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[发明专利]防探针探测的开关电容PUF电路的布局方法-CN201910078051.9有效
发明人：张寅;万美琳;章珍珍;贺章擎;张志文;卢仕;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： G06F21/73 文献下载
摘要：本发明公开一种防探针探测的开关电容PUF电路的布局方法，开关电容PUF所采样的电容仅采用由构成容性防护层的上层金属、下层金属及之间的绝缘层构成的寄生电容，不包括固定电容；然后采用输入输出无反馈通路的模拟放大/比较器对开关电容的输出电压差值进行放大，得到最终输出秘钥。同时，不再采用长度较长的金属线网保护芯片的敏感区域，而是用多个较短的金属线或者面积较小的金属块作为开关电容PUF采样电容的极板，并覆盖敏感区域，通过减小采样电容的面积，以同时防止同层及不同层的破坏+重建+探测攻击，增加金属容性防护层的探针探测灵敏度。
探针探测开关电容 puf 电路布局方法

[发明专利]一种基于Pt修饰的MoO3-CN201810861830.1有效
发明人：王钊;付星星;肖绪锋;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2018-08-01 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于Pt修饰的MoO3纳米线传感器及其制作方法，属于无机纳米功能材料技术领域，本发明采用水热合成、自组装技术、超长时间处理,使MoO3纳米线结晶度更好，使自组装更易发生；然后采用化学还原的方式将Pt纳米颗粒均匀地修饰在MoO3纳米线上，从而增强了MoO3纳米线对甲醛的高选择性的超快响应，可用于室温下甲醛气体的检测，检测灵敏度高，能够探测浓度低至10ppm甲醛气体，且对甲醛的响应速度远远高于同类型的甲醛传感器，能够实现常温下的超快响应。
一种基于 pt 修饰 moo base sub

[发明专利]基于衬底耦合容性PUF的芯片防半侵入式攻击方法-CN202010709482.3有效
发明人：万美琳;彭定洋;张寅;贺章擎;彭旷;胡永明;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明公开基于衬底耦合容性PUF的芯片防半侵入式攻击方法，所述方法是先在芯片衬底下方引入金属层对光子和电磁信号进行有效屏蔽；再采用芯片内部基于衬底‑氧化层‑金属层电容耦合脉冲失配检测的衬底耦合容性PUF实时检测芯片下方金属层的完整性；衬底耦合容性PUF结构包括:由衬底‑氧化层‑金属层构成电容、由P+扩散区构成的衬底电压检测点、采样放大电路，金属层是铜、铝或导电的光、电磁屏蔽层，采样放大电路用于检测不同位置衬底电压检测点的耦合电压大小并输出设定的PUF；本发明可防止金属层被破坏，不额外引入新的工艺流程，完全与CMOS工艺兼容，具有完备的半侵入式攻击防护，可有效提升安全芯片的半侵入式攻击防护以及整个芯片的硬件安全性防护能力。
基于衬底耦合 puf 芯片侵入攻击方法

[发明专利]一种基于复合型柔性材料的湿度压力传感器及其制备方法-CN202310062076.6有效
发明人：熊娟;周瑞;顾豪爽;张名锐;彭泽楠 -专利权人：湖北大学
申请日： 2023-01-19 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： C08J9/42 文献下载
摘要：本发明提出了一种基于复合型柔性材料的湿度压力传感器及其制备方法，该复合型柔性材料是以明胶颗粒为填充粒子，首先通过成膜‑溶解‑浸出的方法得到多孔结构的聚二甲基硅氧烷（PDMS）柔性基底，将聚(3,4‑亚乙基二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐（PEDOT:PSS）及聚苯胺（PANI）作为导电材料引入PDMS多孔结构中，获得复合型多孔的PEDOT:PSS/PANI/PDMS的柔性材料，并基于该柔性材料制备得到一种湿度压力传感器，该柔性材料制备工艺简单，无需半导体生产工艺，成本低；该传感器可实现两个物理量湿度和压力的检测，不需要设计多种敏感结构或测试单元，且灵敏度高、响应速度快。
一种基于复合型柔性材料湿度压力传感器及其制备方法

