专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种原子层沉积设备-CN202210732352.0有效
  • 万军;兰丽丽 - 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
  • 2022-06-27 - 2022-09-16 - C23C16/455
  • 本发明公开了一种原子层沉积设备,涉及半导体技术领域。该原子层沉积设备包括驱动件、升降板、沉积腔室、第一样品台、第二样品台、第一弹性件、第二弹性件、第一扩散壳和第二扩散壳。驱动件与升降板连接,第一样品台通过第一弹性件与升降板连接,第二样品台通过第二弹性件与升降板连接,第一扩散壳和第二扩散壳均固定安装于沉积腔室内,驱动件能够在第一样品台与第一扩散壳抵持后继续带动升降板升起,直至第二样品台与第二扩散壳抵持,第一弹性件用于在驱动件继续带动升降板升起的过程中发生压缩形变。本发明提供的原子层沉积设备能够同时实现两个晶圆的沉积镀膜,在具有高沉积效率的同时具有高密封性,沉积效果好,并且便于维护。
  • 一种原子沉积设备
  • [发明专利]晶片定位设备及其控制方法-CN202210732910.3有效
  • 孙文彬;朱磊 - 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
  • 2022-06-27 - 2022-09-16 - H01L21/68
  • 本发明的实施例提供了一种晶片定位设备及其控制方法,涉及半导体技术领域。晶片定位设备包括定位腔体、水冷却盘、晶片定位器、晶片定位传感器和晶片定位转盘,定位腔体内部具有容置空腔;水冷却盘通过支架安装在容置空腔内,水冷却盘上开设有缺口;晶片定位器安装在定位腔体的底部、且延伸至缺口内;晶片定位传感器安装在定位腔体的顶部、且与晶片定位器正对设置;晶片定位转盘安装在晶片定位器的顶部、且位于缺口内,晶片定位转盘的顶面用于承载晶片,晶片定位转盘的顶面高于水冷却盘的顶面。晶片定位设备能够将定位功能和冷却功能集成在一个腔体中,并且结构简单、搭配合理、成本较低。
  • 晶片定位设备及其控制方法
  • [发明专利]代码优化方法、装置、电子设备和存储介质-CN202210732866.6有效
  • 阮正华;孙文彬 - 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
  • 2022-06-27 - 2022-09-02 - G06F11/36
  • 本发明提供一种代码优化方法、装置、电子设备和存储介质,其中方法包括:对目标代码进行缺陷分析,得到目标代码中存在缺陷的若干个待改进代码段以及待改进代码段的代码问题类型;基于若干个待改进代码段在目标代码中的全局影响程度,确定若干个待改进代码段的优化顺序;针对当前待改进代码段,基于当前待改进代码段的代码问题类型对应的优化插件,生成多个优化代码段以及优化代码段的基础评分;将多个优化代码段分别置于目标代码中进行功能测试,得到多个优化代码段的测试评分;基于优化代码段的基础评分和测试评分,确定最优优化代码段,并基于最优优化代码段替换当前待改进代码段。本发明可以提高半导体设备控制软件的代码稳定性和可维护性。
  • 代码优化方法装置电子设备存储介质
  • [发明专利]半导体真空传输平台及其控制方法-CN202210738038.3有效
  • 孙文彬;张璞 - 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
  • 2022-06-28 - 2022-09-02 - H01L21/67
  • 本发明提供一种半导体真空传输平台及其控制方法,涉及半导体技术领域。半导体真空传输平台的第一调节地脚调节活动门的高度;第二调节地脚和可调节框架分别粗调和细调承载腔体、定位腔体和机械手腔体的高度,以使三腔体的中心面处于同一平面;机械手腔体中设置有机械臂,机械臂用于将承载腔体中的晶舟的晶圆逐个转运至定位腔体实现定位、并在抽真空管路对承载腔体和机械手腔体抽真空至二者压力平衡后,将晶圆经过机械手腔体、进入工艺腔体进行加工。这样,能够在保持所需要真空度的前提下,将晶圆承载、传输、定位以及工艺制程集成,消除不同工艺之间晶圆搬运及建真空、破真空的步骤,提高晶圆制程效率,降低晶圆被污染的风险,提高产品良率。
  • 半导体真空传输平台及其控制方法
