专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN202211667389.6在审
  • 金志勋;金暋起;李元一;李赫宰 - 三星电子株式会社
  • 2022-12-23 - 2023-10-17 - H01L23/488
  • 公开了半导体器件及制造其的方法。所述半导体器件包括下结构和上结构。所述下结构包括第一半导体衬底、第一焊盘和第一电介质层。所述上结构包括第二半导体衬底、第二焊盘和第二电介质层。所述上结构和所述下结构彼此接合以使得所述第一焊盘和所述第二焊盘彼此接触并且使得所述第一电介质层和所述第二电介质层彼此接触。所述第一焊盘与所述第二焊盘之间的第一界面所处的高度不同于所述第一电介质层与所述第二电介质层之间的第二界面的高度。当在所述半导体器件的俯视图中观察时,所述第一焊盘的第一面积大于所述第二焊盘的第二面积。所述第二焊盘的第二厚度与所述第一焊盘的第一厚度不同。
  • 半导体器件制造方法
  • [发明专利]半导体封装-CN202211480301.X在审
  • 金暋起;白承德 - 三星电子株式会社
  • 2022-11-23 - 2023-05-26 - H01L23/31
  • 半导体封装可以包括第一半导体芯片和在其顶表面上的第二半导体芯片。第一半导体芯片可以包括在第一半导体基板的顶表面上的第一接合焊盘以及在第一接合焊盘的底表面上并穿透第一半导体基板的第一穿透通路。第二半导体芯片可以包括在第二半导体基板的底表面上的第二互连图案以及在第二互连图案的底表面上并且联接到第二互连图案的第二接合焊盘。第二接合焊盘可以直接接合到第一接合焊盘。第一穿透通路的宽度可以小于第一接合焊盘的宽度,第二互连图案的宽度可以大于第二接合焊盘的宽度。
  • 半导体封装
  • [发明专利]半导体封装-CN202110792483.3在审
  • 金暋起;金德圭;郑在珉;河政圭;韩相旭 - 三星电子株式会社
  • 2021-07-13 - 2022-03-01 - H01L23/495
  • 公开了一种半导体封装,包括:半导体芯片;第一芯片焊盘,在半导体芯片的底表面上并且与半导体芯片的第一方向上的第一侧表面相邻,该第一侧表面在平面图中在第一方向上与第一芯片焊盘分开;以及,第一引线框,耦接到第一芯片焊盘。第一引线框包括:第一部分,在第一芯片焊盘的底表面上,并且从第一芯片焊盘在第二方向上延伸,该第二方向上与第一方向相反并且远离半导体芯片的第一侧表面;以及第二部分,当在平面图中查看时,第二部分连接到第一部分的第一端部并且沿第一方向延伸,以在穿过第一芯片焊盘的一侧以后、延伸到超过半导体芯片的第一侧表面。
  • 半导体封装

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