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[发明专利]一种调节定位机构、调节定位方法以及半导体去胶机-CN202211179204.7有效
发明人：戴建波;杜马峰 -专利权人： 无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：本发明公开了一种调节定位机构、调节定位方法以及半导体去胶机，涉及半导体技术领域。该调节定位机构包括框体、底架、安装板、驱动件和支撑柱。框体设置于底架的上方，安装板连接于框体，安装板设置有凸台，驱动件固定安装于底架，且与支撑柱传动连接，支撑柱沿竖直方向延伸设置，且与凸台配合，驱动件能够通过支撑柱带动安装板升起或者降落，以调节框体相对于底架的高度。与现有技术相比，本发明提供的调节定位机构由于采用了安装于底架的驱动件以及与凸台配合的支撑柱，所以结构简单，能够对框体的相对高度进行调整，提高框体的水平度，并且调平效率高，调平效果好，能够实现高精度水平度的调节，保证机械手正常工作。
一种调节定位机构方法以及半导体去胶机

[发明专利]机台故障后的晶圆任务管理方法和装置-CN202210953343.4有效
发明人：万军;林政勋 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-08-10 - 公布日： 2022-12-20 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：本发明提供一种机台故障后的晶圆任务管理方法和装置，其中方法包括：若机台故障类型为物理错误，触发急停指令；若机台故障类型为逻辑错误，触发暂停指令；确定任务已创建晶圆的工艺状态；若工艺状态为工艺预备，将任务已创建晶圆的任务状态设为第一状态；若工艺状态为工艺完成，将任务状态设为第二状态；若工艺状态为工艺中且触发了急停指令，将任务状态设为第三状态；若工艺状态为工艺中且触发了暂停指令，待工艺状态转变为工艺完成后将任务状态设为第二状态；待故障解除后，基于任务状态为第一状态的任务已创建晶圆生成活动子任务，并执行活动子任务。本发明提升了晶圆任务管理的准确性，同时兼顾了工艺效果、工艺效率以及晶圆的利用率。
机台故障任务管理方法装置

[发明专利]一种晶圆支撑装置及半导体设备-CN202211057021.8在审
发明人：韩高锋;戴建波 -专利权人： 无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种晶圆支撑装置及半导体设备，涉及半导体技术领域。晶圆支撑装置包括支撑组件，支撑组件包括支撑件和固定件，支撑件包括依次连接的限位部、支撑部和连接部，支撑部的顶面用于承载晶圆，限位部凸设于支撑部的顶面，用于对晶圆进行限位，连接部可转动地与固定件连接，从而可将支撑部以及限位部调整至适当的方向，以使得支撑部稳定地承载晶圆并且使得限位部有效地对晶圆进行限位，从而提高支撑组件承载晶圆的稳定性，并且可适应不同的晶圆，提高了晶圆支撑装置的适应性。
一种支撑装置半导体设备

[发明专利]蚀刻设备和蚀刻方法-CN202210880934.3有效
发明人：戴建波;孙文彬 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01J37/18 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种蚀刻设备和蚀刻方法，涉及半导体技术领域。蚀刻设备包括主反应箱、加热副箱、第一真空系统和第二真空系统；加热副箱和主反应箱连通；第一真空系统包括第一管路和动力泵，第一管路与加热副箱连通，动力泵设于第一管路上，用于将加热副箱和主反应箱抽至第一真空状态；第二真空系统包括第二管路和分子泵，第二管路与加热副箱连通，分子泵设于第二管路上，用于将加热副箱和主反应箱抽至第二真空状态。第一真空系统和第二真空系统分开设计，有利于提高抽真空的效率，同时保护分子泵，提高分子泵的工作稳定性，延长分子泵的使用寿命。
蚀刻设备方法

[发明专利]半导体设备工艺流程控制系统和方法-CN202211086708.4有效
发明人：阮正华;孙文彬 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： G06F8/34 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体设备工艺流程控制系统和方法，其中系统包括：工作流引擎，提供了半导体设备中各元器件的可视化控件；工作流设计器，提供了图形化操作界面，用于接收用户选择的可视化控件以及对所述选择的可视化控件触发的参数配置指令和/或关联点位配置指令；工艺流程生成器，用于对所述选择的可视化控件对应的基本操作代码进行填充，并基于所述选择的可视化控件之间的连接关系，将所述选择的可视化控件对应的基本操作代码转换为流程代码；工艺主控单元，用于执行所述流程代码，实现所述半导体设备的流程控制。本发明实现了工艺流程的灵活配置，降低了调试难度和出错可能性，提高了调试效率，且提高了控制系统的可复用性。
半导体设备工艺流程控制系统方法

