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[发明专利]一种基于单极性晶体管的ΣΔ调制器-CN202210938669.X有效
发明人：尹雪梅;徐煜明;严毓培;刘湘君;蒋本福;马维旻 -专利权人：珠海城市职业技术学院
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： H03M3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单极性晶体管的ΣΔ调制器，涉及半导体技术领域，针对现有技术中无单极性晶体管的ΣΔ调制器而提出本方案，包括依次电连接的积分器模块和比较器模块，所述积分器模块用于对信号进行积分，所述比较器模块包括若干差分放大器，所述差分放大器由两级电路组成，第一级电路作为主放大级，第二级电路作为输出缓冲级。优点在于，纯NMOS管或PMOS管的ΣΔ调制器可以通过一些特殊工艺如薄膜晶体管、氮化镓工艺等进行制作，适应现代化的CMOS电路设计需求。
一种基于极性晶体管调制器

[发明专利]一种开关电容离散时间ΣΔ调制器-CN202211179768.0在审
发明人：陈荣盛;张美;徐煜明 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2022-12-30 - 主分类号： H03M3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关电容离散时间ΣΔ调制器，由单极型晶体管组成，包括：开关电容积分器，用于接收ΣΔ调制器的输入信号，所述开关电容积分器具有离散时间共模反馈结构，该结构与开关电容积分器中的积分器共用时钟；其中，输入信号包括电压信号；两相非交叠时钟产生电路，用于产生两相非交叠时钟，该时钟用于控制所述开关电容积分器中开关的工作状态；比较器电路，包括三个级联的差分放大器，其中，第一个差分放大器的输入与积分器的输出连接，最后一个差分放大器的输出作为ΣΔ调制器的输出。本发明提供一种开关电容离散时间的一位一阶ΣΔ调制器，能够实现电压输入，将开关电容技术应用到TFT电路中，可广泛应用于集成电路技术领域。
一种开关电容离散时间调制器

[发明专利]一种基于单极型晶体管的四位树形超前进位加法器及芯片-CN202210710758.9在审
发明人：陈荣盛;刘坤荣;陈德润;徐煜明 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2022-06-22 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： G06F7/505 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单极型晶体管的四位树形超前进位加法器及芯片，其中加法器采用差分逻辑门构成，所述差分逻辑门由多个单极型氧化物薄膜晶体管组成，所述四位树形超前进位加法器的进位链路采用Koggle—Stone并行算法进行优化。本发明加法器仅由单极型晶体管构成，适用于可大面积制备的柔性电子技术；另外，利用Koggle—Stone并行算法优化进位链路，可以在不改变超前进位特性的前提下，对布线进行优化，增加中间环节，进而优化布线提高稳定性。本发明可广泛应用于半导体集成电路领域。
一种基于单极晶体管树形超前进位加法器芯片

[发明专利]单极差分逻辑静态随机存取存储单元及随机存取存储器-CN202111066826.4有效
发明人：陈荣盛;陈德润;徐煜明;刘坤荣 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-09-13 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： G11C11/412 文献下载
摘要：本发明公开了一种单极差分逻辑静态随机存取存储单元及随机存取存储器，其中随机存取存储单元包括：单极差分逻辑反相器，包括主电路和辅助上拉通路，所述主电路中采用交叉耦合的下拉管形成正反馈结构，以减少静态功耗；门控管模块，包括写开关和读开关，当写开关导通时，所述单极差分逻辑静态随机存取存储单元写入并存储数据；当读开关导通时，读出所述单极差分逻辑静态随机存取存储单元存储的数据。本发明的单极差分逻辑静态随机存取存储单元的下拉管采用交叉耦合的连接方式，形成正反馈结构，使得稳定状态下电源到地总存在关闭的TFT，从而消除了静态直流通路，降低了静态功耗，以及提高输出电压摆幅。本发明可广泛应用于静态随机存取存储器。
极差逻辑静态随机存取存储单元随机存取存储器

