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[实用新型]一种源瓶加热装置-CN202223469230.1有效
发明人：董文惠;吴凤丽 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-12-23 - 公布日： 2023-08-18 - 主分类号： H05B3/34 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种源瓶加热装置，所述源瓶加热装置贴着被加热源瓶的外壁由里向外依次包括热电偶、导热介质、金属板、加热片以及隔热层；其中，所述加热片包括蚀刻的薄膜加热片以及包覆在所述薄膜加热片外侧的两层绝缘硅橡胶；其中，所述源瓶加热器被划分为多个温控区，每个温控区具有多个热电偶，所述多个热电偶安装在所述被加热源瓶的外壁上，所述每个温控区对应一温度控制器，所述每个温控区的所述多个热电偶与所述每个温控区所对应的所述温度控制器可通信地耦接。
一种加热装置

[实用新型]一种抽气环和一种薄膜沉积设备-CN202223528351.9有效
发明人：刘润哲;杨华龙;张翔宇;张启辉;高鹏飞;刘振;赵坤;杨天奇;吴凤丽 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-07-11 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种抽气环和一种薄膜沉积设备。该抽气环设置于反应腔内的晶圆托盘的外围，其至少一侧设有所述反应腔的抽气口，用于经由所述抽气环的环体上分布的多个抽气孔，从所述抽气环内部抽气。所述抽气孔为槽孔，其沿所述抽气环的周向的长度和/或间隔角度随所述抽气孔到所述抽气口的距离的递增而递增。通过采用上述配置，不仅能够避免因抽气口布局问题引起的晶圆薄膜厚度不均匀的问题，而且还能够降低设备加工难度。
一种抽气环薄膜沉积设备

[发明专利]装载腔抽气回填结构及半导体设备-CN202310092598.0在审
发明人：姜宗帅;李慧 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供了一种装载腔抽气回填结构及半导体设备，涉及半导体设备的技术领域。装载腔抽气回填结构包括装载腔本体、抽真空阀门组件、回填阀门组件和气泵；抽真空阀门组件和回填阀门组件两者均固定设置在装载腔本体上；抽真空阀门组件和回填阀门组件两者远离装载腔本体的一端均通过管路与气泵连接。半导体设备包括装载腔抽气回填结构。达到了提高装载腔生产效率的技术效果。
装载腔抽气回填结构半导体设备

[发明专利]一种紫外固化腔体的清洁方法-CN202211563114.8在审
发明人：吕秋雨;赵茹;薛国标 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供了一种紫外固化腔体的清洁方法，所述方法包括：将反应气体三氟化氮和氢氮化物通入远程等离子源中，解离成氟化铵气体；所述氟化铵气体与位于腔体上部的石英窗中的二氧化硅反应得到第一氟硅酸胺固体；所述氟化铵气体进入腔体后，与所述腔体内的二氧化硅反应得到第二氟硅酸胺固体；加热所述腔体并保持所述腔体内的温度保持在一预定温度范围，使所述第二氟硅酸胺固体受热分解后得到气体氟化硅。
一种紫外固化清洁方法

[实用新型]阀门组件及原子层沉积设备-CN202223425247.7有效
发明人：高鹏飞;赵坤;杨华龙;张启辉;朱晓亮 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-12-20 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： F16K49/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种阀门组件及原子层沉积设备，涉及阀门散热技术领域。该阀门组件包括阀门本体和安装于阀门本体上的执行器，还包括冷源和喷嘴；喷嘴设于执行器的一侧，且喷嘴的喷口朝向执行器的周向侧壁；冷源和喷嘴通过管路连通，喷嘴用于将冷源处的冷却介质喷向执行器。该阀门组件通过冷源和喷嘴可以仅向阀门本体上的执行器进行冷却降温，从而可以在不影响阀门本体内介质的温度的同时，仅对执行器进行散热保护，延长执行器的使用寿命，提升阀门本体所在设备的工艺稳定性。
阀门组件原子沉积设备

