专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]合成黄铁矿的制备方法-CN200880109389.6无效
  • G·L·施梅克;M·W·温普尔;J·J·勒克莱尔 - 永备电池有限公司
  • 2008-09-24 - 2010-08-18 - C01G49/12
  • 制备高纯度的合成FeS2的方法和在正电极中使用该合成FeS2的电化学电池。合成FeS2可以用硫化工艺制备,所述硫化工艺包括使氧化铁、硫化氢和元素硫在高于元素硫的熔点的温度下进行反应。合成FeS2也可以用研磨工艺生产,该工艺包括(i)在研磨介质和加工助剂存在下研磨铁粉和硫粉,以形成均匀的粉末混合物,和(ii)处理所述粉末混合物,以形成FeS2。在研磨工艺中,可以通过加热粉末混合物或使粉末混合物经受后续研磨操作对粉末混合物进行处理以形成FeS2
  • 合成黄铁矿制备方法
  • [发明专利]一种低成本FeS2薄膜太阳电池的制备方法-CN201510450904.9有效
  • 杨雯;段良飞;杨培志;李学铭;赵恒利 - 云南师范大学
  • 2015-07-29 - 2017-07-04 - H01L31/18
  • 本发明专利提供一种低成本FeS2薄膜太阳电池的制备方法。主要是通过在衬底上制备钼背电极,在背电极上制备FeS2薄膜并进行硫化形成P层,进而制备CdS薄膜作为缓冲层,在缓冲层上制备i‑ZnO及ZnOAl薄膜,最后制备MgF2减反膜,经过激光刻蚀和清洗后制备Ag‑Mg合金作为前电极,从而制备出结构为衬底/Mo/FeS2/CdS/i‑ZnO/ZnOAl/MgF2/Ag‑Mg的FeS2薄膜太阳电池。这种结构的太阳电池中其核心材料FeS2和ZnO组成元素储量大、无毒,能有效降低太阳电池的成本,FeS2属于黄色立方结构的二元化合物,具有吸收系数大、带隙可调及稳定性好等优点,是理想的光伏材料之一,有望获得稳定
  • 一种低成本fessub薄膜太阳电池制备方法
  • [发明专利]一种锂-二硫化铁电池正极片的制备方法-CN201210560403.2有效
  • 倪文彬;钱靖 - 中银(宁波)电池有限公司
  • 2012-12-20 - 2013-04-17 - H01M4/08
  • 本发明提供一种锂-二硫化铁电池正极片的制备方法,采用粒径分布范围分别为0.1~1μm和10~60μm的FeS2为活性正极材料,首先在惰性气体中于200℃~300℃下热处理至FeS2中硫单质含量不高于0.3%;然后以300~800W的功率在20℃~40℃温度下将细颗粒度FeS2超声分散;将所得悬浊液加入粘结剂溶液中,再整体转移至粗颗粒度FeS2和导电剂混合物中并搅拌均匀;最后将所得到的正极浆料按照制作成正极片细、粗颗粒度FeS2的质量比范围是1:99~1:4。按照本发明所提供方法制备的锂-二硫化铁电池,其开路电压下降,放电平台提升,大功率放电性能获得改善。
  • 一种二硫化铁电池正极制备方法

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