[发明专利]基于单极性晶体管的压控振荡器及模数转换器-CN202111003878.7在审
发明人： 徐煜明;陈荣盛;吴朝晖;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2021-08-30 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H03K3/03 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单极性晶体管的压控振荡器及模数转换器，其中压控振荡器包括：环形振荡器；延时单元，包括第一晶体管、第二晶体管和第一电容；第一晶体管的漏极连接电源电压VDD，第一晶体管的源极与第二晶体管的漏极连接，第二晶体管的源极接地，第二晶体管的漏极通过第一电容接地；第二晶体管的漏极连接至环形振荡器的输入端，环形振荡器的输出端连接至第一晶体管的栅极，第二晶体管的栅极连接控制电压Vctrl；第一晶体管工作在饱和区，第二晶体管工作在深三极管区；延时单元的延时远大于环形振荡器的延时。本发明提出一种仅使用n管或p管来设计压控振荡器的方案，满足特殊工艺上的要求，可广泛应用于半导体集成电路领域。
基于极性晶体管压控振荡器转换器

[发明专利]一种基于单极型晶体管的放大器、芯片及方法-CN202011327294.0有效
发明人： 徐煜明;陈荣盛;吴朝晖;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-11-24 - 公布日： 2021-11-23 - 主分类号： H03F3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单极型晶体管的放大器、芯片及方法，其中放大器包括：输入交流耦合网络，包括第一零点fz0和第一极点fp0；电容自举放大电路，包括第二零点fz1、第二极点fp1和第三极点fp2；其中，所述第一零点fz0＝0，所述第一极点fp0等于所述第二极点fp1。本发明通过“零极点工程”，使输入交流耦合网络的第一极点和电容自举放大电路的第一极点重合，获得40dB/dec的直流抑制能力，增强了基于单极型晶体管的放大器的直流抑制能力，可广泛应用于半导体集成电路领域。
一种基于单极晶体管放大器芯片方法

[发明专利]一种基于薄膜晶体管的模数转换器、芯片以及控制方法-CN202010504215.2有效
发明人：范厚波;陈荣盛;徐煜明;吴朝晖;李斌;李国元 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-06-05 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H03M1/34 文献下载
摘要：本发明公开一种基于薄膜晶体管的模数转换器、芯片以及控制方法，本发明通过基准电平模块为比较器模块提供基准电压，比较单元在基准电压下与模拟信号输入量比较处理输出第一比较量，然后伪CMOS反相器单元对第一比较量进行处理得到第二比较量，译码器模块进行译码处理，得到输出数字量；通过设置伪CMOS反相器单元对第一比较量进行处理，利用伪CMOS反相器单元对波形具有整形的特性增大电路的输出摆幅以及直流增益，而直流增益的提高使得所得到的第二比较量为将第一比较量进一步放大后得到的值，即可以提高比较器模块整体的分辨率，减小模数转换器的微分非线性误差和积分非线性误差。本发明可广泛应用于集成电路技术领域。
一种基于薄膜晶体管转换器芯片以及控制方法

[发明专利]基于单极型晶体管的触发器电路及芯片-CN202010560668.7有效
发明人： 徐煜明;陈荣盛;吴朝晖;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H03K3/012 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单极型晶体管的触发器电路及芯片，其中触发器电路包括三个动态单元；第一个动态单元的第一晶体管的源极作为一个动态单元的第一输出端；第二个动态单元的第二晶体管的栅极连接至第一输出端，第二晶体管的漏极作为第二个动态单元的第二输出端；第三个动态单元包括第三晶体管、第四晶体管和第五晶体管，第一反相器的输出端与第三晶体管的栅极连接，第一反相器的输入端与第五晶体管的栅极连接，第四晶体管的漏极与第二反相器的输入端连接，第二反相器的输出端作为触发器电路的输出端。本发明的触发器电路与传统的电路相比，器件数目更少，且不需要双电源，降低了电路复杂度，可广泛应用于半导体集成电路领域。
基于单极晶体管触发器电路芯片