[发明专利]阀门及气相沉积设备-CN202211093253.9有效
发明人：刘振;吴凤丽;谭华强;金基烈;杨萌 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明涉及一种阀门，以及一种气相沉积设备。所述阀门安装于反应腔体的上盖板的上表面，并包括进气口、第一出气口及第二出气口。所述进气口经由进气管道连接气源。所述第一出气口经由第一出气管道连接排气通道。所述第二出气口经由所述上盖板连通到其下方的气相沉积反应腔体。通过采用该结构，所述阀门能够快速切换反应气体的流向，以满足高精度控制薄膜厚度的实时性需求和稳定性需求。
阀门沉积设备

[发明专利]一种半导体工艺设备的喷淋板及半导体工艺设备-CN202211688852.5有效
发明人：张翔宇;吴凤丽;杨华龙;杨天奇 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体工艺设备的喷淋板及半导体工艺设备，包括：喷淋上板，其底部中央设有进气腔室，进气腔室分为上下两层，喷淋上板的顶部中央设有第一进气孔，第一进气孔与进气腔室的上层相连通，进气腔室上下两层间的隔板上设有多个气孔，第一气体通过第一进气孔进入进气腔室的上层后再通过该多个气孔进入进气腔室的下层，进气腔室的外侧壁上设有环形气道，喷淋上板的顶部还设有与环形气道连通的第二进气孔，环形气道的内侧壁上沿周向开有多个气孔，第二气体由第二进气孔进入环形气道后通过该多个气孔进入进气腔室的下层；喷淋面板，其顶部中央与进气腔室的下层相抵接，以将混合后的第一气体和第二气体通过喷淋面板喷淋至晶圆表面。
一种半导体工艺设备喷淋

[发明专利]一种半导体设备腔体盖板对中工装及对中方法-CN202310010548.3有效
发明人：朱晓亮;吴凤丽;赵坤;杨华龙;张启辉;高鹏飞;何吉超;卜夺夺 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2023-01-05 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B25B11/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体制造设备技术领域，更具体的说，涉及一种半导体设备腔体盖板对中工装及对中方法。本发明提供了一种半导体设备腔体盖板对中工装，包括连接座、滑动座、连接销、滚子轴承随动器、连接杆和手轮：所述连接座，用于与腔体进行固定；所述滚子轴承随动器，通过连接销固定在滑动座上；所述连接杆，一端与手轮连接，穿过滑动座后另一端与连接座连接；所述滑动座，与连接座连接；通过手轮作用，滑动座进行往返移动，调节滚子轴承随动器的限位位置。本发明提供的半导体设备腔体盖板对中工装及对中方法，保证腔体与盖板相对安装位置的精准对中，可以根据不同盖板尺寸快速调整限位位置，适用范围更加广泛，使用更加高效。
一种半导体设备盖板工装方法

[实用新型]一种晶圆的反应腔室及半导体工艺设备-CN202223081823.0有效
发明人：野沢俊久;张启辉;吴凤丽;杨华龙;赵坤;刘振;高鹏飞;朱晓亮;张翔宇;杨天奇;卜夺夺 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-11-21 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： C23C16/458 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种晶圆的反应腔室及半导体工艺设备，该反应腔室包括：用于加热晶圆的加热器；承载盘，承载盘的底面形状与加热器的顶面相匹配以使二者充分贴合，承载盘的顶面设有与晶圆大小相当的圆形凹槽，圆形凹槽内设有相同的多个支撑柱以支撑晶圆；以及陶瓷环，陶瓷环套设于承载盘的顶部边缘，陶瓷环的侧面内侧形状与承载盘及加热器的侧壁相匹配以覆盖承载盘的侧壁及加热器侧壁的顶部，陶瓷环的侧面外侧与反应腔室的内壁之间留有预设尺寸的间隙。
一种反应半导体工艺设备

[实用新型]一种半导体工艺设备的反应腔室-CN202222525255.2有效
发明人：卜夺夺;吴凤丽;刘振;杨华龙;杨天奇;张启辉 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-09-23 - 公布日： 2023-03-31 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体工艺设备的反应腔室，包括：相互匹配密封的内腔体和内盖板，以及相互匹配密封的外腔体和外盖板，该内腔体和该内盖板构成内腔室以用作晶圆反应腔室，该外腔体和该外盖板将该内腔室包裹在内并在该内腔室的外周留有空余空间，该内腔室与该外盖板和该外腔体之间还设有多个内外贯穿的通孔，在该通孔处设有通孔连接机构以支撑内外腔室的连接并确保密封。
一种半导体工艺设备反应

