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[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN202211667389.6在审
发明人：金志勋;金暋起;李元一;李赫宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-10-17 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：公开了半导体器件及制造其的方法。所述半导体器件包括下结构和上结构。所述下结构包括第一半导体衬底、第一焊盘和第一电介质层。所述上结构包括第二半导体衬底、第二焊盘和第二电介质层。所述上结构和所述下结构彼此接合以使得所述第一焊盘和所述第二焊盘彼此接触并且使得所述第一电介质层和所述第二电介质层彼此接触。所述第一焊盘与所述第二焊盘之间的第一界面所处的高度不同于所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的第二界面的高度。当在所述半导体器件的俯视图中观察时，所述第一焊盘的第一面积大于所述第二焊盘的第二面积。所述第二焊盘的第二厚度与所述第一焊盘的第一厚度不同。
半导体器件制造方法

[发明专利]内插器、半导体封装和制造内插器的方法-CN201710324633.1有效
发明人：姜芸炳;赵泰济;李赫宰;赵汊济 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-05-10 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种制造内插器的方法包括：提供载体基板；在载体基板上形成单元再分布层，该单元再分布层包括导电通路插塞和导电再分布线；以及从单元再分布层去除载体基板。形成单元再分布层包括：形成包括第一通路孔图案的第一光敏图案层；在第一光敏图案层上形成第二光敏图案层，第二光敏图案层包括第二通路孔图案和再分布图案；用导电材料至少部分地填充第一通路孔图案、第二通路孔图案和再分布图案的内部；以及执行平坦化以使单元再分布层的顶表面变平。根据该方法，在导电结构下面没有底切发生并且在相邻的导电结构之间没有气泡，因而器件可靠性增强并且图案精确性被实现。
内插半导体封装制造方法

[发明专利]半导体封装件-CN202211244826.3在审
发明人：金䪸起;白承德;朴秀贞;李赫宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2022-10-12 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种半导体封装件包括第一半导体芯片和第二半导体芯片，所述第一半导体芯片包括第一半导体层、穿透所述第一半导体层的第一贯通电极、连接到所述第一贯通电极的第一接合焊盘以及第一绝缘接合层，所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片上并且包括第二半导体层、接合到所述第一接合焊盘的第二接合焊盘和接合到所述第一绝缘接合层的第二绝缘接合层，其中，所述第一绝缘接合层包括第一绝缘材料，所述第二绝缘接合层包括与所述第一绝缘接合层形成接合界面的第一绝缘层和位于所述第一绝缘层上的第二绝缘层，所述第一绝缘层包括与所述第一绝缘材料不同的第二绝缘材料，并且所述第二绝缘层包括与所述第二绝缘材料不同的第三绝缘材料。
半导体封装

[发明专利]具有BS-PDN结构的集成电路芯片-CN202110757834.7在审
发明人：宋垠锡;白洪周;吴琼硕;李满浩;李赫宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2022-05-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种集成电路芯片包括：衬底，具有有源表面和与有源表面相反的背表面；前道工艺(FEOL)结构，设置在衬底的有源表面上；第一后道工艺(BEOL)结构，设置在FEOL结构上；中间连接层，设置在衬底的背表面下方，所述中间连接层包括电荷存储器和围绕电荷存储器设置的金属柱；以及再分布结构层，设置在中间连接层下方。
具有 bs pdn 结构集成电路芯片

[发明专利]半导体封装-CN202111029257.6在审
发明人：朴相天;李荣敏;金大祐;李赫宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-09-02 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体封装包括：第一半导体芯片，包括第一布线结构；在第一布线结构上以在第一方向上间隔开的第一接合焊盘和第一对准标记；第二半导体芯片，包括第二布线结构；在第二布线结构上并与第一接合焊盘连接的第二接合焊盘；以及在第二布线结构上以与第二接合焊盘间隔开并且在第二方向上不与第一对准标记重叠的第二对准标记，第一布线结构包括第一布线图案，第一布线图案连接到第一接合焊盘，并且在第二方向上不与第一对准标记和第二对准标记重叠，以及第二布线结构包括第二布线图案，第二布线图案连接到第二接合焊盘，并且在第二方向上不与第一对准标记和第二对准标记重叠。
半导体封装