[发明专利]金属氧化物薄膜晶体管ASK解调电路和芯片-CN201911426205.5有效
发明人： 徐煜明;陈荣盛;吴朝晖;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2019-12-31 - 公布日： 2021-08-10 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种金属氧化物薄膜晶体管ASK解调电路和芯片，所述电路包括：整流器，用于识别ASK信号包络，以及为后级电路供电；低通滤波器，用于对整流器输出的信号进行低通滤波；零阈值比较器，用于对低通滤波器输出的信号进行放大；输出缓冲器，用于根据零阈值比较器的输出信号来驱动负载；其中，后级电路包括低通滤波器、零阈值比较器和输出缓冲器；所述低通滤波器为包括第三电容和电阻单元的RC滤波器，所述电阻单元由两个反向堆叠的晶体管构成。本发明通过两个反向堆叠的晶体管在较小的面积上制作较大的电阻单元来构成RC滤波器，使得使用金属氧化物薄膜晶体管制作的ASK解调电路得以实现。本发明可以广泛应用于ASK芯片技术。
金属氧化物薄膜晶体管 ask 解调电路芯片

[发明专利]一种基于单极型晶体管的输出反馈逻辑电路及芯片-CN202010560677.6有效
发明人： 徐煜明;陈荣盛;吴朝晖;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-06-18 - 公布日： 2021-08-06 - 主分类号： H03K19/173 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单极型晶体管的输出反馈逻辑电路及芯片，其中输出反馈逻辑电路包括：第一晶体管的源极与下拉单元的第一端连接，且作为输出反馈逻辑电路的输出端，输入控制开关的第一端与输出控制开关的第一端之间的连接点与第一晶体管的栅极连接；输入控制开关的控制端连接至信号输入端，输入控制开关的第二端与输出反馈逻辑电路的输出端连接；输出控制开关的控制端与输出反馈逻辑电路的输出端连接；下拉单元的控制端连接至信号输入端，下拉单元的第一端与输出反馈逻辑电路的输出端连接。本发明的输出反馈逻辑电路仅由单极型晶体管组成；该输出反馈逻辑电路与传统的设计相比，电路复杂度更低，可广泛应用于半导体集成电路领域。
一种基于单极晶体管输出反馈逻辑电路芯片

[发明专利]基于单极型晶体管的电压频率转换器电路、方法及芯片-CN202010786764.3有效
发明人： 徐煜明;陈荣盛;吴朝晖;李斌 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2021-07-20 - 主分类号： H03K19/0185 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单极型晶体管的电压频率转换器电路、方法及芯片，其中电压频率转换器电路包括：积分器，积分器包括放大器、电阻和电容，电容的一端连接在放大器的反相输入端，电容的另一端连接在放大器的输出端，电阻的一端与放大器的反相输入端连接；施密特触发器，放大器的输出端与施密特触发器的输入端连接；电子开关，施密特触发器的输出端与电子开关的控制端连接，电子开关的第一端与电容的一端连接，电子开关的第二端与电容的另一端连接。本发明通过施密特触发器的数字输出按周期启动和复位积分器，从而产生振荡，震荡频率与输入电压高度线性相关，极大地提高分辨率，可广泛应用于半导体集成电路领域。
基于单极晶体管电压频率转换器电路方法芯片