[发明专利]压力控制系统的处理方法、装置和压力控制系统-CN202211535827.3在审
发明人：刘镇颉;叶五毛;柳雪;高级 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G05D27/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种压力控制系统的处理方法、装置和压力控制系统。其中，该方法包括：当衬底放置于加热装置之上时，控制吸附装置基于阀门和泵端降低吸附装置内部的压力，将衬底吸附于加热装置之上；控制吸附装置基于阀门和泵端恢复吸附装置内部的压力，将衬底解除吸附于加热装置之上；控制温度控制装置调整吸附装置的管路的温度。可以通过吸附装置进行衬底吸附和衬底解吸附，通过温度控制装置对吸附装置的管路进行温度控制，以使吸附装置的管路的温度不满足薄膜沉积的温度条件，从而阻碍薄膜沉积，解决压力控制系统堵塞及腔体颗粒污染的问题，无需频繁更换。
压力控制系统处理方法装置

[实用新型]一种气体传输装置-CN202222847306.3有效
发明人：姜宗帅 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： F17D1/04 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种气体传输装置，用于连接厂务端气源与多个半导体工艺设备以向该多个半导体工艺设备提供气体，该气体传输装置包括：主路管道与多条支路管道，该主路管道的一端与该厂务端气源相连接，另一端分为多条支路管道；以及多个电磁阀岛，该电磁阀岛连接于该支路管道的末端，每个该电磁阀岛上集成有一个或多个反应腔室的多个阀门，连接至该电磁阀岛的支路管道上设有调压阀以单独控制传输至该电磁阀岛的气体压力。
一种气体传输装置

[实用新型]半导体抽气系统及半导体设备-CN202223164732.3有效
发明人：叶五毛;许铁柱;李丹 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体抽气系统及半导体设备，涉及半导体设备的技术领域。半导体抽气系统包括镀膜腔壳体和抽气泵；镀膜腔壳体内具有至少一个镀膜腔体，镀膜腔壳体内设置有抽气通道，每个镀膜腔体内均具有喷淋头和用于托举晶圆的承托件，抽气通道与抽气泵连接；每个镀膜腔壳体的侧壁开设有第一抽气孔和第二抽气孔，第一抽气孔和第二抽气孔均与抽气通道连通，第一抽气孔位于喷淋头与承托件之间，第二抽气孔位于承托件的下方。半导体设备包括半导体抽气系统。达到了提高抽气效率的技术效果。
半导体系统半导体设备

[发明专利]一种薄膜固化方法-CN202211563399.5在审
发明人：吕秋雨;薛国标 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C23C16/40 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜固化方法，所述方法包括：向腔体内通入氧源，用以对硅氮聚合物薄膜中的硅氮键进行替换；将水蒸气通入远程等离子源；所述远程等离子源将水蒸气解离为羟基自由基和氧自由基；将解离出的羟基自由基和氧自由基通入所述腔体；所述羟基自由基与氧自由基协助所述氧源对硅氮聚合物薄膜进行固化。
一种薄膜固化方法

[发明专利]阀门温控装置及气相沉积设备-CN202211093248.8有效
发明人：刘振;吴凤丽;谭华强;金基烈;杨萌 -专利权人： 拓荆科技（上海）有限公司
申请日： 2022-09-08 - 公布日： 2023-02-28 - 主分类号： G05D23/30 文献下载
摘要：本发明提供了一种阀门温控装置，以及一种气相沉积设备。所述阀门温控装置包括加热件、屏蔽盒及冷却盒。所述加热件接触阀门基体，并向所述阀门基体提供热量，以加热其中用于气相沉积反应的反应气体。所述屏蔽盒由导热材料制成，接触所述阀门基体的多个第一位置，并在所述阀门基体的多个第一位置之间传递热量。所述冷却盒接触阀门执行器的至少一个第二位置，以降低所述阀门执行器的温度。通过采用该结构，所述阀门温控装置能够对流经阀门基体的反应气体及阀门执行机构进行不同目标温度的温度控制，以满足气相沉积对反应气体的温度需求，以及阀门执行机构的工作温度需求。
阀门温控装置沉积设备

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