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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种半导体晶圆石英舟-CN202020697424.9有效
发明人：杨超;朱厚彬;张秀全;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-11-24 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体晶圆石英舟，所述半导体晶圆石英舟与现有技术中的石英舟相比，具有较小的槽宽和槽深，以及较大的齿槽坡口的角度，通过设定特定槽棒的位置，使得晶圆在放置于所述半导体晶圆石英舟后在持续气流的作用下能够保持稳定，相邻晶圆不易贴合，取放方便，不易对晶圆表面造成划伤。
一种半导体圆石

[实用新型]应用于晶圆的匀胶机-CN201922126784.3有效
发明人：李洋洋;张秀全;朱厚彬;罗具廷;刘桂银 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： B05C13/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种应用于晶圆的匀胶机，包括匀胶碗、真空吸盘以及定位组件，其中：所述匀胶碗中设置有所述真空吸盘，所述真空吸盘通过真空通道连接于真空泵；所述定位组件包括：限位件、升降柱以及驱动电机和控制器，沿所述真空吸盘的周向方向设置所述限位件，由所述限位件围成圆形限位区域，所述限位区域的直径与晶圆基片的直径相等，且所述限位区域的圆心与所述真空吸盘的中心重合；所述限位件连接于所述升降柱，升降柱连接于驱动电机，驱动电机连接于控制器。本申请中的匀胶机既能够保证晶圆基片的圆心与真空吸盘的中心重合，进而确保后续匀胶过程光刻胶厚度的均匀性，还能够避免发生匀胶过程中的反胶现象，进一步保证了光刻胶厚度的均匀性。
应用于匀胶机

[实用新型]匀胶机-CN201922108631.6有效
发明人：张秀全;朱厚彬;罗具廷;李真宇;张涛 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2019-11-29 - 公布日： 2020-08-14 - 主分类号： B05C13/00 文献下载
摘要：本申请公开了一种匀胶机，包括匀胶碗、盖体以及真空吸盘，其中：匀胶碗中设置有真空吸盘，真空吸盘通过真空通道连接于真空泵；盖体扣合于匀胶碗，盖体为透明状，盖体的中心位置开设有滴胶口，滴胶口与真空吸盘的中心位于同一铅垂线上；滴胶口可拆卸连接有密封塞，密封塞包括一体成型的塞帽和内塞，塞帽的尺寸大于滴胶口的尺寸，内塞嵌合于滴胶口中；匀胶碗的侧壁上开设有基片口，基片口的位置高于真空吸盘的位置，基片口设置有密封门，密封门可上下提动。本申请通过位于基片中心正上方的滴胶口，确保操作人员将试剂滴加至基片中心位置，从而保证了液体材料的厚度均匀性。且通过基片口能够高效的更换基片，从而无需反复开合盖体，提高匀胶的效率。
匀胶机

[发明专利]一种集成光学复合基板-CN202010325876.9在审
发明人：张秀全;朱厚彬;张涛;李真宇;刘桂银 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-08-04 - 主分类号： G02F1/01 文献下载
摘要：本申请公开一种集成光学复合基板，包括：单晶硅衬底、第一隔离层、第二隔离层、第三隔离层、有源层、光传输层和光调制层，其中，所述单晶硅衬底、第一隔离层、第二隔离层、第三隔离层和光调制层依次叠加；所述有源层嵌入所述第二隔离层，所述光传输层嵌入所述第三隔离层；所述第一隔离层、第二隔离层和第三隔离层的折射率均小于所述光传输层和所述光调制层的折射率。以解决现有光学基板在用于制备光集成器件时，需要外加光源，增加了光集成器件的体积以及使得器件制备工艺流程变得复杂的问题。
一种集成光学复合

[发明专利]一种键合衬底晶圆与单晶压电晶圆的方法及复合单晶压电晶圆基板-CN202010326702.4在审
发明人：张涛;朱厚彬;张秀全;李真宇;李洋洋 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-04-23 - 公布日： 2020-07-31 - 主分类号： H01L21/18 文献下载
摘要：本申请提供一种键合衬底晶圆与单晶压电晶圆的方法以及由该方法制备的复合单晶压电晶圆基板，所述方法在键合前对单晶压电晶圆的键合面进行损伤，形成与衬底晶圆键合面晶格排布相近的损伤层，从而减小键合界面应力集中，提高复合单晶压电晶圆基板的结构稳定性，本申请还提供一种制备复合单晶压电薄膜的方法，所述方法通过在注入片的薄膜层表面进行损伤形成损伤层，再基于所述损伤层与衬底晶圆进行键合，最后除去注入片中的余料层，从而提高复合单晶压电薄膜基板的结构稳定性。
一种衬底压电方法复合晶圆基板