[发明专利]一种自适应的小数频率合成器毛刺移除系统及方法-CN201911326076.2有效
发明人：王德志;卢福剑;马田玉;胡永明;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-12-20 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03L7/099 文献下载
摘要：本发明属于数模混合集成电路电子电路技术领域，公开了一种自适应的小数频率合成器毛刺移除系统及方法，自适应的小数频率合成器毛刺移除系统包括鉴频鉴相器PFD、锁定检测器LD、固定宽度固定位置可变周期脉冲发生器FFVPG、可变幅度电荷泵VACP、环路滤波器LF、压控振荡器VCO、多模分频器MMD、Delta‑Sigma调制器DSM。本发明使小数频率合成器的环路电流脉冲不仅具有固定位置、固定宽带和可变幅度，而且在瞬态时的周期为TREF，在锁定时的周期为N倍TREF，用于移除脉冲位置调制效应和脉冲宽度调制效应，根除参考毛刺和减小分数毛刺。
一种自适应小数频率合成器毛刺系统方法

[发明专利]一种PVDF基压电薄膜及其制备方法和应用、一种PVDF基柔性复合压电器件-CN202310138761.2在审
发明人：熊娟;赵梓帆;张名锐;顾豪爽;彭泽楠;厉龙晨;陈子康 -专利权人：湖北大学
申请日： 2023-02-21 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H10N30/85 文献下载
摘要：本发明属于压电式压力传感器技术领域，具体涉及一种PVDF基压电薄膜及其制备方法和应用、一种PVDF基柔性复合压电器件。本发明提供的PVDF基压电薄膜包括PVDF纤维基膜以及掺杂于所述PVDF纤维基膜中的(BA)2CsPb2Br7；所述PVDF纤维基膜包括PVDF和固定PVDF的固化剂。本发明提供的PVDF基压电薄膜具有较高的输出电压和灵敏度。
一种 pvdf 压电薄膜及其制备方法应用柔性复合器件

[发明专利]一种掺杂被修饰的液态金属颗粒的PVDF-TrFE复合膜及制备方法及应用-CN202211153124.4有效
发明人：熊娟;顾豪爽;曾实;张名锐;刘荆堰;周瑞 -专利权人：湖北大学;武汉海珈科技有限公司
申请日： 2022-09-21 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： C08L27/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种掺杂被修饰的液态金属颗粒的PVDF‑TrFE复合膜及制备方法及应用，柔性纳米发电机包括PVDF‑TrFE复合膜和在其上下表面依次设置的电极层和绝缘层，制备方法包括：(1)制备有机分子A修饰的液态金属粉末，将液态金属粉末先用有机溶剂A以超声处理，干燥后得到粉末状产物，(2)制备PVDF‑TrFE复合膜，将干燥状粉末加入到PVDF‑TrFE和DMF的混合凝胶溶液中，通过超声磁力搅拌处理使得PVDF‑TrFE完全溶解，真空干燥得到薄膜材料，(3)制备柔性纳米发电机，在步骤(2)的薄膜上下表面均设置电极层和绝缘层。该方法制备的柔性纳米发电机具有优良的电输出性能。
一种掺杂修饰液态金属颗粒 pvdf trfe 复合制备方法应用

[发明专利]一种钙钛矿薄膜、钙钛矿LED器件及其制备方法-CN202110455751.2有效
发明人：张翔晖;沈杰;胡永明;顾豪爽;吴子田 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-04-26 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种钙钛矿薄膜、钙钛矿LED器件及其制备方法，该钙钛矿薄膜的制备方法，包括以下步骤：将溴化铯、溴化铅和2‑氨基‑2‑(4‑溴苯基)乙酸溶于溶剂中，搅拌后得到钙钛矿溶液；将钙钛矿溶液涂覆至基底上，加热，即得到钙钛矿薄膜。本发明的钙钛矿薄膜的制备方法，通过加入2‑氨基‑2‑(4‑溴苯基)乙酸，其能够增加钙钛矿溶液中溴化铯的溶解度，从而为钙钛矿薄膜的形成提供了丰富的Cs+离子，且2‑氨基‑2‑(4‑溴苯基)乙酸能提供更多的成核点，从而导致大量的相对较小的晶体形成，从而完全覆盖整个基底，提高薄膜覆盖率，减小钙钛矿薄膜针孔以及钙钛矿的晶体尺寸。
一种钙钛矿薄膜 led 器件及其制备方法

