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[发明专利]OPC模型数据权重设置方法-CN202210572098.2在审
发明人： 汪牡丹;蔡伟;于世瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2022-05-24 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： G06F30/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种OPC模型数据权重设置方法，包括：步骤一、对版图上的图形进行分类并设置各类所述图形的参考权重；步骤二、设置OPC模型中各数据点的权重，包括：计算第一系数，第一系数为和数据点的图形线宽尺寸相关的系数；计算第二系数，第二系数为和数据点的图形的测量尺寸可靠度相关的系数；计算数据点的权重，数据点的权重为数据点的图形所属的图形类别的参考权重、第一系数和第二系数的乘积。本发明能有效地降低模型误差和均方根数值，提高OPC模型精度。
opc 模型数据权重设置方法

[实用新型]一种意向性牙再植术操作装置-CN202123245578.8有效
发明人：宋东哲;刘浏;汪鎏;汪牡丹;黄定明 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： A61C8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗器械技术领域，具体涉及一种意向性牙再植术操作装置，包括固定部和浸泡部，所述固定部用于对牙齿的牙冠部分进行夹持，所述浸泡部包括呈敞开的空腔，所述空腔能存放液体，且所述浸泡部能对所述固定部及所述牙齿进行固定，并使所述牙齿的牙根部分处在所述浸泡部的空腔内。在本申请的方案中，固定部对牙齿的牙冠部分进行夹持，同时浸泡部能对固定部和被固定部所夹持的牙齿进行固定，确保了在切除牙齿根部时的牙齿的稳固性，同时牙齿处在空腔内，在将生理盐水倒入至空腔内并使生理盐水对牙齿的根部进行浸泡时，能防止生理盐水从浸泡部的空腔内漏出，进而确保了牙根的湿润效果，为操作过程中牙齿牙根部分浸泡提供了保障。
一种意向性再植操作装置

[实用新型]一种意向性牙再植术辅助操作装置-CN202123247700.5有效
发明人：宋东哲;曾杨林;汪牡丹;张岚;黄定明 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： A61C8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗器械领域，特别是涉及一种意向性牙再植术辅助操作装置，包括固定组件，固定组件包括固定部和浸泡部，固定部用于固定离体牙的牙冠部分，浸泡部连接在固定部上，并围绕离体牙的牙根部分形成空腔，空腔内注入生理盐水，使离体牙病变根尖切除操作时，除病变根尖外的其余部分可浸泡在生理盐水中；浸泡部上还连接有顶盖组件，顶盖组件用于避免离体牙病变根尖切除时，牙根管内原有充填物飞溅到牙根表面，造成牙胶与牙根表面软组织粘连，进而可避免需要花费多余的时间清除牙胶，缩短了离体牙在体外停留的时间，进而提高了离体牙再植后的成活率。
一种意向性再植辅助操作装置

[实用新型]一种可调节的意向性牙再植术操作工具-CN202123247712.8有效
发明人：宋东哲;汪牡丹;刘浏;谭学莲;黄定明 -专利权人：四川大学
申请日： 2021-12-22 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： A61C8/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及医疗器械领域，特别是涉及一种可调节的意向性牙再植术操作工具，包括固定组件，固定组件用于固定离体牙，并使离体牙病变根尖切除操作时，除病变根尖外其余部分可浸泡在生理盐水中；固定组件上还连接有调节组件，调节组件用于支撑固定组件，并与固定组件配合使离体牙根尖的朝向可调整。本实用新型的一种可调节的意向性牙再植术操作工具，通过设置调节组件与固定组件配合，使离体牙根尖的朝向可调整。操作者可根据自身的操作习惯调整离体牙根尖的摆放位置，使切割的过程更加流畅，提高了离体牙病变根尖的切割效率。
一种调节意向性再植操作工具

[发明专利]采用可视化编辑图形数据库处理辅助图形的方法-CN202111409229.7在审
发明人： 汪牡丹;于世瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2022-03-01 - 主分类号： G06F30/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用可视化编辑图形数据库处理辅助图形的方法，包括：步骤S1，建立目标图形数据库；所述目标图形数据库包括多个目标图形，每个目标图形包括主图形和辅助图形；步骤S2，定义图形搜索范围的尺寸；步骤S3，定义图形匹配的限定条件；所述限定条件包括主图形的锚点和辅助图形的线宽尺寸范围；步骤S4，对整个测试版图进行图形扫描，找到符合所述限定条件的匹配图形，标记所述匹配图形并输出匹配图形和标记的版图数据；步骤S5，依据匹配图形的版图数据，确定至少一个辅助图形。
采用可视化编辑图形数据库处理辅助方法