[发明专利]一种用于端面抛光的夹具及其使用方法-CN202010361380.7在审
发明人：王金翠;胡卉;张秀全;朱厚彬;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-04-30 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：本申请公开一种用于端面抛光的夹具及其使用方法，夹具包括：容置槽体、上护板、砝码柱和若干个砝码；所述容置槽体包括底板和侧板，所述侧板上设置有至少三个调节螺钉；所述上护板位于所述容置槽体内，且所述上护板与所述调节螺钉垂直；所述砝码柱固定在所述底板，且与所述底板垂直；所述砝码的中心设置有套孔，通过所述套孔，所述砝码套设在所述砝码柱上。以解决现有夹具无法实现在不同抛光阶段对样品施加不同压力的问题。
一种用于端面抛光夹具及其使用方法

[发明专利]一种非线性光学用基板及其制备方法-CN202010258491.5在审
发明人：闫庆龙;朱厚彬;张秀全;李真宇;杨超 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2020-04-03 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L41/083 文献下载
摘要：本申请提供一种非线性光学用基板及其制备方法，本申请提供的制备非线性光学用基板的方法仅采用可在常温下进行的键合工艺，工艺难度低，而不涉及施加外加电压，从而有效避免由于施加高压电场而导致的击穿风险，并且，本申请提供的方法也不涉及表面镀电极或者光刻等处理工艺，能够有效避免由于表面镀电极而造成的非线性光学用基板表面质量变差的问题；利用本申请提供的方法制备的非线性光学用基板，包括多层叠加键合的压电单晶层1，相邻两层压电单晶层1的极化方向相反，其具有完全贯穿的垂直电畴壁，并且，极化周期以及周期数量灵活可控，由于不受表面电极以及矫顽电场的影响，PPLN的总厚度可以大大提高。
一种非线性光学用基板及其制备方法

[发明专利]单晶薄膜复合基板及其制造方法-CN201911113721.2在审
发明人：张秀全;朱厚彬;罗具廷;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2019-11-14 - 公布日： 2020-02-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种单晶薄膜复合基板及其制造方法，所述单晶薄膜复合基板包括：衬底基板；隔离层，位于衬底基板上；补偿层，位于衬底基板下；单晶薄膜功能层，位于隔离层上，其中，隔离层和补偿层由相同的材料形成。本发明解决了单晶薄膜复合基板中的衬底基板明显翘曲的缺陷，并且同时避免了制备工艺的繁琐且降低了工艺成本。
薄膜复合及其制造方法

[发明专利]超薄超平晶片基板及其制备方法-CN201710954447.6在审
发明人： 朱厚彬;罗具廷;胡卉;薛海蛟;张秀全;李真宇 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2017-10-13 - 公布日： 2019-04-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：提供了一种制备超薄超平晶片基板的方法及一种超薄超平晶片基板。该方法包括：准备原始基板和衬底基板；利用离子注入法处理原始基板，以形成薄膜层和余质层以及位于薄膜层与余质层之间的注入层；在衬底基板的一个表面上形成隔离层；使原始基板的薄膜层的表面与衬底基板的隔离层的表面接触，以形成键合体；将键合体上的原始基板研磨至目标厚度；将键合体加热到实现薄膜层分离的温度，并保温预定时间，从而同时形成超薄超平晶片基板以及包括具有薄膜层、隔离层以及衬底基板的三层结构的纳米级单晶复合薄膜基板。
薄膜层衬底基板原始基板片基板平晶隔离层合体质层制备离子注入法复合薄膜三层结构研磨纳米级注入层单晶基板加热保温

