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专利名称

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申请人
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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]非挥发性存储单元及其制造方法-CN200810145718.4有效
发明人：黄信斌;萧清南;黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2008-08-11 - 公布日： 2010-02-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提出一种非挥发性存储单元及其制造方法，该方法包含提供一半导体基板，该半导体基板依序地具有一导电层和一间隙壁层；于该间隙壁层与该导电层中界定出至少一沟槽；于该沟槽的底部形成一第一氧化层；于该沟槽的侧壁，该第一氧化层上方以及该间隙壁层上方形成一介电层；于该沟槽内形成一第一多晶硅层；以及去除该间隙壁层上方的介电层，以形成本发明的非挥发性存储单元的基本结构。
挥发性存储单元及其制造方法

[发明专利]快闪存储器-CN200710149046.X无效
发明人：黄信斌;萧清南;黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2007-09-07 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明提供一种快闪存储器的布局和结构，其特征为位于存储器单元串的二侧的栅极导线呈规则的锯齿状，其中栅极导线是作为电连接同一行上的选择栅极晶体管的选择栅极，其排列呈锯齿状可以使元件集成度提升，并使选择栅极晶体管具有不同的栅极长度，如此在存储器单元串的一侧，构成至少一选择栅极沟道为开启状态的耗尽元件。
闪存

[发明专利]快闪存储器-CN200710148801.2无效
发明人：黄信斌;萧清南;黄仲麟 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2007-09-03 - 公布日： 2009-03-11 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了一种快闪存储器，其特征在于存储器单元串的二侧的选择栅极晶体管分别具有凹入式栅极沟道和水平式栅极沟道两种不同的结构。由于采用凹入式栅极沟道的设计，使连结选择栅极晶体管的栅极导线的线距缩小，因此使元件集成度提升，同时提高浅沟槽隔离工艺的宽裕度。此外，在存储器单元串的一侧，构成至少一选择栅极沟道为开启状态的耗尽元件。
闪存

[发明专利]一种存储器结构及其制作方法-CN200710109983.2有效
发明人： 萧清南;李培瑛;张明成;黄仲麟;张锡华;吴志祥 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2007-06-11 - 公布日： 2008-12-17 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明揭露的存储器特征在于其浮置栅极与控制栅极皆设于半导体中的沟槽内。其制作方法包含有提供基底，于基底中形成第一沟槽并于第一沟槽表面形成第一栅极介电层，然后，在第一栅极介电层上覆盖第一导电层；蚀刻第一导电层，于第一沟槽的侧壁上形成侧壁子，作为浮置栅极，继续蚀刻第一沟槽底部，形成第二沟槽；于该侧壁子表面、该第二沟槽的侧壁以及底面上形成栅极间介电层；形成第二导电层，填满该第一沟槽以及该第二沟槽，作为控制栅极。
一种存储器结构及其制作方法

[发明专利]多位元堆叠式非易失性存储器及其制造方法-CN03152561.X有效
发明人： 萧清南;林其辉;庄英政 -专利权人：南亚科技股份有限公司
申请日： 2003-08-05 - 公布日： 2005-02-16 - 主分类号： H01L21/8239 文献下载
摘要：本发明公开一种多位元堆叠式非易失性存储器及其制造方法。制造方法包括步骤形成一图案化含砷介电层于半导衬底上，其中图案化含砷介电层定义一开口为有源区域。形成介电间隙壁于图案化含砷介电层的侧壁，以及栅极介电层于半导体衬底的表面。利用热驱动法使图案化含砷介电层的砷原子扩散至半导体衬底内而形成源极/漏极区域。形成间隙壁浮置栅于介电间隙壁的侧壁及栅极介电层上。形成层间介电层包覆间隙壁浮置栅。形成控制栅层位于层间介电层上，并填满有源区域的开口。
位元堆叠非易失性存储器及其制造方法

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