[发明专利]一种双面敏感型室温氢气传感器的制备方法-CN202210845909.1在审
发明人：胡永明;谢莉萍;王钊;黄浩;熊娟;邓鹤鸣;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种双面敏感型室温氢气传感器的制备方法，在氧化钼纳米纤维纸的正反两侧表面分别磁控溅射金属T i/Pt薄膜构成电极，以高纯钛、铂靶为溅射源，利用直流溅射的方法，得到双面敏感型室温氢气传感器。本发明制备的氢气传感器在室温下暴露在氢气环境中时，氢分子会被层状的多孔膜纳米纸传感器的正反两面同时吸附，迅速与氧离子反应，氧离子与氢分子反应释放出大量的电子，使传感器电阻下降，因此双面敏感元件具有较高的比表面积，灵敏度高，室温下的响应时间和恢复时间短。其次，该传感器和传统的敏感层是粉体和薄膜传感器相比，制备的室温氢气传感器不需要支撑物，不易脱落。再次，本发明方法简单，成本低。
一种双面敏感室温氢气传感器制备方法

[发明专利]核壳结构压电材料的制备方法和压电纳米发电机-CN202111511652.8有效
发明人：熊娟;顾豪爽;曾实;王钊;姚旭;肖经浩;张名锐;赵梓帆;周瑞 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： C04B41/85 文献下载
摘要：本申请提供了核壳结构压电材料的制备方法和压电纳米发电机。制备方法包括以下步骤：(1)取钛酸四丁酯、乙酸、乙酰丙酮、乙醇、碱式乙酸铅和乙酰丙酮锆加入到容器中，搅拌，配制成前驱液；(2)取前驱液放入静电纺丝设备中进行静电纺丝，得到薄膜；(3)将薄膜放入退火炉中，进行退火处理；(4)将退火后的薄膜加入到研钵中并加入酒精，得到粉末；(5)取粉末放入离心管中，取液态金属Ga加入离心管密封；(6)将离心管振荡至粉末呈显灰色后，进行超声，制备成核壳结构压电材料Ga‑PZT@GaOx，其中，锆钛酸铅系压电陶瓷PZT为核，无定形态氧化镓GaOx为壳。在核壳结构中，壳层能有效的作为PZT表面缓冲层，保护PZT与PVDF‑TrFE的相互挤压碰撞。
结构压电材料制备方法纳米发电机

[发明专利]一种氧化钼复合聚苯胺纳米纤维纸及其制备方法-CN202210845829.6在审
发明人：胡永明;涂莉;王钊;黄浩;熊娟;邓鹤鸣;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2022-07-19 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C08G73/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化钼复合聚苯胺纳米纤维纸及其制备方法，通过水热法和原位聚合法制备得到氧化钼复合聚苯胺纳米纤维纸。第一，本发明得到的氧化钼复合聚苯胺纳米纤维纸应用范围广，采用有机无机复合的方式使氢敏元件的响应度更好，响应时间和恢复时间短、灵敏度高，性能稳定，能够更好的应用于传感器领域等；第二，本发明的制备过程无任何有害的气体产生，产物清洁，绿色环保无污染；第三，采用本发明制备的纳米纸不需要任何柔性材料作为基板如PET等，材料本身可作为柔性材料直接在上面镀电极，可直接作为氢敏元件使用；第四，本发明的制备方法使用原料少，产量高，并且制备方法简单，可应用于工业化生产。
一种氧化钼复合苯胺纳米纤维及其制备方法