[实用新型]纳米级单晶薄膜-CN201820963329.1有效
发明人：胡卉;朱厚彬;胡文;罗具廷;张秀全;李真宇;李洋洋 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：提供了一种可以改善单晶薄膜与衬底键合力的纳米级单晶薄膜。所述纳米级单晶薄膜包括纳米级单晶薄膜层、第一过渡层、隔离层、第二过渡层和衬底层，第一过渡层位于纳米级单晶薄膜层与隔离层之间，第二过渡层位于隔离层与衬底层之间。本实用新型提供了一种具有减少的内部缺陷和增大的键合力的纳米级单晶薄膜，可减少传输损耗并且可避免纳米级单晶薄膜在切割工艺中发生大面积的解键合现象，从而可以提高纳米级单晶薄膜的使用率和电子器件的成品率。
纳米级单晶薄膜过渡层隔离层单晶薄膜层衬底层键合力本实用新型传输损耗电子器件内部缺陷成品率增大的使用率衬底键合切割

[实用新型]复合单晶薄膜-CN201820963295.6有效
发明人： 朱厚彬;李真宇;胡文;胡卉;李洋洋 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种复合单晶薄膜，所述复合单晶薄膜可以包括以下七层结构：衬底；第一过渡层，位于衬底上；第一隔离层，位于第一过渡层上；第二过渡层，位于第一隔离层上；第一薄膜层，位于第二过渡层上；第三过渡层，位于第一薄膜层上；以及第二薄膜层，位于第三过渡层上。本实用新型可以将第一薄膜层和第二薄膜层两者各种的优异特性结合，从而提高了复合单晶薄膜的性能，并且具有表面平整的过渡层可减少信号在传播过程中的散射并分散单晶薄膜之间的应力，以减少单晶薄膜的缺陷和传输损耗。
过渡层单晶薄膜薄膜层复合隔离层衬底本实用新型表面平整传播过程传输损耗减少信号七层结构特性结合散射

[发明专利]复合单晶薄膜-CN201810646430.9在审
发明人： 朱厚彬;李真宇;胡文;胡卉;李洋洋 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-09-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：提供了一种复合单晶薄膜，所述复合单晶薄膜可以包括以下七层结构：衬底；第一过渡层，位于衬底上；第一隔离层，位于第一过渡层上；第二过渡层，位于第一隔离层上；第一薄膜层，位于第二过渡层上；第三过渡层，位于第一薄膜层上；以及第二薄膜层，位于第三过渡层上，其中，第一过渡层、第二过渡层和第三过渡层可以包括H和Ar。
过渡层单晶薄膜薄膜层隔离层复合衬底七层结构

[发明专利]纳米级单晶薄膜-CN201810644600.X在审
发明人：胡卉;朱厚彬;胡文;罗具廷;张秀全;李真宇;李洋洋 -专利权人：济南晶正电子科技有限公司
申请日： 2018-06-21 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： H01L41/18 文献下载
摘要：提供了一种纳米级单晶薄膜。所述纳米级单晶薄膜包括纳米级单晶薄膜层、第一过渡层、隔离层、第二过渡层和衬底层，第一过渡层位于纳米级单晶薄膜层与隔离层之间，第二过渡层位于隔离层与衬底层之间，其中，第一过渡层包含一定浓度的H元素。
过渡层纳米级单晶薄膜隔离层单晶薄膜层衬底层

[发明专利]一种制备铌酸钠钾纳米棒的溶胶-凝胶方法-CN201210047754.3有效
发明人：张德庆;杨秀英;朱厚彬 -专利权人：齐齐哈尔大学
申请日： 2012-02-28 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： C01G33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种采用溶胶-凝胶法制备铌酸钠钾纳米棒的工艺。称取一定量的氢氧化铌和酒石酸钾钠，按照摩尔比Nb(OH)5∶草酸＝1∶3称取草酸溶于90℃去离子水中，将Nb(OH)5溶于该溶液形成Nb-草酸溶液，反应1h至溶液变澄清。按照分子式(Na0.5K0.5)NbO3中钠钾与铌的摩尔比加入酒石酸钾钠充分反应0.5h。用氨水调节溶液pH值至2.5～3.5后向溶液中加入乙二醇，搅拌2h，得到淡黄色透明前驱体溶胶。在90℃鼓风干燥箱中恒温干燥24小时使凝胶化和凝胶的干燥一次完成，研磨后放入烧结炉中在750℃下烧结3h，控制不同的升温速率0.5～3℃/min以获得单晶结构铌酸钠钾纳米棒。
一种制备铌酸钠钾纳米溶胶凝胶方法

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