[发明专利]一种基于单极型薄膜晶体管的电荷泵锁相环、芯片及方法-CN202011089549.4有效
发明人：陈荣盛;李辉;徐煜明;文明珠 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H03L7/087 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于单极型薄膜晶体管的电荷泵锁相环、芯片及方法，其中锁相环包括：电路由鉴频鉴相器，用于检测时钟Fref与时钟Fn的相位差和频率差，产生控制信号UP和DOWN；逻辑控制模块，用于输出逻辑状态信号；电荷泵，用于将逻辑状态信号转换成充电、放电电流信号；低通滤波器，用于输出直流模拟控制信号Vctrl；压控振荡器，用于调整输出时钟频率Fvco；四分频电路，用于分频获得时钟Fn。本发明在环路中增加逻辑控制模块，为电荷泵提供四种工作状态，消除因复位状态时间过短而产生的“死区”状态且使电流源保持常开状态，提高环路稳定性与电荷泵工作速度，可广泛应用于半导体集成电路领域。
一种基于单极薄膜晶体管电荷泵锁相环芯片方法

[发明专利]一种基于金属氧化物TFT的运算放大器、芯片及方法-CN202011089541.8有效
发明人：陈荣盛;文明珠;徐煜明;李辉 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2020-10-13 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H03F3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于金属氧化物TFT的运算放大器、芯片及方法，其中运算放大器包括辅助放大器和自举增益提高放大器，辅助放大器采用两级正反馈结构，包括第五晶体管、第七晶体管、第十一晶体管、第一放大单元和第二放大单元，所述第五晶体管的栅极作为运算放大器的输入端，自举增益提高放大器包括两个相互对称的第二电路，所述第二电路包括第一晶体管、第二晶体管和自举结构的电流源单元。本发明利用自举增益提高技术，实现了高增益与稳定相位裕度的薄膜晶体管运算放大器电路；另外，辅助放大器采用两种正反馈结构，进一步提高了电压增益，可广泛应用于集成电路设计技术领域。
一种基于金属氧化物 tft 运算放大器芯片方法

[实用新型]一种基于超声波的移动目标检测装置-CN202020462823.7有效
发明人： 徐煜明;孙静;谢光前;李曙英;叶紫萱;高杰 -专利权人：常州工学院
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： G01S15/50 文献下载
摘要：本实用新型涉及超声波检测领域，具体涉及一种基于超声波的移动目标检测装置，所述移动目标检测装置包括发射模块、接收模块、检波模块、选频模块和控制模块，其中，所述发射模块用于发射超声波信号，所述接收模块接收所述移动目标反射回来的超声波信号，所述检波模块的第一端连接所述接收模块，所述检波模块的第二端连接选频模块，所述选频模块根据所述移动目标的速度输出特定频率信号，所述选频模块的输出端连接控制模块，所述控制模块根据所述选频模块输出信号控制继电器工作。本实用新型可以应用于检测某一特定移动目标，当检测到特定移动目标时输出特定频率信号，从而控制继电器工作，本实用新型的检测精确度更高，适用范围广。
一种基于超声波移动目标检测装置

[发明专利]一种差分逻辑存储器行列选择电路和芯片-CN201811364490.8有效
发明人： 徐煜明;陈荣盛;覃俣宁;吴朝晖;李斌;李国元 -专利权人：华南理工大学
申请日： 2018-11-16 - 公布日： 2021-05-14 - 主分类号： G11C11/4063 文献下载
摘要：本发明公开了一种差分逻辑存储器行列选择电路和芯片，电路采用单极型金属氧化物薄膜晶体管工艺制造，其包括计数器和译码器；所述计数器由第1至第n个D触发器级联而成；n≥2且n为正整数；所述译码器由第1至第2n个多输入或非门构成；所述第1至第2n个多输入或非门结构相同且均由若干个差分逻辑或门和若干个差分逻辑或非门构成，所述差分逻辑或门和差分逻辑或非门均包括第一至第六n型薄膜晶体管。本发明采用差分逻辑或门和差分逻辑或非门替代伪CMOS逻辑门构成译码器；在稳态时，该差分逻辑或门和差分逻辑或非门不存在电源到地的低阻抗通路，因此静态功耗为零，大大减少了器件的功耗。本发明可以广泛应用于集成电路领域。
种差逻辑存储器行列选择电路芯片

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