层。3D存储器器件还可以包括NAND存储器串，其均延伸穿过第一组存储器层、第二组存储器层和第一虚设存储器层。3D存储器器件还可以包括外围电路，其被配置为循序地对第一组存储器层中的每一个存储器层进行编程，并且然后循序地对第二组存储器层中的每一个存储器层进行编程。外围电路可以包括字线(WL)驱动电路，其被配置为：在对第一组存储器层中的第一存储器层进行编程时，在与第一存储器层相关联的预充电周期期间，将第一预充电电压施加到第一虚设存储器层；以及在对第一组存储器层中的位于第一存储器层上方的第二存储器层进行编程时，在与第二存储器层相关联的预充电周期期间，将第二预充电电压施加到第一虚设存储器层。第一预充电电压可以大于第二预充电电压。
具有降低阈值电压偏移三维存储器器件编程

[发明专利]具有降低的干扰的三维存储器器件编程-CN202180000130.3在审
发明人：宋雅丽;赵向南;闵园园;贾建权;游开开 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2021-01-04 - 公布日： 2021-05-07 - 主分类号： G11C16/04 文献下载
摘要：一种3D存储器器件可以包括第一组存储器层、在第一组存储器层上方的第二组存储器层、以及在第一存储器层与第二存储器层之间的第一虚设存储器层。该3D存储器器件可以包括多个NAND存储器串，多个NAND存储器串均延伸穿过第一组存储器层、第二组存储器层和第一虚设存储器层。该3D存储器器件可以包括字线(WL)驱动电路，在对第一组存储器层中的一个进行编程时，该WL驱动电路可以被配置为在预充电周期期间，将第二预充电电压施加到第一虚设存储器层。第二预充电电压可以与第一预充电电压重叠，并且在第一预充电电压之前坡降。
具有降低干扰三维存储器器件编程

[发明专利]减少存储器件中编程干扰的方法及利用该方法的存储器件-CN201980003569.4有效
发明人：李姗;游开开;崔莹;贾建权;李楷威;张安 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： G11C16/34 文献下载
摘要：一种存储器件，包括：顶部选择单元、顶部虚设单元和存储单元串。所述顶部选择单元具有耦合到位线的第一端子以及耦合到顶部选择线的控制端子。所述顶部虚设单元具有耦合到顶部虚设字线的控制端子。所述存储单元串具有耦合到相应字线的控制端子。操作所述存储器件的方法包括：在编程操作之前，在向所述字线施加低电压的同时，向所述顶部虚设字线、所述顶部选择线和所述位线施加预脉冲电压，并且然后在向所述字线施加所述低电压的同时，向所述顶部虚设字线、所述顶部选择线和所述位线顺序地施加所述低电压。
减少存储器件编程干扰方法利用

[发明专利]非易失性存储器件和控制方法-CN201980003393.2有效
发明人：贾建权;游开开;崔莹;李楷威;宋雅丽;李姗;张安 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-31 - 公布日： 2021-02-02 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：公开了非易失性存储器件。该非易失性存储器件包括存储阵列、多个字线、多个虚设字线、第一控制电路和第二控制电路。所述多个字线是连接到存储阵列的存储串的多个顶部存储单元和多个底部存储单元的。所述多个虚设字线是连接到在所述多个顶部存储单元和所述多个底部存储单元之间连接的多个虚设存储单元的。第一控制电路被配置为在预充电时段期间，将位线预脉冲信号应用于位线。第二控制电路被配置为将选定的字线信号应用于选定的字线，将未选定的字线信号应用于未选定的字线，以及将负预脉冲信号应用于所述多个虚设字线。
非易失性存储器控制方法

[发明专利]对存储器件进行编程的方法及相关存储器件-CN201980002546.1有效
发明人：崔莹;贾建权;游开开 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-12 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G11C16/08 文献下载
摘要：当对包括耦合到多个字线和多个位线的多个存储单元的存储器件进行编程时，对多个字线中的两个相邻的第一和第二字线执行粗略编程。接下来，在对第一字线和第二字线执行粗略编程之后的第一时段期间，对多个位线中的未选择的位线进行预充电。另外，在第一时段的开始时导通未选择的位线和第二字线之间的沟道，并且在第一时段的结束之前关断该沟道。然后，在第一时段之后的第二时段期间，对第一字线执行精细编程。
存储器件进行编程方法相关

[发明专利]对存储器件进行编程的方法及相关存储器件-CN201980002588.5有效
发明人：魏文喆;刘红涛;游开开;李达;黄莹;王明;宋雅丽;黄德佳 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：在包括形成于衬底中的多个存储单元、顶部虚设储存区、底部虚设储存区、多个字线和多个位线的存储器件中，在第一时段期间，对所述多个位线中的选择的位线、所述衬底中的沟道区和所述衬底中的源极区进行预充电，并且在所述第一时段期间，向所述底部虚设储存区施加负预脉冲电压。在所述第一时段之后的第二时段期间，对所述多个存储单元中的选择的存储单元进行编程，其中，所述选择的存储单元被耦合到所述选择的位线和所述多个字线中的选择的字线。
存储器件进行编程方法相关

