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专利名称

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申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]具有垂直沟道结构的半导体器件及其制造方法-CN201910951061.9有效
发明人：李昌炫;朴镇泽;朴泳雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2014-08-29 - 公布日： 2023-07-07 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本发明提供具有垂直沟道结构的半导体器件及其制造方法。该方法包括：在衬底上交替地形成多个牺牲层和多个绝缘层，多个牺牲层包括第一牺牲层和在第一牺牲层上的多个第二牺牲层，多个第二牺牲层包括与第一牺牲层的材料不同的材料；形成穿过多个牺牲层和多个绝缘层的沟道孔以暴露衬底的顶表面；在沟道孔的内壁上形成侧壁保护层；形成填充沟道孔的底部的沟道接触层，其中沟道接触层的顶表面位于比多个第二牺牲层当中的最下面的第二牺牲层的底表面低的水平处；完全去除侧壁保护层；在沟道孔的内壁上形成接触沟道接触层的沟道层；去除第一牺牲层；以及在第一牺牲层被去除的位置处形成第一栅电极。
具有垂直沟道结构半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件-CN201810775945.9有效
发明人：尹太焕;朴镇泽 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-02-12 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B43/35 文献下载
摘要：本发明提供半导体器件。一种半导体器件包括：栅电极，沿垂直方向堆叠在衬底上；垂直沟道结构，穿透栅电极以电连接到衬底；导电衬垫，从相应的栅电极水平地延伸；以及接触插塞，电连接到导电衬垫中的相应导电衬垫；其中导电衬垫中的每个包括延伸区和在接触插塞中的相应接触插塞下面的接触区，其中栅电极包括第一栅电极和第二栅电极，第一栅电极位于第一垂直高度，且第二栅电极位于与第一垂直高度不同的第二垂直高度，自第一栅电极延伸的第一导电衬垫具有其厚度等于第一导电衬垫的第一延伸区的厚度的第一接触区，以及自第二栅电极延伸的第二导电衬垫具有其厚度大于第二导电衬垫的第二延伸区的厚度的第二接触区。
半导体器件

[发明专利]窗体以及包括其的显示装置-CN202211253130.7在审
发明人： 朴镇泽;曹钟甲 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-10-13 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本发明公开了一种窗体以及包括其的显示装置，根据一实施例的窗体包括：基底基板，界定有透射区域以及相邻于所述透射区域的边框区域；以及遮光图案，配置于所述基底基板上，并重叠于所述边框区域，所述遮光图案包括：第一遮光图案，配置于所述基底基板上，并具有第一宽度；以及第二遮光图案，配置于所述第一遮光图案上，并具有与所述第一宽度不同的第二宽度，所述第一遮光图案与所述第二遮光图案包含彼此不同的物质。
窗体以及包括显示装置

[发明专利]半导体装置和制造半导体装置的方法-CN202210478981.5在审
发明人：方丙燦;朴镇泽;李晶允 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本公开涉及半导体装置和制造半导体装置的方法。所述半导体装置包括：层叠结构，所述层叠结构包括交替堆叠的多个层间绝缘层和多个栅极导电层；沟道插塞，所述沟道插塞至少部分地穿过单元区域上的所述层叠结构；以及多个支撑结构，所述多个支撑结构至少部分地穿过接触区域上的所述层叠结构。
半导体装置制造方法

[发明专利]显示设备-CN202210438945.6在审
发明人：金秀哲;朴镇泽;徐基盛;宋大镐;尹昭妍;崔镇宇 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本申请涉及显示设备。显示设备包括：堤图案，设置在衬底上；发光元件，在衬底上设置在堤图案的侧表面之间；以及滤色器层，设置在堤图案的侧表面之间并且设置在发光元件上。发光元件和堤图案包括相同的材料。
显示设备

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202210472597.4在审
发明人：宋大镐;金秀哲;朴镇泽;吕少英;李嶷伊;赵珠完 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G09F9/33 文献下载
摘要：本申请涉及显示装置及其制造方法。显示装置可以包括：显示元件部，设置在衬底上并且包括发光元件；以及颜色转换部，设置在显示元件部上并且改变从发光元件发射的光的波长。颜色转换部可以包括绝缘结构层、第一分隔壁结构层和第一波长转换部分，第一分隔壁结构层可以包括第一壁，并且可以设置在绝缘结构层和显示元件部之间，第一波长转换部分可以设置在由第一壁限定的空间中，以及第一分隔壁结构层可以包括基于硅的材料。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202210477914.1在审
发明人：金秀哲;宋大镐;朴镇泽;吕少英;李嶷伊 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-04-29 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本申请涉及显示装置及其制造方法。显示装置包括设置在衬底上的像素。像素中的每个包括：像素电路层，设置在衬底上并且包括至少一个晶体管；第一电极，设置在像素电路层上并且电连接到至少一个晶体管；堤部，设置在第一电极上，堤部包括暴露第一电极的开口；导电图案，在堤部的侧表面上设置成围绕堤部的开口，并且设置在暴露的第一电极上；发光元件，在堤部的开口中设置在导电图案上并且电连接到第一电极；以及第二电极，设置在发光元件上。导电图案是将从发光元件发射的光向第二电极的上部分引导的引导构件。
显示装置及其制造方法

