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[发明专利]基座和具备该基座的MOCVD装置-CN201880058624.5有效
发明人：赵广一;金南绪;崔成哲 -专利权人： TES股份有限公司
申请日： 2018-09-21 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及一种通过涂层来减少支承面上的温度偏差的基座和具备该基座的MOCVD装置。根据本发明一实施例的基座，可以是，具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面以及与所述支承面连接的侧面，所述基座构成为被感应线圈感应加热从而对所述基板进行支承的同时加热。可以是，所述基座包括：母材，由能够响应于所述感应线圈而感应加热的材质制成；以及涂层，涂布在所述母材的一部分或者全部表面而形成所述支承面的一部分或者全部，并具有与所述母材的磁性不同的磁性。根据本发明的基座和具备该基座的MOCVD装置，通过减少支承基板的支承面上的温度不均匀性，能够在基板上生长具有更均匀特性的薄膜，通过使用基于MOCVD工艺生长的基板，能够在元件制作时获得高产率。另外，根据本发明的MOCVD装置，能够测定正确的支承面上的温度。
基座具备 mocvd 装置

[发明专利]基座组件、包括其的MOCVD装置及用于从MOCVD装置引出上基座的控制方法-CN201980086410.3在审
发明人：崔成哲;赵广一;朴兵益;金南绪;张钟珍;徐东湜 -专利权人： TES股份有限公司
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本发明涉及一种基座组件及包括其的MOCVD装置，所述基座组件通过上基座和下基座的双层结构来减少支承面上的温度偏差。根据本发明的一实施例的基座组件包括：基座，具有与基板接触的同时支承所述基板的支承面；以及下基座，支承所述上基座，所述上基座和所述下基座涂布有彼此不同种类的物质。根据本发明的基座组件以及包括其的MOCVD装置，通过减少支承基板的支承面上的温度不均匀性，能够在基板上生长具有更均匀特性的薄膜，并使用通过MOCVD工艺生长的基板，能够在制作元件时获得高产率。
基座组件包括 mocvd 装置用于引出控制方法

[发明专利]薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物-CN201310110330.1无效
发明人：李骐范;曺三永;金南绪;具炳秀 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2013-07-03 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，通过使用该组合物即可利用单一工序来对构成薄膜晶体管液晶显示装置的TFT中的作为栅极配线材料的Mo/AlNd双重膜或Mo/AlNd/Mo三重膜进行湿式蚀刻以获得优异的锥形而不会产生作为下部膜的AlNd或Mo的底切现象，同时使得作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜和Mo/AlNd/Mo三重膜也可以形成优异的轮廓。本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，特别是涉及含有a)磷酸、b)硝酸、c)乙酸、d)锂类化合物、e)磷酸盐类化合物和f)水的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物。
薄膜晶体管液晶显示装置蚀刻组合

[发明专利]使用用于去除导电材料的组合物制造阵列基板的方法-CN201110455538.8有效
发明人：宋桂灿;金钟一;李坰默;曺三永;申贤哲;金南绪 -专利权人：乐金显示有限公司
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：使用用于去除导电材料的组合物制造阵列基板的方法。该组合物包括3wt％至15wt％的硝酸、40wt％至70wt％的磷酸、5wt％至35wt％的醋酸、0.05wt％至5wt％的氯化物、0.01wt％至5wt％的氯稳定剂、0.01wt％至5wt％的pH稳定剂、以及剩余量的水，该方法包括以下步骤：通过使用所述组合物蚀刻第一金属层而在基板上形成栅极；在所述栅极上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成半导体层；通过使用所述组合物蚀刻第二金属层而在所述半导体层上形成源极和漏极；在所述源极和漏极上形成钝化层，该钝化层具有使所述漏极露出的接触孔；以及通过使用所述组合物蚀刻第三金属层而在所述钝化层上形成像素电极。
使用用于去除导电材料组合制造阵列方法