[发明专利]执行编程操作的方法及相关的存储器件-CN201980003400.9有效
发明人：贾信磊;李姗;李楷威;贾建权;靳磊;游开开;崔莹;宋雅丽;候伟;王治煜;刘红涛 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2019-11-13 - 公布日： 2021-01-29 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：公开了一种对三维(3D)NAND存储器件执行编程操作的方法。该方法使得能够去除在预充电阶段期间在3D NAND存储器件的未选定串的中间虚设存储单元的储存区域中俘获的残余电子，从而减小对与未选定串相邻的选定串的编程干扰。
执行编程操作方法相关存储器件

[发明专利]对3D存储器件进行编程的方法及相关3D存储器件-CN202080000292.2在审
发明人：杨学鹏;游开开 -专利权人：长江存储科技有限责任公司
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： G11C16/10 文献下载
摘要：在包括堆叠在第二沟道上的第一沟道的沟道堆叠存储器件中，按照从底部到顶部的方向对第一沟道进行编程并且按照从顶部到底部的方向对第二沟道进行编程。第一沟道中的电子可以由位线汲取，而第二沟道中的电子则可以由阱区汲取。
存储器件进行编程方法相关

[发明专利]含有Pd量子点修饰的氧化钼纳米纤维纸制备方法-CN201610962926.8有效
发明人：胡永明;游开开;罗显涛;王钊;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2018-06-29 - 主分类号： C01G39/02 文献下载
摘要：本发明公开含有Pd量子点修饰的氧化钼纳米纤维纸制备方法，专用于制作常温下具有快速响应能力的高性能氢气传感器中的氢敏元件，是基于《一种氧化钼纳米纤维纸及其制备方法》（CN104909407B）的改进，其特征在于步骤（5）的搅拌悬浮液D过程中，均匀的向悬浮液D中加入0.013～0.034重量份的Pd量子点，利用该纳米纤维纸线制作氢气传感器的氢敏元件时，在相对较低氢气浓度环境中，初始电阻更小，传感器响应时间和恢复时间都变得更短、灵敏度高，常温下性能稳定且可重复利用，集成化的氢敏元件还可方便的集成在各种柔性电路中。本发明制备方法工艺简单、耗能低、制作过程无污染。
氧化钼纳米氢敏元件量子点氢气传感器纤维纸制常温下悬浮液修饰制备方法工艺传感器响应纳米纤维纸初始电阻快速响应浓度环境柔性电路制作过程氢气灵敏度集成化可重复纤维纸重量份耗能制备制作改进恢复

[实用新型]一种氧化钼纳米纤维纸质氢敏元件-CN201520890931.3有效
发明人：胡永明;罗显涛;游开开;王钊;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-04-06 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本实用新型公开一种氧化钼纳米纤维纸质氢敏元件，包括氧化钼纳米纤维纸和导电电极，所述氧化钼纳米纤维纸由水热法制备得到，单根氧化钼纳米带长度可达500um以上；所述导电电极是在所述氧化钼纳米纤维纸的单侧表面覆盖设定尺寸金属掩膜版后，再在真空磁控溅射设备内溅射加工出金属Pt/Pd纳米颗粒阵列形成的导电电极，所述电极分别与外部封装引线连接，成为氢气传感器成品。所述氢气传感器可在常温下工作，功耗低于0.5W，响应和恢复时间短、灵敏度高，性能稳定，所述氢敏元件还可方便的集成在各种多路传感器中。
一种氧化钼纳米纤维纸质元件

[发明专利]一种氧化钼纳米纤维纸氢气传感器的制备方法-CN201510760530.0在审
发明人：胡永明;罗显涛;游开开;王钊;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2015-11-10 - 公布日： 2016-02-17 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种氧化钼纳米纤维纸氢气传感器的制备方法，是在基于专利《一种氧化钼纳米纤维纸及其制备方法》（201510308204.6）制得的氧化钼纳米纤维纸的一侧面溅射金属Pt/Pd纳米颗粒阵列方法，包括：在氧化钼纳米纤维纸上覆盖金属掩膜版，再在磁控真空溅射设备内溅射Pt/Pd纳米颗粒阵列构成电极，将溅射后的纳米纤维纸从中间切断即成为二个性能相同的氢敏元件，将氢敏元件封装到IC基座中即为氢气传感器成品。不同材质纳米颗粒、不同溅射时间及溅射功率，可制得不同响应和恢复时间的传感器。所述传感器制造工艺简单、耗能低、成本低，能在常温下工作，响应和恢复时间短、灵敏度高，稳定性好，寿命长且能重复利用，所述氢敏元件还便于集成在各种多路传感器中。
一种氧化钼纳米纤维氢气传感器制备方法

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