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[发明专利]一种半导体器件单元及Cascode器件-CN202310501663.0在审
发明人：梁壮;刘正超;陈雪磊;刘庆波;黎子兰 -专利权人： 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
申请日： 2023-05-06 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： H01L27/07 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件单元及Cascode器件，属于半导体技术领域，用以解决Cascode器件可靠性低的技术问题。所述半导体器件单元包括器件主体和焊盘区，所述器件主体包括制作于一体的第一半导体器件和提升单元，所述第一半导体器件包括源极、栅极和漏极，所述提升单元包括电阻、电容和二极管中的一者或多者；所述焊盘区包括器件电极焊盘区和提升单元焊盘区，所述器件电极焊盘区包括配置于所述器件主体表面相互隔离的源极焊盘区、栅极焊盘区和漏极焊盘区；所述提升单元焊盘区包括配置于所述器件主体表面相互隔离的电阻焊盘区、电容焊盘区和二极管焊盘区中的一者或多者。本发明有效提高了Cascode器件的可靠性，简化了制造工艺。
一种半导体器件单元 cascode 器件

[发明专利]一种在半导体功能区侧面制作电极的方法-CN202310206575.8有效
发明人：陈勘;吕优;刘庆波;黎子兰 -专利权人： 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
申请日： 2023-03-07 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种在半导体功能区侧面制作电极的方法，属于半导体技术领域，用于解决器件占有晶圆面积大、晶圆利用率低的问题。所述方法包括：至少在半导体功能区曝露的部分侧面提供第一介质层，其中半导体功能区曝露的侧面包括第一区域以及第二区域，所述第一介质层被配置在所述第一区域的下方；提供第一电极层，其中所述第一电极层的厚度与所述第一区域的高度相同；提供光刻胶，其至少覆盖第一介质层上方的第一电极层；移除部分第一电极层，保留与所述第一区域对应的所述第一介质层上方的部分第一电极层作为第一电极；以及移除所述光刻胶。按照本发明所述方法制作器件电极，能够有效提高器件的晶圆利用率。
一种半导体功能侧面制作电极方法

[发明专利]晶圆级共源共栅器件、芯片及其制备方法-CN202310821482.6在审
发明人：刘泰;朱洪耀;沙长青;刘庆波;黎子兰 -专利权人：广东致能科技有限公司;徐州致能半导体有限公司
申请日： 2023-07-06 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： H01L25/18 文献下载
摘要：本申请提供一种晶圆级共源共栅器件、芯片及其制备方法，涉及半导体器件封装技术领域，能够对共源共栅器件实现晶圆级加工，在晶圆级即对HEMT芯片和MOS芯片之间实现电互联，简化制备工艺，提高器件可靠性。包括HEMT晶圆，在HEMT晶圆上排布设置有多个HEMT芯片单元，在HEMT晶圆上还划分有预留区域，在HEMT晶圆上依次生长有导电金属层和第一钝化层，第一钝化层位于预留区域之外，导电金属层覆盖HEMT源极和预留区域，在预留区域贴装MOS芯片单元，MOS芯片单元的漏极通过导电金属层与HEMT芯片单元的HEMT源极导通。
晶圆级共源共栅器件芯片及其制备方法

[发明专利]一种半导体器件及其制备方法-CN202310787400.0在审
发明人：刘杉;韦玥;刘庆波;黎子兰 -专利权人：广东致能科技有限公司;徐州致能半导体有限公司
申请日： 2023-06-30 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L23/552 文献下载
摘要：本发明涉及一种半导体器件及其制备方法，属于半导体技术领域，用于解决半导体器件内部寄生电容的问题，所述半导体器件包括：器件功能区、两个以上的电极结构、两个以上的电极焊盘和屏蔽层，其中，所述两个以上的电极结构分别形成在所述器件功能区内部；所述两个以上的电极焊盘分别置于所述器件功能区表面，每个电极结构通过器件功能区中的互联结构与至少一个电极焊盘电连接形成一个电极；所述屏蔽层包括形成在不同电极之间的一个或多个屏蔽子层。本发明提供的半导体器件能够调整器件内部的寄生电容，达到与其配合电路的寄生电容相匹配的目的。
一种半导体器件及其制备方法

[发明专利]一种封装结构及封装方法-CN202310104417.1有效
发明人：刘泰;朱洪耀;沙长青;刘庆波;黎子兰 -专利权人： 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
申请日： 2023-02-13 - 公布日： 2023-07-14 - 主分类号： H01L23/367 文献下载
摘要：本申请公开了一种封装结构及封装方法，涉及芯片封装技术领域，本申请的封装结构，包括基板以及分别设置于基板上的多个芯片，芯片靠近基板的侧面设置有第一连接件，芯片远离基板的侧面设置有第二导电件，第一连接件与设置于基板上的第一导电件连接，第一导电件部分设置于基板未设置芯片处，芯片上形成有成型层和接出层，第一导电件和第二导电件穿过成型层分别与接出层连接，以将第一导电件和第二导电件接出。本申请提供的封装结构及封装方法，能够使得双面电极芯片由芯片的两侧散热，提高封装结构的散热效果。
一种封装结构方法