  • [发明专利]晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备-CN202210888360.4在审
  • 戴建波;孙文彬;刘龙龙 - 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
  • 2022-07-27 - 2022-08-30 - H01L21/677
  • 本发明的实施例提供了一种晶圆加热转移装置和化学气相沉积设备,涉及半导体技术领域。晶圆加热转移装置包括加热盘、转移手指和驱动机构,加热盘中部开设有通孔,在通孔的周围还开设有多个凹槽,加热盘用于承载晶圆、并对晶圆加热;转移手指安装在凹槽内,转移手指用于转移晶圆;驱动机构安装在通孔内,驱动机构与转移手指连接,驱动机构用于带动转移手指相对于加热盘升降、旋转。其中,凹槽的形状与转移手指的形状相适配,转移手指包括主干和多个分支,多个分支连接在主干的同一侧,相邻两个转移手指的分支用于支撑起同一个晶圆。晶圆加热转移装置能够提高晶圆受热的均匀性,使晶圆上产生的沉积膜的厚度均匀。
  • 加热转移装置化学沉积设备
  • [发明专利]一种PECVD反应装置-CN202210622680.5在审
  • 孙文彬;刘龙龙 - 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
  • 2022-06-01 - 2022-08-30 - C23C16/50
  • 本发明提供了一种PECVD反应装置,涉及半导体技术领域。PECVD反应装置包括托盘组件、支撑盘、真空反应腔体、传动组件以及旋转升降机构。托盘组件和支撑盘均设置于真空反应腔体内,真空反应腔体为真空密封腔体,支撑盘用于承载晶圆,托盘组件用于对承载于支撑盘上的晶圆进行加工。传动组件的一端进入真空反应腔体并与支撑盘连接,另一端与旋转升降机构连接,旋转升降机构用于带动支撑盘进行升降和旋转运动。因此,本发明提供的PECVD反应装置采用模块化设计,整体结构简单,升降和旋转控制简单,加工效率高,能够精准且稳定地输送晶圆,从而提高晶圆加工工艺的均匀性及稳定性。
  • 一种pecvd反应装置
  • [发明专利]半导体工艺机台的自由控制方法与装置-CN202210532140.8有效
  • 阮正华;黄寒铁 - 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
  • 2022-05-17 - 2022-08-30 - G05B19/418
  • 本申请提供一种半导体工艺机台的自由控制方法和装置,其中方法包括:基于目标半导体工艺机台的工艺流程节点确定目标半导体工艺机台对应的多个工艺流程模块以及各工艺流程模块对应的加工设备,获取目标工艺流程模块对应的目标加工设备的候选接口定义,基于候选接口定义与目标工艺流程模块的功能匹配结果确定目标接口定义,基于目标加工设备的厂商和型号获取目标加工设备的操作文档,基于目标加工设备对应的目标接口定义和操作文档生成目标加工设备的驱动程序,基于目标加工设备的驱动程序生成目标半导体工艺机台的控制程序,并基于控制程序对目标半导体工艺机台进行自由控制,能够缩短半导体工艺机台控制软件的研发和维护周期,降低成本。
  • 半导体工艺机台自由控制方法装置
  • [发明专利]机台工艺环境的配置方法与装置-CN202210603065.X有效
  • 阮正华;张剑 - 江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
  • 2022-05-31 - 2022-08-23 - H01L21/67
  • 本申请提供一种机台工艺环境的配置方法与装置,机台包括PLC、传送腔室和工艺腔室,方法包括:确定PLC中用于工艺环境配置的I/O点位,基于AI点位的输入值确定传送腔室与工艺腔室的初始压力差,并在初始压力差大于预设阈值的情况下,基于第一阀门配置信息对目标阀门进行第一开关操作,对传送腔室和工艺腔室分别进行抽真空操作,并在操作结束且工艺腔室与传送腔室的当前压力差大于预设阈值的情况下,对当前压力较大的目标腔室继续进行抽真空操作直至工艺腔室与传送腔室的压力差不大于预设阈值,基于第二阀门配置信息对目标阀门进行第二开关操作,并输出工艺环境配置完成提示信息,能够提高机台工艺环境的配置效率和质量。
  • 机台工艺环境配置方法装置

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