[发明专利]一种适合TSV工艺的半导体刻蚀机及其控制方法-CN202211086720.5有效
发明人：戴建波;孙文彬 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明公开了一种适合TSV工艺的半导体刻蚀机及其控制方法，涉及半导体技术领域。该适合TSV工艺的半导体刻蚀机包括机架、刻蚀室、盖板、温控装置、气泵和喷气管道。刻蚀室安装于机架上，盖板盖设于刻蚀室上，盖板与刻蚀室共同围成刻蚀空腔，气泵通过温控装置与喷气管道连接，喷气管道安装于机架上，且间隔设置于盖板远离刻蚀室的一侧，气泵用于通过喷气管道向盖板喷出温控气流，温控装置用于调节温控气流的温度，以对刻蚀空腔进行制热或者制冷。本发明提供的适合TSV工艺的半导体刻蚀机能够对刻蚀空腔内的温度进行实时调控，温控效果显著，均匀性好，保证刻蚀速率稳定可控，提高良品率。
一种适合 tsv 工艺半导体刻蚀及其控制方法

[发明专利]一种晶圆运输系统及晶圆运输方法-CN202211086730.9有效
发明人：刘吉翔;孙文彬 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-09-07 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/677 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种晶圆运输系统及晶圆运输方法，涉及晶圆运输技术领域。该晶圆运输系统包括半导体设备、晶圆承载平台以及机械手臂，半导体设备包括相连通的传送腔室和工艺腔室；机械手臂包括支撑臂、主转动臂、上转动臂、下转动臂、上承托板、下承托板、升降机构、第一驱动件和两个第二驱动件；升降机构设置于传送腔室内并与支撑臂相连接；第一驱动件设置于支撑臂上并与主转动臂相连接，以驱动主转动臂转动；两个第二驱动件均设置于主转动臂上且分别与上转动臂和下转动臂相连接，两个第二驱动件分别用于驱动上转动臂和下转动臂转动；上承托板与上转动臂相连接，下承托板与下转动臂相连接，其能够在一定程度上提升晶圆的产能。
一种运输系统方法

[发明专利]一种防晶圆移位的半导体设备-CN202211177919.9有效
发明人：林政勋;孙文彬 -专利权人： 无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/687 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种防晶圆移位的半导体设备，涉及半导体设备领域。该防晶圆移位的半导体设备具有晶圆承托装置，其包括安装板和多个承托件，多个承托件沿安装板的周向排布；每个承托件均包括主限位柱、副限位柱以及承接部，承接部设置于安装板上，承接部包括承接面，主限位柱和副限位柱均设置于承接面上，且承接面用于对晶圆进行承托；主限位柱和副限位柱相配合以对晶圆进行导向，以使晶圆位于多个承托件的中心位置，其能够较好地解决晶圆位置偏移的问题，提升晶圆的对中性。
一种防晶圆移位半导体设备

[实用新型]用于半导体行业的加热红外灯管结构及晶圆加热装置-CN202222327076.8有效
发明人：韩高锋;戴建波 -专利权人： 无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本实用新型的实施例提供了一种用于半导体行业的加热红外灯管结构及晶圆加热装置，涉及半导体行业晶圆加热机构领域。旨在改善晶圆加热不均匀的问题。用于半导体行业的加热红外灯管结构包括多根主加热灯管以及多根辅加热灯管，多根主加热灯管并排设置，多根主加热灯管用于对晶圆进行加热；多根辅加热灯管设置多根主加热灯管背离加热空间的一侧，至少部分辅加热灯管对应设置在多根主加热灯管的一端，且至少部分辅加热灯管与晶圆的边沿位置对应，以对晶圆的边沿位置进行加热。晶圆加热装置包括上述的结构。采用双层灯管加热，至少部分辅加热灯管对应晶圆的边沿设置，能够补偿晶圆边沿位置散热比较快的温度，实现对晶圆均匀加热。
用于半导体行业加热红外灯管结构装置

[实用新型]一种密封提升机构及半导体设备-CN202222331014.4有效
发明人：韩高锋;姚鑫磊 -专利权人： 无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-08-31 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： B66F7/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种密封提升机构及半导体设备，涉及半导体技术领域。密封提升机构包括腔体、提升托架、第一密封件以及第二密封件。腔体设置有内部腔室以及与内部腔室连通的第一通道；提升托架可活动地设置于第一通道，且提升托架的一端设置于内部腔室内，另一端设置于第一通道外。第一密封件设置于第一通道内靠近内部腔室的一端，并与提升托架抵接，以在内部腔室的压力大于外部压力的情况下起到密封作用；第二密封件设置于第一通道内远离内部腔室的一端，并与提升托架抵接，以在内部腔室的压力小于外部压力的情况下起到密封作用，以此提高密封提升机构的适应性，可以适应腔体与外部不同的压力状况，且第一密封件和第二密封件安装或拆卸方便。
一种密封提升机构半导体设备