[发明专利]一种电子器件、封装结构及其制备方法-CN202310156280.4有效
发明人：陆天然;刘杉;刘庆波;黎子兰 -专利权人： 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L23/495 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子器件、封装结构及其制备方法，属于半导体技术领域，用于解决现有封装工艺中的封装厚、封装效率不高的问题。所述方法包括：在基材的第一表面提供第一金属块，其中，所述基材的第一表面包括第一互联区域和第二互联区域；在第二互联区域表面提供第一芯片，所述第一芯片与所述第二互联区域电连接；提供框架，其中，所述框架包括边框和多个从所述边框向内延伸的连接部，所述第一芯片通过一个或多个所述连接部与所述第一金属块电连接；提供封装材料得到封装体；以及去除所述框架的所述边框。本发明封装效率高，提供的封装结构薄，电阻小，散热效果好，从而有效地提高了电子器件性能。
一种电子器件封装结构及其制备方法

[发明专利]一种芯片双面互连封装结构及其制备方法-CN202310286364.X在审
发明人：刘泰;朱洪耀;沙长青;刘庆波;黎子兰 -专利权人： 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请提供一种芯片双面互连封装结构及其制备方法，涉及半导体器件封装技术领域，包括塑封料板以及嵌设于塑封料板内的芯片和金属导电片，芯片与金属导电片间隔设置，芯片与金属导电片的两侧均露出于塑封料板的表面，芯片的正面预设有导电端，在塑封料板的至少一侧设置有布线层以对芯片的正面和/背面与金属导电片之间连通，在塑封料板对应芯片的正面的一侧设置有第一封装层，在塑封料板对应芯片的背面的一侧设置有第二封装层。本申请实施例的芯片双面互连封装结构及其制备方法，不必设置电镀金属柱即可实现双面互连，降低了工艺复杂性，结构紧凑，有效的降低电子器件的整体厚度。
一种芯片双面互连封装结构及其制备方法

[发明专利]一种电子器件的芯片互联、基岛互联及引线键合结构-CN202211587945.9在审
发明人：刘泰;朱洪耀;沙长青;刘庆波;黎子兰 -专利权人： 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
申请日： 2022-12-07 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L23/538 文献下载
摘要：本发明涉及一种电子器件的芯片互联、基岛互联及引线键合结构，属于电子器件封装技术领域，用于解决长键合线引起的寄生电感问题。所述基岛互联结构包括第一基岛、第二基岛和第一布线基板，所述第一基岛包括第一芯片；所述第二基岛与所述第一基岛间隔；所述第一布线基板连接在所述第一基岛和所述第二基岛之间，所述第一布线基板包括一个或多个非金属线导电线路；其中，所述第一芯片与所述第一布线基板上的所述一个或多个非金属线导电线路电连接，所述一个或多个非金属线导电线路延伸到所述第二基岛。本发明采用布线基板减小不同芯片引脚互联时的引线长度，进而降低了寄生电感，减小了封装时寄生电感对电子器件性能的影响。
一种电子器件芯片基岛互联引线结构

[发明专利]半导体封装结构及其制备方法-CN202310264563.0在审
发明人：刘泰;沙长青;朱洪耀;黎子兰 -专利权人： 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
申请日： 2023-03-17 - 公布日： 2023-06-13 - 主分类号： H01L23/488 文献下载
摘要：一种半导体封装结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该半导体封装结构包括衬底、形成于衬底上的器件层、形成于器件层上的塑封层、封装于塑封层内的金属柱，以及金属导线；金属导线的一端与金属柱背离器件层的一侧金属连接、另一端和引线框架金属连接，金属柱远离金属导线的一端与器件层的焊盘金属连接，金属柱的熔点大于350℃，金属柱的硬度大于17HBW。该半导体封装结构及其制备方法取消了重布线层，简化了工艺，且能够解决后续高温工艺过程和打线的可靠性。
半导体封装结构及其制备方法

[发明专利]增强型器件的外延结构及其制备方法-CN202310286210.0在审
发明人：张海林;孙思明;张建;廖亿鹏;黄旭;刘庆波;黎子兰 -专利权人： 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：一种增强型器件的外延结构及其制备方法，涉及半导体技术领域。该增强型器件的外延结构包括衬底，以及依次形成于衬底上的缓冲层、沟道层、势垒层和外延介质层；外延介质层至少包括位于势垒层上的第一铟镓氮层。该增强型器件的外延结构能够降低PN结泄露电流，提高栅极偏压。
增强器件外延结构及其制备方法