[发明专利]封装的多芯片半导体装置-CN202110211890.0在审
发明人： 李赫宰;李种昊;金志勳;金泰勳;朴相天;薛珍暻;李相勳 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2021-02-25 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：提供了一种半导体封装件，所述半导体封装件包括：第一连接结构；第一半导体芯片，位于第一连接结构的上表面上；第一模制层，位于第一连接结构的上表面上，并且围绕第一半导体芯片；第一接合垫，位于第一半导体芯片上；第一接合绝缘层，位于第一半导体芯片和第一模制层上，并且围绕第一接合垫；第二接合垫，直接接触第一接合垫；第二接合绝缘层，围绕第二接合垫；以及第二半导体芯片，位于第二接合垫和第二接合绝缘层上。
封装芯片半导体装置

[发明专利]电池管理方法、电池设备和包括电池设备的车辆-CN202080005013.1在审
发明人： 李赫宰 -专利权人：株式会社LG化学
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： B60L58/16 文献下载
摘要：电池设备可以接收SOC设置范围，对至少一个电池组进行充电，基于至少一个电池组的状态信息来估计SOC，监视所估计的SOC是否达到与SOC设置范围的上限相对应的充电基参考值，并且在通过监视的结果确认所估计的SOC达到充电参考值时停止充电。SOC设置范围可以基于车辆的行驶信息来确定，并且可以在其中至少一个电池组中包括的电池单体的劣化最低的SOC限制范围内。
电池管理方法设备包括车辆

[发明专利]晶片至晶圆结合结构以及使用其的半导体封装件-CN202010640793.9在审
发明人：洪志硕;姜芸炳;姜明成;金泰勋;朴相天;李赫宰;黄智焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2020-07-06 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：根据本发明构思的一方面，提供了一种晶片至晶圆结合结构，其包括晶片，该晶片具有第一测试焊盘、形成在第一测试焊盘上的第一结合焊盘以及第一绝缘层，第一结合焊盘穿透第一绝缘层。该结构还可包括晶圆，该晶圆具有第二测试焊盘、形成在第二测试焊盘上的第二结合焊盘以及第二绝缘层，第二结合焊盘穿透第二绝缘层。该结构还可包括围绕第一结合焊盘的所有侧表面和第二结合焊盘的所有侧表面的聚合物层，该聚合物层布置在晶片和晶圆之间。此外，晶圆和晶片可被结合在一起。
晶片至晶圆结合结构以及使用半导体封装

[发明专利]包括测试焊盘的半导体封装及其形成方法-CN201911012964.7在审
发明人： 李赫宰;金泰勳;黄智焕;金志勳;洪志硕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-05-05 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：提供一种包括测试焊盘的半导体封装及其形成方法。所述半导体封装包括：基底，包括第一接合结构；以及第一半导体芯片，包括第二接合结构，第二接合结构耦合到基底的第一接合结构，其中所述第一接合结构包括：测试焊盘；第一焊盘，电连接到测试焊盘；以及第一绝缘层，其中所述第二接合结构包括：第二焊盘，电连接到第一焊盘；以及第二绝缘层，接触第一绝缘层，且其中所述测试焊盘的至少一部分接触第二绝缘层。
包括测试半导体封装及其形成方法

[发明专利]半导体封装-CN201911012951.X在审
发明人： 李赫宰;金志勳;金泰勳;洪志硕;黄智焕 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：提供一种半导体封装。半导体封装包括：下结构，包括上绝缘层及上焊盘；以及半导体芯片，设置在下结构上且包括下绝缘层及下焊盘。下绝缘层接触上绝缘层并耦合到上绝缘层，并且下焊盘接触上焊盘并耦合到上焊盘，且半导体芯片的旁侧在半导体芯片的上侧与下侧之间延伸且包括凹缩部分。
半导体封装