[发明专利]用于蚀刻铟锡氧化物层的蚀刻剂组合物及用其蚀刻的方法-CN200910003907.2无效
发明人： 金南绪;姜东浒;曺三永;李骐范 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2009-01-23 - 公布日： 2009-08-05 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：一种用于蚀刻铟锡氧化物层的蚀刻剂组合物及用其蚀刻的方法。该组合物在制备用ITO层的TFT-LCD电子元件和显示设备中用于蚀刻铟锡氧化物(ITO)透明导电层，基于该组合物总重含硫酸4～10wt％、硝酸2.5～6.0wt％、蚀刻控制剂0.5～5wt％和余量水，其对ITO透明导电层有优异的蚀刻性能，在蚀刻工序中减少对光敏材料如光致抗蚀剂的化学侵蚀，且不留下残留物或沉淀物。在该组合物中，草酸在0℃以下不结晶，但在常规的基于草酸的蚀刻剂组合物中发生草酸结晶，且在较低的金属层上不发生副作用，但基于盐酸的蚀刻剂组合物发生副作用。因而，可显著提高制造用ITO层的TFT-LCD电子元件和显示设备的产率，且其含不贵且高度稳定的组分如硫酸，经过一段时间后组成保持相对稳定，能降低制造成本。
用于蚀刻氧化物组合方法

[发明专利]用于图案化薄膜晶体管—液晶装置中的电路的蚀刻剂组合物-CN200810186959.3有效
发明人： 金南绪;姜东浒;李骐范;曹三永 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2008-12-08 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种蚀刻剂组合物，其用于蚀刻用于形成薄膜晶体管-液晶装置(TFT-LCD)的电极的金属层。所述蚀刻剂组合物包括以蚀刻剂组合物的总重量计45重量％到70重量％的磷酸、1.5重量％到6重量％的硝酸、10重量％到30重量％的乙酸、0.01重量％到3重量％的Mo蚀刻控制剂、0.1重量％到1.999重量％的硫酸化合物，并且其余为水。TFT-LCD的蚀刻剂组合物适于在不存在侧蚀或突起现象的情况下在单一工序中湿式蚀刻构成源极/漏极的Mo单层以及构成栅极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层并提供优良的锥形蚀刻概况。另外，因为不使用干式蚀刻法，所以制造过程得以简化，生产能力增加并且制造成本降低。此外，甚至在不包括对环境有害的材料(例如过亚氯酸盐(perchlorite)、降低蚀刻剂组合物寿命的不稳定材料或腐蚀用作衬底的玻璃的基于氟的化合物)的情况下，可通过仅一次湿式蚀刻Mo单层、Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层来获得优良锥形概况。
用于图案薄膜晶体管液晶装置中的电路蚀刻组合

[发明专利]用于形成薄膜晶体管液晶显示装置中的电路的蚀刻剂组合物-CN200810168643.1有效
发明人： 金南绪;姜东浒;李骐范;曺三永 -专利权人：株式会社东进世美肯
申请日： 2008-09-17 - 公布日： 2009-03-25 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：提供了一种用于蚀刻形成薄膜晶体管-液晶显示装置(TFT-LCD)电极的金属层的蚀刻剂组合物。所述蚀刻剂组合物基于其总重量包含：55-75wt％的磷酸、0.75-1.99wt％的硝酸、10-20wt％的醋酸、0.05-0.5wt％的Mo蚀刻控制剂、0.02-3wt％的含硼化合物和余量的水。TFT-LCD用蚀刻剂组合物适合于单步法湿式蚀刻用于形成栅极、源极和漏极的Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层，而没有AlNd、Al和Mo的突出和底切，并且提供优异的锥形蚀刻剖面。另外，由于不使用干式蚀刻工艺，制造过程得到简化，产率得到提高，生产成本下降。进一步地，即使不使用诸如高氯酸盐的非环境友好型材料、导致蚀刻剂组合物使用寿命缩短的不稳定组分或侵蚀作为基板的玻璃的氟基化合物，也能够通过仅一次湿式蚀刻Mo/AlNd双层或Mo/Al/Mo三层而得到优异的锥形剖面。
用于形成薄膜晶体管液晶显示装置中的电路蚀刻组合

[发明专利]薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物-CN200710102300.0无效
发明人：李骐范;曺三永;金南绪;具炳秀 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2007-05-10 - 公布日： 2007-11-14 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供一种薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，通过使用该组合物即可利用单一工序来对构成薄膜晶体管液品显示装置的TFT中的作为栅极配线材料的Mo/AlNd双重膜或Mo/AlNd/Mo三重膜进行湿式蚀刻以获得优异的锥形而不会产生作为下部膜的AlNd或Mo的底切现象，同时使得作为源极/漏极配线材料的Mo单一膜和Mo/AlNd/Mo三重膜也可以形成优异的轮廓。本发明涉及薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物，特别是涉及含有a)磷酸、b)硝酸、c)乙酸、d)锂类化合物、e)磷酸盐类化合物和f)水的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物。
薄膜晶体管液晶显示装置蚀刻组合