[发明专利]多通道HEMT器件及其制备方法、电子设备-CN202211496052.3有效
发明人：刘杉;陈雪磊;刘庆波;黎子兰 -专利权人： 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
申请日： 2022-11-28 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： H01L29/10 文献下载
摘要：本申请涉及半导体技术领域，提供了一种多通道HEMT器件及其制备方法、电子设备，该多通道HEMT器件包括：衬底和叠层设置在所述衬底上的成核层、缓冲层、基材层以及、复合沟道层和至少两个栅电极层；所述缓冲层、基材层、复合沟道层依次叠层设置在所述衬底上；所述复合沟道层包括至少两层二维电子气沟道层；每一所述二维电子气沟道层电性连接至少一所述栅电极层。本申请通过设置上下两层栅电极层，使得栅极电位控制更加均衡，并且栅极控制响应快，便于快速控制复合沟道层内2DEG的通断，同时通过设置多层二维电子气沟道层，有利于形成多通道导电，使得整个器件能够实现更大电流和更高击穿电压，进而提升整个器件的工作性能。
通道 hemt 器件及其制备方法电子设备

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及其制备方法-CN202211131575.8在审
发明人：刘杉;陈雪磊;刘庆波;黎子兰 -专利权人： 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
申请日： 2022-09-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种高电子迁移率晶体管及其制备方法，涉及半导体技术领域，包括衬底以及设置于衬底上且具有异质结界面的功能层，功能层包括有源区和非有源区，在功能层的非有源区设置有第一P型层，第一P型层用于去除第一P型层所覆盖的非有源区的二维电子气以对应形成耗尽区，以此来实现现有技术通过离子注入或台面刻蚀工艺中形成的隔离功能，并且在起到隔离功能的同时，不损伤势垒层和沟道层，无晶格和表面缺陷态损伤，相对于离子注入或台面刻蚀工艺来讲，能够至少节省一道光刻工艺，从而实现低成本，工艺简单。
一种电子迁移率晶体管及其制备方法

[发明专利]一种MOCVD腔体覆盖件清洗方法-CN202211670564.7在审
发明人：张海林;孙思明;王倩;汪琼;陈宇;刘庆波;黎子兰 -专利权人： 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：一种MOCVD腔体覆盖件清洗方法，涉及半导体技术领域，包括：将腔体加热至第一预设温度，向腔体内通入氯气和第一载气的第一混合气体清洗覆盖件达第一预设时长；将腔体加热至第二预设温度，向腔体内通入氨气和第一载气的第二混合气体或氨气和第二载气的第三混合气体清洗覆盖件达第二预设时长；将腔体加热至第三预设温度，向腔体内通入氯化氢和第一载气的第四混合气体、氯化氢和第二载气的第五混合气体、氯代叔丁烷和第一载气的第六混合气体或氯代叔丁烷和第二载气的第七混合气体清洗覆盖件达第三预设时长；将腔体加热至第四预设温度，向腔体内通入氢气清洗覆盖件达第四预设时长。该清洗方法能够提高工艺的稳定性和覆盖件的使用寿命。
一种 mocvd 覆盖清洗方法

[发明专利]一种半导体器件、共源共栅级联器件及其制备方法-CN202211064322.3在审
发明人：陈雪磊;刘庆波;刘杉;黎子兰 -专利权人： 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
申请日： 2022-09-01 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本申请提供一种半导体器件、共源共栅级联器件及其制备方法，涉及半导体技术领域，在进行级联封装时，可以使得常通型器件、常断型器件和半导体器件中的电阻电极进行级联，从而对应形成共源共栅级联器件，由此，在进行共源共栅级联器件的封装时，可以通过直接将半导体器件贴装至封装框架内的方式实现常通型器件和电阻的同时贴装，从而简化了封装的步骤，降低了封装的难度和封装的成本，同时，也能够有效的减小封装后的整体体积。此外，将电阻直接内置于常通型器件的内部，可以有效的提高器件的可靠性。
一种半导体器件共源共栅级联器件及其制备方法

[实用新型]一种封装结构-CN202222068167.4有效
发明人：沙长青;刘庆波;黎子兰 -专利权人： 徐州致能半导体有限公司;广东致能科技有限公司
申请日： 2022-08-05 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请公开了一种封装结构，涉及半导体技术领域，本申请的封装结构，包括衬底，衬底的上表面内凹形成凹槽，凹槽内设置有芯片，芯片的上表面与衬底的上表面平齐，衬底的上表面设置有绝缘散热层，绝缘散热层覆盖芯片的上表面，衬底下表面对应凹槽贴合设置有散热片。本申请提供的封装结构，能够提高封装结构的散热效果。
一种封装结构

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