[发明专利]校准OPC和PWOPC模型焦平面的方法-CN201811477081.9有效
发明人： 汪牡丹;于世瑞 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-12-05 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种校准OPC和PWOPC模型焦平面的方法，在FEM晶圆上收集1D结构图形线宽量测数据；形成一份标准超级线宽量测数据格式文件；选出对焦距敏感度高的图形数据；得到一个泊松对称处理后的焦平面值；提取每组泊松对称处理后的像平面和焦平面值并分析数据，得到像平面‑焦平面的泊松对称曲线，并对数据趋势线进行多项式拟合计算，得到像平面和焦平面的函数表达式；用拟合得到的满足泊松对称关系的像平面和焦平面的数学关系式去校准OPC和PWOPC模型的焦平面。本发明能确保OPC和PWOPC模型对不同曝光能量和聚焦平面条件下工艺窗口大小的预测准确性和对制程参数变化的灵敏性。
校准 opc pwopc 模型平面方法

[实用新型]一种吸附式稳固性DNA检测装置-CN202120806306.1有效
发明人：乐玉平;吴宗倩;汪牡丹;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：上海市建筑工程学校;乐玉平
申请日： 2021-04-16 - 公布日： 2021-11-12 - 主分类号： C12M1/34 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种吸附式稳固性DNA检测装置，包括DNA检测本体，所述DNA检测本体上表面的中部开设有限位槽，所述限位槽的内侧壁通过螺栓螺纹连接有复位弹簧，所述限位槽的内底壁固定连接有小型振动马达，所述小型振动马达的上表面固定连接有检测主体，所述DNA检测本体上表面的一侧开设有放置槽，所述放置槽的内底壁插接有试管。该吸附式稳固性DNA检测装置，通过DNA检测本体、限位槽、复位弹簧、小型振动马达和检测主体之间的配合设置，操作人员在使用该装置时，能够将需要检测的DNA放置在DNA检测本体的内壁进行检测，通过复位弹簧和小型振动马达的晃动使检测的DNA样本融合方便进行检测，从而增加该装置的实用性。
一种吸附稳固 dna 检测装置

[发明专利]OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法-CN201711464502.X有效
发明人： 汪牡丹;俞海滨;于世瑞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2021-02-05 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开一种OPC建模中次分辨率辅助图形确定的方法，包括：步骤S1：在已有SRAF数据库中选择可曝在晶圆上的第一SRAF类型；步骤S2：选择具有第一SRAF类型的结构图形，并在结构图形中选取图形周期恰可加入1根和2根第一SRAF类型的结构图形进行CDSEM量测，收集数据建立可评估SRAF类型是否会曝在晶圆上的模型；步骤S3：通过模型模拟具有系列SRAF类型的版图数据库，以确定不会曝在晶圆上的SRAF类型；步骤S4：在SRAF类型中选取第二SRAF类型，并在晶圆上进行二次验证，以确定第二SRAF类型不会曝在晶圆上；步骤S5：基于具有第二SRAF类型的不同结构图形，收集OPC模型数据并开展建模。本发明不仅有效减少OPC建模前期准备工作量，缩短确定SRAF类型的时间和提高资源利用率，而且提高OPC建模效率和准确度。
opc 建模分辨率辅助图形确定方法

[发明专利]一种完善光刻模型数据对测试图形覆盖范围的方法-CN201710987039.0有效
发明人：俞海滨;汪牡丹;谭轶群;于世瑞 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2017-10-20 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提出一种完善光刻模型数据对测试图形覆盖范围的方法，在标准图形参数空间的基础上，将测试图形的具体结构参数添加进标准图形参数空间中，通过对其中空白空间的分析，给出模型数据中所缺少的具体测试图形结构，从而通过补充缺少的模型数据，使得光刻模型对测试图形具有更广的覆盖范围。这一新方法，能够确保光刻模型对测试图形具有足够的覆盖范围，使其能够对曝光过程实现更精准的预测。本发明在校准光刻模型的过程中，提出了一种同时利用标准图像变量和测试图形结构参数，完善光刻模型对测试图形覆盖范围的方法，从而有利于提高光刻模型对曝光过程的预测准确性和对图形的覆盖性。
一种完善光刻模型数据测试图形覆盖范围方法

[发明专利]ZnO/ZnS/FeS2核壳结构阵列薄膜及制备方法-CN201510067375.4有效
发明人： 汪牡丹;陈陈旭;方攸同;孟亮;刘嘉斌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：ZnO/ZnS/FeS2核壳结构阵列薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底清洗好的基底备用；制备均匀透明的种子层溶液；室温下将基底浸入种子层溶液在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置均匀的前驱体溶液；使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜；使基底的表面覆盖有ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列；将ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列薄膜和纯度为99.5%的升华硫粉封装于石英管中；硫化ZnO/Fe(OH)3复合纳米棒阵列成为ZnO/ZnS/FeS2核壳纳米棒阵列。本发明具有能够吸收太阳光谱中波长大于362nm的可见光，光吸收和光响应性能好的优点。
zno zns fes2 结构阵列薄膜制备方法