[发明专利]蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法-CN200510114837.X有效
发明人：金钟一;李坰默;宋桂燦;曹三永;申贤哲;金南绪;李骐范 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社;东进世美肯株式会社
申请日： 2005-11-17 - 公布日： 2007-05-23 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于蚀刻金属层的组合物，该组合物包括：重量比为大约55％到大约80％的磷酸；重量比为大约3％到大约15％的硝酸；重量比为大约5％到大约20％的乙酸；重量比为大约0.5％到大约10％的磷酸盐；重量比为大约0.1％到大约5％的含氯化合物；重量比为大约0.01％到大约4％的偶氮化合物；以及水。
蚀刻金属组合以及使用形成图案方法

[发明专利]蚀刻剂组合物和用其构图导电层和制造平板显示器的方法-CN200610090316.X有效
发明人：李坰默;宋桂灿;曺三永;申贤哲;金南绪 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社;东进世美肯株式会社
申请日： 2006-06-29 - 公布日： 2007-02-14 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供了一种蚀刻剂组合物以及使用该蚀刻剂组合物对导电层构图并且制造平板显示器件的方法。该蚀刻剂组合物包括磷酸、硝酸、醋酸、水和添加剂，其中添加剂包括氯基化合物、硝酸盐基化合物、硫酸盐基化合物以及氧化调节剂。此外，可以通过使用相同的蚀刻剂组合物对由不同材料形成的栅极、源极/漏极和像素电极构图来制造平板显示器件。因此，更加简化工序从而可以减少制造成本并且提高生产率。
蚀刻组合构图导电制造平板显示器方法

[发明专利]用于去除导电材料的组合物及使用其制造阵列基板的方法-CN200610092226.4无效
发明人：宋桂灿;金钟一;李坰默;曺三永;申贤哲;金南绪 -专利权人： LG.菲利浦LCD株式会社;东进世美肯株式会社
申请日： 2006-06-15 - 公布日： 2007-01-10 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：一种用于去除导电材料的组合物以及一种使用该组合物制造阵列基板的方法，其中该组合物可以包括大约3wt％至 15wt％的硝酸、大约40wt％至70wt％的磷酸、大约5wt％至35wt％的醋酸。该组合物还可以包括大约0.05wt％至5wt％的氯化物、大约0.01wt％至5wt％的氯稳定剂、大约0.01wt％至5wt％的pH稳定剂、以及剩余量的水。
用于去除导电材料组合使用制造阵列方法

[发明专利]蚀刻组合物-CN200610084694.7无效
发明人：李骐范;曺三永;申贤哲;金南绪 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2006-05-29 - 公布日： 2006-12-06 - 主分类号： C23F1/16 文献下载
摘要：本发明提供蚀刻组合物，采用所述组合物可以以下部膜Al－Nd或Mo不产生底切现象的方式通过单一工序对构成薄膜晶体管液晶显示装置的TFT的栅极配线材料Al－Nd/Mo双层膜或Mo/Al－Nd/Mo三层膜进行湿式蚀刻，并可以获得优异的锥度，同时源极/漏极配线材料Mo单层膜也可以形成优异的轮廓。本发明的薄膜晶体管液晶显示装置的蚀刻组合物含有磷酸、硝酸、乙酸、磷酸盐阴离子表面活性剂和水。
蚀刻组合

[发明专利]薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物-CN200510112849.9有效
发明人：李骐范;曺三永;申贤哲;金南绪 -专利权人：东进世美肯株式会社
申请日： 2005-10-14 - 公布日： 2006-04-19 - 主分类号： G02F1/1368 文献下载
摘要：本发明涉及薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物，特别涉及含有硝酸、醋酸、氟盐、磷酸盐以及水的薄膜晶体管液晶显示器的蚀刻组合物。采用所述组合物通过单一工序即可以以下部膜Al－Nd不产生底切现象的方式对薄膜晶体管液晶显示器中构成像素电极的ITO及构成TFT的栅极配线材料Mo/Al－Nd双重膜进行湿式蚀刻，并可以获得优异的锥形，同时源极/漏极配线材料Mo单一膜也可以形成优异的轮廓。
薄膜晶体管液晶显示器蚀刻组合

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