[发明专利]晶圆去胶设备和方法-CN202211299044.X在审
发明人：戴建波;孙文彬;杜马峰 -专利权人： 无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-10-24 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G03F7/42 文献下载
摘要：本发明提供一种晶圆去胶设备和方法，涉及半导体技术领域。晶圆去胶设备包括去胶腔体和过滤结构，去胶腔体包括从上至下依次连通的电离腔体、承载腔体和排气腔体，电离腔体用于将输入的气体电离、产生等离子体，对承载腔体中的晶圆去胶，排气腔体的底部开设有抽气孔，以抽走去胶腔体内的气体和颗粒，排气腔体的侧壁上开设有进气孔，实现对去胶腔体破真空；过滤结构安装在去胶腔体内、且位于晶圆与进气孔之间，过滤结构上的过滤孔靠近晶圆的开口大于靠近进气孔的开口，在去胶腔体破真空的过程中，位于过滤孔远离晶圆一侧的颗粒不容易进入到过滤孔的小口，减少颗粒随气流再回到过滤孔靠近晶圆的一侧，避免颗粒随气流回到晶圆上，减少对晶圆的污染。
晶圆去胶设备方法

[发明专利]晶圆数量检测装置和方法-CN202210880933.9有效
发明人：高阔;孙文彬;张鑫华 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-07-26 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明的实施例提供了一种晶圆数量检测装置和方法，涉及半导体技术领域。晶圆数量检测装置包括容置腔体、滑动门、光源、反光板、摄像头和处理器，容置腔体具有进出口，容置腔体用于装入承载晶圆的晶圆盒；滑动门安装在容置腔体的进出口，滑动门上正对晶圆盒的部分为透明区域；光源和反光板安装在容置腔体内，摄像头安装在滑动门的外侧、且正对透明区域，摄像头用于获取容置腔体内晶圆盒的图像；处理器用于接收摄像头拍摄的图像，并识别出晶圆盒上晶圆的数量。该装置和方法便于在工厂中安装实施，而且能够高精度地检测出晶圆盒中晶圆的数量。
数量检测装置方法

[发明专利]设备控制系统测试方法、装置、电子设备和存储介质-CN202211002654.9有效
发明人：阮正华;兰丽丽 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G05B23/02 文献下载
摘要：本发明提供一种设备控制系统测试方法、装置、电子设备和存储介质，其中方法包括：获取待测试功能涉及的半导体设备对应的设备测试参数以及待测试功能对应的功能测试参数；基于半导体设备的设备控制函数及其对应的设备测试参数，生成设备测试代码；基于设备测试代码对半导体设备进行测试，得到设备测试结果；基于待测试功能包含的工艺步骤对应的功能控制函数及其对应的功能测试参数，生成功能测试代码；基于功能测试代码对待测试功能进行测试，得到功能测试结果；基于设备测试结果和功能测试结果，确定待测试功能的错误类型。本发明提高了半导体设备控制系统测试的准确性和效率，精确地定位后端逻辑处理部分的程序故障，提升了后续故障修复效率。
设备控制系统测试方法装置电子设备存储介质

[发明专利]半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法与装置-CN202211044354.7有效
发明人：阮正华;孙文彬 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体加工设备异常工况下的晶圆调度控制方法与装置，其中方法包括：步骤S1，确定当前时刻机械手中是否包括晶圆，若包括，执行步骤S2，若不包括，跳转执行步骤S3；步骤S2，基于机械手中晶圆的工艺流程和当前状态，以及目标部位的当前状态，控制机械手将晶圆传送到第一目标位置；步骤S3，确定冷却腔和工艺腔中是否包括晶圆，若是，基于目标腔室中晶圆的工艺流程和实时状态，控制目标机械手将目标腔室中的目标晶圆传送到第二目标位置，直至工艺腔和冷却腔中不包括晶圆；若否，直接执行步骤S4；步骤S4，输出晶圆调度完成提示信息。能够在不影响加工进度的基础上高效、准确地将晶圆取回晶圆盒卡槽。
半导体加工设备异常工况调度控制方法装置

[发明专利]一种原子层沉积装置-CN202210732325.3有效
发明人：万军;兰丽丽 -专利权人：江苏邑文微电子科技有限公司;无锡邑文电子科技有限公司
申请日： 2022-06-27 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明公开了一种原子层沉积装置，涉及半导体技术领域。该原子层沉积装置包括电离筒、扩散壳和样品台。扩散壳包括依次连接且同轴设置的第一筒段、扩散段和第二筒段，扩散段呈锥台状，扩散段的小端与第一筒段连接，第一筒段与电离筒连接，扩散段的大端与第二筒段连接，第二筒段与样品台抵持，样品台用于承载晶圆，扩散段的锥角范围为40度至50度。与现有技术相比，本发明提供的原子层沉积装置由于采用了呈锥台状设置且锥角范围为40度至50度的扩散段，所以能够保证沉积过程中气场分布均匀，提高沉积在晶圆上的原子层厚度的一致性，镀膜效果好。
一种原子沉积装置