[发明专利]一种KNLTN电纺液、纳米纤维及传感器的加工方法-CN202210497422.9在审
发明人：王钊;龙午阳;梅旭;姜蕾;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2022-05-09 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： D01F9/08 文献下载
摘要：本发明涉及电压电式压力传感器的领域，特涉及一种KNLTN电纺液、纳米纤维及传感器的加工方法。本发明的KNLTN纳米纤维材料具有高压电常数，该KNLTN纳米纤维材料用于制作压力传感元件，可采用静电纺丝技术在刚性衬底上大面积制备KNLTN纳米纤维，获得一种超高压电常数纳米纤维的柔性压力传感器以解决压电式传感器灵敏度低和有毒的问题。本发明制备工艺简单、产量高、制作过程无污染。
一种 knltn 电纺液纳米纤维传感器加工方法

[发明专利]一种锁存器类放大器失调消除方法及失调消除电路-CN202010710707.7有效
发明人：万美琳;鲍磊;张寅;贺章擎;彭旷;胡永明;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2020-07-22 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H03F1/02 文献下载
摘要：本发明公开一种锁存器类放大器失调消除方法及失调消除电路，所述电路包括2个用于放大的反向器、4个电容、12个开关和2个用于整形的反向器，各放大反向器的输入输出端分别与各电容连接，各开关分别连接在各反向器与共模电平、电源、地、输入和输出信号之间；在对输入信号进行采样前，采用已经放电完毕的四个电容存储锁存器类放大器四个输入管之间的失配，再分别进行输入信号的采样、预放大和正反馈轨到轨放大，能够对锁存器类放大器的所有输入晶体管失配引起的失调进行有效消除，且同时适用于阻性和容性输入情况，大大提高了其放大精度，从而使其具有与模拟放大器类似的失调抑制性能，扩展了其适用范围。
一种锁存器类放大器失调消除方法电路

[发明专利]一种基于数据存储的流水SHA256硬件实现方法-CN201910078031.1有效
发明人：陈镇江;张寅;张志文;卢仕;刘玖阳;万美琳;戴葵;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2019-01-28 - 公布日： 2022-07-05 - 主分类号： H04L9/06 文献下载
摘要：本发明公开一种基于数据存储的流水SHA256硬件实现方法，方法采用基于锁存器存储的数据流水方式代替传统的基于寄存器翻转的数据流水方式，即采用面积小、动态功耗低的锁存器代替面积大、动态功耗高的寄存器存储流水的数据，然后通过数据选择开关选择每级新产生数据的存储位置，并选择合适的存储在前级锁存器中的数据进行数据压缩和数据扩展运算。在保证SHA256硬件电路功能的前提下，本发明通过采用锁存器代替寄存器并改变流水实现方式，能够进一步降低SHA256硬件实现电路的面积和功耗。
一种基于数据存储流水 sha256 硬件实现方法

[发明专利]响应类型可调的二维半导体室温氢气传感器及制作方法-CN202110072715.8有效
发明人：王钊;杨伟佳;谈论;熊娟;顾豪爽 -专利权人：湖北大学
申请日： 2021-01-20 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： G01N27/12 文献下载
摘要：本发明公开一种响应类型可调的二维半导体室温氢气传感器及制作方法，所述氢气传感器通过化学气相沉积法(CVD)在Si/SiO2衬底上生长二维MoS2薄膜，再利用滴涂的方法在MoS2薄膜上修饰SnO2制备，其制作方法为：对管式炉内高、低温区装有MoO3和升华硫的石英舟（且MoO3上有Si/SiO2衬底）依次抽负压—充氩气三次，再保压并分别加热高低温区至设定值得到MoS2薄膜，在MoS2薄膜的Si/SiO2衬底上制备基于MoS2薄膜的氢敏器件，将SnO2水胶分散液滴涂在氢敏器件上，经真空干燥、真空退火得到。传感器可在室温下工作，灵敏可靠、成本低且易于集成，利用SnO2对二维MoS2薄膜进行修饰，实现对氢气的从n型到p型响应的转变，二维MoS2薄膜电子传输快，精度高，信噪比高，具有能与传统Si技术集成的高兼容性。
响应类型可调二维半导体室温氢气传感器制作方法

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