[发明专利]半导体封装件-CN201911016628.X在审
发明人：黄智焕;金志勋;洪志硕;金泰勋;李赫宰 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-05-01 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种半导体封装件包括：基底结构，所述基底结构具有基底焊盘；第一半导体芯片，所述第一半导体芯片位于所述基底结构上，并且具有结合到所述基底焊盘的第一连接焊盘；第一结合结构，所述第一结合结构包括基底结构的基底绝缘层以及所述第一半导体芯片的结合到所述基底绝缘层的第一下绝缘层；第二半导体芯片，所述第二半导体芯片位于所述第一半导体芯片上，具有连接到所述第一贯穿电极的第二连接焊盘；以及第二结合结构，所述第二结合结构包括所述第一半导体芯片的第一上绝缘层以及所述第二半导体芯片的结合到所述第一上绝缘层的第二下绝缘层，所述第一上绝缘层具有虚设绝缘部分，所述虚设绝缘部分延伸到所述第一半导体芯片周围的所述基底结构上。
半导体封装

[发明专利]用于管理非易失性存储器件的损耗均衡操作的半导体器件-CN201811221302.6在审
发明人：郑贤慜;金宣雄;李孝根;慎佑縡;李赫宰 -专利权人：爱思开海力士有限公司;首尔大学校产学协力团
申请日： 2018-10-19 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： G06F12/1009 文献下载
摘要：本申请公开了一种用于管理非易失性存储器件的损耗均衡操作的半导体器件。一种半导体器件可以包括介质控制器，该介质控制器被配置为将响应于接收的用于写入的写入请求的地址输出到非易失性存储器。该半导体器件还可以包括热地址检测器。热地址检测器被配置为：储存包括从介质控制器输出的地址且包括与该地址相关的元数据的列表；根据从介质控制器输出的地址来更新元数据；判断从介质控制器输出的地址是否为热地址；以及调整列表的长度。
介质控制器半导体器件非易失性存储器件地址检测器损耗均衡输出非易失性存储器更新元数据地址输出地址相关写入请求元数据配置写入储存响应管理申请

[发明专利]用于检测目标的车辆系统及其操作方法-CN201510920731.2有效
发明人：李圣柱;金敬焕;李赫宰 -专利权人：现代摩比斯株式会社;西江大学校产学协力团
申请日： 2015-12-11 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： G06T7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于检测目标的车辆系统及其操作方法，识别接近车辆的运动目标并发出警告，系统包括安装在车辆前方或后方的图像输入单元，用于捕捉车辆附近的图像；分析图像以检测接近车辆的运动目标的目标检测单元；用于从界面输出针对来自目标检测单元的运动目标的警告的控制单元。利用背景关键点的运动来提取上一幅图像和当前图像之间的差别图像，以此来检测运动目标；并通过追踪运动状态来发出警告。即使运动目标不具有关键点也很容易被检测到，且基于目标检测的计算量非常小，因此，所产生的工作量降低易于实时处理，并提高了用渐近法确定运动目标的精度，同时通过检测视线盲区来输出对接近的目标的警告，从而提高驾驶方便性和安全性。
用于检测目标车辆系统及其操作方法

[发明专利]专利纠纷预测装置及其方法-CN201611124465.3在审
发明人：姜宗锡;洪性和;李赫宰;郑贤相;沈炜 -专利权人：韩国科学技术情报研究院
申请日： 2016-12-08 - 公布日： 2018-04-10 - 主分类号： G06Q50/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种专利纠纷预测装置及其方法，所述专利纠纷预测装置包括关键词提取部，其在第一专利文献和第二专利文献的专利权利要求范围和发明的背景技术中分别提取关键词；相似度计算部，其利用所述提取的关键词来算出第一专利文献和第二专利文献之间的权利要求项相似度和背景技术相似度；共组相似度计算部，其对所述权利要求项相似度和背景技术相似度进行演算并算出共组相似度(co‑operative similarity)，将所述算出的共组相似度作为侵权人发现概率值。
专利纠纷预测装置及其方法

[发明专利]基板处理设备、用于处理基板的方法和基板处理系统-CN201610214879.9在审
发明人：金一焕;裵相泫;李赫宰;赵泰济;崔光喆 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-04-08 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：发明构思涉及一种基板处理设备、一种用于处理基板的方法和一种基板处理系统。所述设备包括：旋转卡盘，被构造成支撑基板；研磨头，设置在旋转卡盘上方并被构造成研磨由旋转卡盘支撑的基板；以及喷嘴构件，包括喷射喷嘴，所述喷射喷嘴被构造成将高压水喷射到由旋转卡盘支撑的基板。喷射喷嘴与基板叠置以将高压水喷射到基板的边缘。
处理设备用于方法系统

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