[发明专利]显示设备及其制造方法-CN202210330174.9在审
发明人：吕少英;宋大镐;金秀哲;朴镇泽;李嶷伊 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2022-03-28 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： H01L27/32 文献下载
摘要：本公开涉及显示设备及其制造方法。所述显示设备包括：公共电极；发光元件，包括共同电连接到公共电极的阳极；第一接触电极，分别电连接到发光元件的阴极；电路衬底；以及第二接触电极，设置在电路衬底上，并且分别电连接到第一接触电极和公共电极。
显示设备及其制造方法

[发明专利]包括具有三维结构的存储单元阵列的非易失性存储器-CN201810449868.8有效
发明人： 朴镇泽;朴泳雨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2013-12-04 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：提供了一种非易失性存储器，其包括：在基底上在垂直于基底的方向上交替堆叠的多个沟道层和多个绝缘层，所述多个沟道层中的每一个包括在与基底平行的平面上沿第一方向延伸的多个沟道膜；多个导电材料，其从所述沟道层和所述绝缘层的顶部、在垂直于基底的方向上、通过每个沟道层的沟道膜中的区域延伸直到邻近基底的部分；多个信息存储膜，其在所述沟道层的沟道膜和所述导电材料之间提供；以及多个位线，其分别连接到所述沟道层。其中，所述导电材料、所述信息存储膜以及所述沟道层的沟道膜形成三维存储单元阵列；其中，所述导电材料形成多个组；并且其中，组之间的距离比彼此中导电材料之间的距离更长。
包括具有三维结构存储单元阵列非易失性存储器

[发明专利]显示装置-CN202110922100.X在审
发明人：金泽洙;朴镇泽;秋宗杬;金东豪 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L51/52 文献下载
摘要：本申请涉及显示装置，包括衬底、设置在所述衬底上的显示元件层、以及设置在所述显示元件层上的窗。所述窗包括显示区域和外围区域，其中所述窗包括基层、设置在所述基层的一侧上并且包括开口的印刷层、重叠所述开口并且包含红外墨的第一墨层、以及重叠所述开口并且包含白色墨的第二墨层。
显示装置

[发明专利]标记基板和显示设备-CN202110863288.5在审
发明人： 朴镇泽;秋宗杬 -专利权人：三星显示有限公司
申请日： 2021-07-29 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：公开了标记基板和显示设备。标记基板包括基底基板；设置在基底基板上的挡光层，其中开口或凹槽限定在挡光层中；和红外透射构件。红外透射构件的至少一部分设置在挡光层的开口或凹槽中，以限定具有二维形状并且与相邻区域从光学上区分的标记。
标记显示设备

[发明专利]半导体装置及该半导体装置的制造方法-CN202010806529.8在审
发明人：李相龙;权世峻;金相民;朴镇泽;吴尚炫 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-12 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：半导体装置及该半导体装置的制造方法。一种半导体装置，该半导体装置包括：布线；布线上的源极结构；源极结构上的堆叠结构；穿透堆叠结构的第一狭缝结构；穿透堆叠结构的第二狭缝结构；以及在第一方向上与第一狭缝结构相邻的接触插塞。第一狭缝结构和第二狭缝结构可以在垂直于第一方向的第二方向上彼此间隔第一距离。接触插塞穿透源极结构，该接触插塞电连接到下部布线。第一狭缝结构和接触插塞可以在第一方向上彼此间隔第二距离，并且第二距离可以比第一距离长。
半导体装置制造方法

[发明专利]半导体存储器装置-CN202010823955.2在审
发明人：姜秉佑;高旻圣;金光频;金活杓;朴镇泽;洪暎玉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-08-17 - 公布日： 2021-05-11 - 主分类号： H01L27/11573 文献下载
摘要：一种半导体存储器装置，该半导体存储器装置包括：基板，其包括外围电路；阶梯状虚设层叠物，其与基板交叠并且包括在第一方向上延伸的多个台阶；多个触点组，其穿过阶梯状虚设层叠物；以及多条上线，其分别连接到触点组。多个触点组包括具有布置在第一方向上的两个或更多个第一接触插塞的第一触点组。多条上线包括共同连接到第一接触插塞的第一上线。
半导体存储器装置

[发明专利]存储器件-CN201710037082.0有效
发明人：柳璋铉;朴镇泽;申宅秀;李成润 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-01-18 - 公布日： 2021-04-23 - 主分类号： H01L27/11551 文献下载
摘要：本公开涉及存储器件。一种存储器件，其包括衬底、多个沟道柱、栅堆叠、层间绝缘层、多个第一沟槽、以及至少一个第二沟槽。衬底包括单元阵列区和连接区。沟道柱在单元阵列区中与衬底的上表面交叉。栅堆叠包括围绕单元阵列区中的构道柱的多个栅电极层。栅电极层在连接区中延伸至不同长度从而形成阶梯式结构。层间绝缘层在栅堆叠上。第一沟槽将栅堆叠和层间绝缘层划分成多个区域。所述至少一个第二沟槽在连接区中的层间绝缘层内并且在第一沟槽之间。
存储器件

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202010561455.6在审
发明人：姜秉佑;权世峻;李昇珉;金活杓;朴镇泽;韩承佑;洪暎玉 -专利权人：爱思开海力士有限公司
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本公开涉及半导体器件及其制造方法。例如，一种半导体器件包括：堆叠结构，包括单元区域和接触区域；沟道结构，穿透堆叠结构的单元区域；沟槽，穿透堆叠结构的接触区域以到达不同深度；以及停止结构，穿透堆叠结构的接触区域，停止结构位于沟槽之间。
半导体器件及其制造方法

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