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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]OCD测试图形结构及其制造方法-CN201910697715.X有效
发明人： 曾翔旸;叶荣鸿;刘立尧 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-07-30 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种OCD测试图形结构，OCD测试图形结构形成于器件形成区域外部的半导体衬底上。半导体器件包括多个器件工艺层，OCD测试图形结构和器件工艺层中的被测试器件工艺层对应且用于对被测试器件工艺层的图形结构进行模拟。OCD测试图形结构采用由多个测试工艺层叠加而成的堆栈式结构，各测试工艺层和对应的各器件工艺层的工艺条件一一对应且具有对应的器件工艺层中的图形结构。本发明还公开了一种OCD测试图形结构的制造方法。本发明能克服图形负载效应对OCD测量精度的影响，提高OCD测量精度。
ocd 测试图形结构及其制造方法

[发明专利]铜互连工艺的制造过程-CN201910788021.7在审
发明人： 曾翔旸;叶荣鸿;刘立尧;胡展源 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2019-08-26 - 公布日： 2019-11-26 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明涉及铜互连工艺的制造过程，涉及半导体集成电路制造工艺，藉由UTM介质阻挡层沉积工艺；UTM通孔氧化层沉积工艺；UTM介质阻挡层沉积工艺；UTV光刻工艺；UTV刻蚀工艺；UTV湿法清洗工艺；UTM通孔氧化层沉积工艺；UTM介电抗反射层(DARC)沉积工艺；UTM光刻工艺；UTM刻蚀工艺；UTM湿法清洗工艺；UTM掩埋种子层沉积工艺；UTM电镀铜工艺及铜平坦化工艺形成铜互连线，此形成铜互连工艺步骤少，成本低，且可提高铜互连的性能和可靠性。
沉积铜互连湿法清洗工艺介质阻挡层光刻工艺刻蚀工艺氧化层通孔半导体集成电路制造介电抗反射层电镀铜工艺工艺步骤铜互连线制造过程平坦化种子层掩埋

[发明专利]OPC修正方法-CN201810234193.5在审
发明人：李镇全;曾翔旸 -专利权人：上海华力集成电路制造有限公司
申请日： 2018-03-21 - 公布日： 2018-09-04 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：本发明公开了一种OPC修正方法，包括步骤：步骤一、定义出数据收集的图案和区域；步骤二、采用显影后检查收集显影后各区域对应的图案的大小；步骤三、采用刻蚀后检查收集刻蚀后各区域对应的图案的大小；步骤四、根据步骤二和三收集的数据计算各图案在不同区域的尺寸差并得到图案在各区域中的负载效应；步骤五、根据步骤四的反应了负载效应的各图案在不同区域的尺寸差进行对应图案的OPC修正，通过OPC修正来补偿不同区域的图案的尺寸差。本发明能使光刻刻蚀后不同区域的图案特别是接触孔的尺寸差异变小并都达到目标值范围，能提高工艺窗口范围。
图案尺寸差负载效应区域对应刻蚀显影尺寸差异工艺窗口数据计算数据收集接触孔变小检查

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