[发明专利]一种FeS2纳米管薄膜的制备方法-CN201510065495.0有效
发明人： 汪牡丹;薛东鹏;陈陈旭;凌国平;方攸同;孟亮;刘嘉斌 -专利权人：浙江大学
申请日： 2015-02-09 - 公布日： 2015-05-20 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种FeS2纳米管薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底；配置种子层溶液；室温下将基底浸入种子层溶液提拉镀膜，在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置前驱体溶液；使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜；配置改性溶液；ZnO纳米棒阵列进行改性处理，使ZnO纳米棒的外表面覆盖上均匀的一层负电荷层；将上述制得的PSS/PDDA改性的ZnO纳米棒阵列薄膜放在FeCl3水溶液中至少静置；FTO基底上覆盖有Fe2O3纳米管阵列薄膜；Fe2O3纳米管阵列薄膜为中间产物薄膜；硫化Fe2O3纳米管阵列转化为FeS2纳米管阵列。本发明具有能使FeS2颗粒在均匀分布堆积成纳米管的优点。
一种 fes2 纳米薄膜制备方法

[发明专利]FeS微米球结构薄膜及其制备方法-CN201410765571.4有效
发明人：邢程程;刘嘉斌;汪牡丹;曹可;黄六一;孟亮;方攸同 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2015-04-22 - 主分类号： H01M4/136 文献下载
摘要：FeS微米球结构薄膜的制备方法，包括使用铁箔作为基底，清洗基底干燥后备用；制备黑色均匀的反应溶液；将黑色均匀溶液填充反应釜，铁箔基底倾斜地倚靠在反应釜壁上，密封并将反应釜置于恒温干燥箱；反应后将反应釜自然冷却至室温，将铁箔基底取出，用无水乙醇依次冲洗-超声波清洗-冲洗，干燥得到FeS微米球结构薄膜。FeS微米球结构薄膜，包括铁箔基底和原位生长于铁箔基底上的FeS微米球，每个FeS微米球由FeS纳米片聚集形成。本发明具有能够缓冲FeS在充放电过程中体积反复变化的优点。
fes 微米结构薄膜及其制备方法

[发明专利]FeS₂薄膜及其制备方法-CN201410103081.8有效
发明人： 汪牡丹;刘嘉斌;黄六一;孟亮 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2014-06-18 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：FeS₂薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底；形成均匀透明的种子层溶液；在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置前驱体溶液；在基底表面形成均匀致密的ZnO纳米棒阵列；将具有ZnO纳米棒阵列的基底放入反应釜的前驱体溶液内水热反应，在基底表面形成ZnO/Fe₂O₃核-壳结构纳米棒阵列；在基底表面得到Fe₂O₃纳米管阵列；硫化处理，Fe₂O₃纳米管阵列原位硫化转变成FeS₂纳米管阵列。FeS₂薄膜包括FTO导电玻璃基底，基底上覆盖有FeS₂纳米管阵列，每个FeS₂纳米管由FeS₂颗粒堆积而成。本发明具有能增大二硫化铁薄膜的有效光吸收面积来提高其光吸收性能和光电转换效率的优点。
fes sub 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种FeS₂薄膜及其制备方法-CN201410103793.X有效
发明人： 汪牡丹;刘嘉斌;黄六一;孟亮 -专利权人：浙江大学
申请日： 2014-03-19 - 公布日： 2014-05-28 - 主分类号： H01L31/20 文献下载
摘要：一种FeS₂薄膜的制备方法包括使用FTO导电玻璃作为基底；配置种子层溶液；室温下将基底浸入种子层溶液提拉镀膜，在基底表面形成一层均匀的ZnO纳米晶种子层；配置前驱体溶液；使基底表面具有均匀致密的ZnO纳米棒阵列薄膜；室温下将具有ZnO纳米棒阵列薄膜的使基底的表面覆盖有Fe(OH)₃纳米棒阵列；硫化处理，Fe(OH)₃纳米棒阵列转化为FeS₂纳米棒阵列。一种FeS₂薄膜，包括由FTO导电玻璃制成的基底，基底上覆盖有FeS₂纳米棒阵列，每个FeS₂纳米棒由FeS₂纳米颗粒堆积而成。本发明具有通过增大二硫化铁薄膜的有效光吸收面积来提高其光吸收性能和光电转换效率的优点。
一种 fes sub 薄膜及其制备方法

[发明专利]一种控制先驱体晶粒度制备FeS₂薄膜的方法-CN201210006606.7无效
发明人：孟亮;王峰;汪牡丹 -专利权人：浙江大学
申请日： 2012-01-11 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C23C14/22 文献下载
摘要：本发明公开了一种控制先驱体晶粒度制备FeS2薄膜的方法。镀膜基底在饱和铬酸溶液中煮沸后用去离子水冲洗，再依次在丙酮、无水乙醇、去离子水中超声波振荡清洗烘干；溅射纯Fe膜，控制基底温度及厚度。将纯Fe膜和硫粉封装于玻璃管中硫化处理。发明可得到细小均匀的先驱体铁膜晶粒度，晶粒尺寸大小可方便控制。可以利用优化先驱体膜溅射及随后的硫化处理两不同技术的优化，灵活控制最终得到的FeS2薄膜质量及状态，控制手段和过程更为灵活，有利于优化制备技术。也可为FeS2薄膜的工业化生产提供更多选择。
一种控制先驱晶粒制备 fes sub 薄膜方法

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