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[发明专利]半导体衬底及其制造方法-CN202180091931.5在审
发明人： 高村诚;前川拓滋;森本满;真砂纪之;冈孝保 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-10-29 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明的半导体衬底(1)具有：SiC单晶衬底(10SB)；配置在SiC单晶衬底(10SB)的Si面上的石墨烯层(11GR)；隔着石墨烯层(11GR)配置在SiC单晶衬底(10SB)的上方的SiC外延生长层(12RE)；和配置在SiC外延生长层(12RE)的Si面上的多晶Si层(15PS)。也可以具有配置在多晶Si层(15PS)上的石墨衬底或者硅衬底。此外，也可以具有配置在SiC外延生长层(12RE)的C面上的SiC多晶生长层(18PC)。本发明提供低成本且高品质的半导体衬底及其制造方法。
半导体衬底及其制造方法

[发明专利]SiC外延片的制造装置和SiC外延片的制造方法-CN202180092349.0在审
发明人： 高村诚;前川拓滋;森本满;真砂纪之;冈孝保 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：本发明的SiC外延片的制造装置(2)包括：生长炉(100A)；设置在生长炉(100A)的外部，将载气和/或物料气体混合并进行压力调节的气体混合预备室(107)；构成为能够将多个包括SiC单晶的两个衬底背靠背接触而成的SiC晶片对(200WP)相互隔开间隙且等间隔配置的晶舟(210)；和将设置在生长炉(100A)内的晶舟(210)加热到外延生长温度的加热部(101)，在SiC外延片制造装置中，该载气和/或物料气体预先在气体混合预备室(107)中混合并进行压力调节后被导入生长炉(100A)，使SiC层在多个SiC晶片对(200WP)的表面生长。本发明提供一种高品质且能够降低成本的SiC外延片的制造装置。
sic 外延制造装置方法

[发明专利]半导体衬底及其制造方法和半导体器件-CN202180091938.7在审
发明人： 高村诚;前川拓滋;森本满;真砂纪之;冈孝保 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：实施方式的半导体衬底(1)包括：六方晶系的SiC单晶层(13I)；配置在SiC单晶层(13I)的Si面上的SiC外延生长层(12E)；配置在SiC单晶层(13I)的与Si面相对的C面上的SiC多晶生长层(18PC)。SiC单晶层(13I)具有使氢离子注入层(10HI)脆化了的单晶SiC薄化层(10HE)和磷离子注入层(10PI)。磷离子注入层(10PI)配置在单晶SiC薄化层(10HE)与SiC多晶生长层(18PC)之间。本发明提供低成本且高品质的半导体衬底及其制造方法。
半导体衬底及其制造方法半导体器件

[发明专利]半导体基板结构体和功率半导体装置-CN202310090784.0在审
发明人：前川拓滋;森本满;高村诚 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/14 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板结构体和功率半导体装置，该半导体基板结构体包括基板、配置在所述基板上的表面粗糙度改善层和通过室温接合或扩散接合经由所述表面粗糙度改善层接合到所述基板的单晶体。
半导体板结功率装置

[发明专利]半导体基板结构体和功率半导体装置-CN201910462227.0有效
发明人：前川拓滋;森本满;高村诚 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2019-05-30 - 公布日： 2023-05-09 - 主分类号： H01L23/12 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体基板结构体和功率半导体装置，该半导体基板结构体包括基板和接合到基板的外延生长层，其中基板和外延生长层通过室温接合或扩散接合而接合。
半导体板结功率装置

[发明专利]半导体光放大器-CN202111318117.0在审
发明人：长泽郁弥;关口大志;高村诚 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2021-11-09 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： H01S5/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能将能量小于带隙能量的光放大的半导体光放大器。本实施方式的半导体光放大器1具备：第1端面R1；第2端面R2，与第1端面隔开配置；第1半导体区域10及第2半导体区域14，配置在第1端面与第2端面之间；活性层12，由第1半导体区域与第2半导体区域所夹地配置在第1端面与第2端面之间，以间接迁移型半导体形成，将输入光hνi的强度通过受激发射放大；第1电极16，连接在第1半导体区域；及第2电极18，连接在第2半导体区域，利用与第1电极的电位差，检测活性层中的载子密度变化。活性层具备在间接迁移型半导体的带隙中形成能级的成为再耦合中心的点缺陷，通过经由所述能级的迁移，将能量小于带隙能量的光放大。
半导体放大器

[发明专利]照明装置-CN200880117505.9有效
发明人： 高村诚;田中将史 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2008-09-12 - 公布日： 2010-10-27 - 主分类号： F21S8/04 文献下载
摘要：一种照明装置，在面光源面板彼此之间的接缝部分不会产生暗部，亮度的面内均一性高。照明装置(1)具有以下结构：多个面光源面板(2)；配置于该面光源面板(2)的光出射侧的多个光漫反射板(3)。光漫反射板(3)形成为：矩形的底面配置于面光源面板(2)的发光区域上；出射表面(3a)与面光源面板(2)的平面轮廓同等大小；形成有从底面朝向出射表面(3a)而向斜外侧倾斜的侧面(3c)。互相邻接的光漫反射板(3)配置为彼此无缝连接，出射表面(3a)配置为连续。
照明装置

[发明专利]具有电极隔板的有机EL显示板及其制造方法-CN03805372.1无效
发明人： 高村诚;照元幸次 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2003-02-28 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H05B33/26 文献下载
摘要：有机EL显示板具有：在基板(1)上形成的多个阳极(2)；与上述阳极(2)导通接触的多个辅助电极(3)；覆盖上述各个辅助电极(3)和上述阳极(2)的一部分的阳极隔板(4)；覆盖上述阳极隔板(4)而形成的多个有机EL带(5)；层叠在上述有机EL带(5)上，同时，在与上述阳极(2)交叉的方向上延伸的多个阴极(6)；和分隔上述阴极(6)之间，同时在与上述各个阳极(2)交叉的方向上延伸的多个阴极隔板(7)。上述各个辅助电极(3)在与上述各个阴极隔板(7)交叉的位置上断开。
具有电极隔板有机 el 显示及其制造方法

[发明专利]有机电致发光显示元件及其制造方法-CN03127462.5有效
发明人： 高村诚 -专利权人：罗姆股份有限公司
申请日： 2003-08-07 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H05B33/04 文献下载
摘要：一种制造有机电致发光显示元件的方法，包括以下步骤：在透明基板的顶部上形成多个有机电致发光元件；将设有电子电路的密封帽粘合至所述透明基板，以密封每一个所述有机电致发光元件；以及对每个有机EL元件周围的透明基板进行切割，形成有机电致发光显示元件。
有机电致发光显示元件及其制造方法

[发明专利]一种电绝缘片状材料-CN95101172.3无效
发明人：宫尾博;东村丰;高村诚;佐藤隆德;神谷宏之;小野田满 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1995-01-11 - 公布日： 2001-09-12 - 主分类号： H02K3/30 文献下载
摘要：一种电绝缘线圈，其特征在于，环绕用于电绝缘线圈的电导体绕制的绝缘层是通过将在片状电绝缘材料的衬底部分上的厚度为０．２—１微米，直径４０—２５０微米的各玻璃片状粉末层进行层压和利用半固化的热固性树脂进行浸渍而形成的。因此，使该电绝缘线圈具有优异的局部放电抵抗能力以及具有高绝缘击穿强度，即使是当产生大的机械变形时也能实现。$＃!
一种绝缘片状材料

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