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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]固态成像装置及其制造方法和成像设备-CN200910205100.7无效
发明人：太田和伸;平野智之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-10-30 - 公布日： 2010-06-09 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：本发明公开一种固态成像装置及其制造方法和成像设备。固态成像装置在半导体衬底上包括像素部分，其具有将入射光进行光电转换以获得信号电荷的光电转换部分；以及周边电路部分，其形成像素部分的周边。像素部分具有从光电转换部分读取信号电荷的竖直晶体管和对由竖直晶体管读取的信号电荷进行处理的平面晶体管。竖直晶体管具有：沟槽部分，其形成在半导体衬底上；栅极绝缘膜，其形成在沟槽部分的内表面上；导电层，其形成在沟槽部分内和沟槽部分的周围的半导体衬底上的栅极绝缘膜的表面上；填充层，其经由栅极绝缘膜和导电层填充沟槽部分的内部；以及电极层，其在填充层上连接到导电层。
固态成像装置及其制造方法设备

[发明专利]固体摄像装置制造方法-CN200910006975.4无效
发明人：桧山晋;平野智之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： H01L21/82 文献下载
摘要：本发明提供了一种固体摄像装置制造方法，在所述固体摄像装置中，在半导体基板上形成有检测电磁波并产生信号电荷的电荷生成部，并且在所述电荷生成部的检测面上方形成有具有负固定电荷的负电荷累积层，所述方法包括以下步骤：在所述电荷生成部的检测面上形成能够供氧的供氧膜；形成金属膜，使得所述金属膜覆盖所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜；以及在不活泼气氛中对所述金属膜进行热处理，从而在所述金属膜与所述电荷生成部的检测面上的所述供氧膜之间形成所述金属膜的氧化物，所述氧化物用作所述负电荷累积层。本发明能够只在电荷生成部的检测面上方形成氧化物绝缘膜并使其用作负电荷累积层，因而抑制由界面态引起的暗电流分量。
固体摄像装置制造方法

[发明专利]正型抗蚀剂组合物、抗蚀剂图案形成方法及高分子化合物-CN200910006470.8无效
发明人：清水宏明;中村刚;太宰尚宏;盐野大寿;平野智之 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2009-02-18 - 公布日： 2009-08-26 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明提供一种正型抗蚀剂组合物，它是含有在酸的作用下对碱显影液的溶解性增大的基材成分(A)和通过曝光而产生酸的产酸剂成分(B)的正型抗蚀剂组合物，其特征在于，上述基材成分(A)含有高分子化合物(A1)，该高分子化合物(A1)具有下述通式(a0-1)表示的结构单元(a0)，式中，R¹是氢原子、低级烷基或卤代低级烷基，A是2价的连接基团，B是2价的连接基团，R²是酸解离性溶解抑制基团。
正型抗蚀剂组合抗蚀剂图案形成方法高分子化合物

[发明专利]固体摄像器件-CN200910001116.6有效
发明人： 平野智之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2009-01-22 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L27/14 文献下载
摘要：本发明提供一种固体摄像器件，其包括：硅层，所述硅层具有形成于其中的光电二极管和形成在所述光电二极管的表面上的正电荷累积区域；以及光波导，其形成在所述光电二极管上方，用于将入射光引导至所述光电二极管中，其中，在所述光波导中形成有绝缘层，并且所述绝缘层具有5以上的介电常数和负固定电荷。本发明的固体摄像器件提供了足够的空穴累积效应(负偏压效应)，因此能抑制在具有光波导的固体摄像器件中由界面态引起的暗电流的产生。结果，能够提供可以稳定工作且不产生任何暗电流的非常可靠的固体摄像器件。
固体摄像器件

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN200810133183.9有效
发明人：王俊利;平野智之;片冈豊隆;萩本贤哉 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2008-07-09 - 公布日： 2009-01-14 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置，其包括：在半导体基板上形成的第一组晶体管；以及在所述半导体基板上形成的第二组晶体管，所述第二组中每个晶体管的工作电压低于所述第一组中每个晶体管的工作电压；其中，所述第一组中的每个晶体管包括经过第一栅绝缘膜在所述半导体基板上形成的第一栅电极和在所述第一栅电极上形成的硅化物层；所述第二组中的每个晶体管包括经过第二栅绝缘膜在形成于所述半导体基板上面的绝缘膜中的栅形成用沟槽内形成的第二栅电极；并且，形成有保护膜使其覆盖住所述第一组晶体管的每个第一栅电极上的所述硅化物层。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法-CN200680043555.8有效
发明人：越山淳;泽田佳宏;横谷次朗;平野智之 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2006-11-22 - 公布日： 2008-11-26 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明提供一种在浸液曝光过程中能够高效地洗涤除去因为从光致抗蚀剂溶出的成分而导致的曝光装置部位(特别是光学透镜部)的污染物、且废液处理简便、与浸液介质的置换效率高、不阻碍半导体制造生产率的光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法。本发明涉及光刻法用洗涤液及使用该洗涤液的曝光装置的洗涤方法，其中，所述光刻法用洗涤液在用浸液介质充满于曝光装置的光学透镜部和置于晶片载物台上的曝光对象物之间进行曝光的浸液曝光过程中，用于上述曝光装置的洗涤，所述光刻法用洗涤液含有(a)表面活性剂、(b)烃溶剂及(c)水。
光刻洗涤液使用曝光装置洗涤方法

[发明专利]光刻胶保护膜形成用材料以及使用该材料的光刻胶图案形成方法-CN200580025663.8无效
发明人：石冢启太;远藤浩太郎;平野智之 -专利权人：东京应化工业株式会社
申请日： 2005-07-29 - 公布日： 2007-08-15 - 主分类号： G03F7/11 文献下载
摘要：本发明在浸液曝光工艺中，能同时防止利用包括水在内的各种浸渍液的浸液曝光中的光刻胶膜的变质及所用的浸渍液的变质，且不会增加处理工序数，提高光刻胶膜的放置耐性，可形成利用浸液曝光的高分辨率的光刻胶图案。使用至少将可溶于碱的聚合物和交联剂及可溶解它们的溶剂作为构成成分的组合物在所使用的光刻胶膜表面上形成保护膜。
光刻保护膜形成用材以及使用材料图案方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN200610051497.5有效
发明人：山口晋平;田井香织;平野智之 -专利权人：索尼株式会社
申请日： 2006-02-28 - 公布日： 2006-09-13 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体器件，其包括在半导体衬底的上侧具有栅电极的场效应晶体管，在所述半导体衬底和所述栅电极之间具有栅极绝缘膜，其中，至少所述栅电极的栅极绝缘膜一侧包括含有铪和硅的膜。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法-CN200310103596.X有效
发明人：小野高稔;水野直人;竖山佳邦;平野智之 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-11-11 - 公布日： 2004-06-02 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种半导体器件的制造方法，具备下述步骤：使用包含研磨粒子和表面活性剂的第1研磨液在具有凹凸面的被研磨体的表面上进行第1化学机械研磨；使用包含研磨粒子且具有比第1研磨液低的表面活性剂浓度的第2研磨液在被进行了第1化学机械研磨的被研磨体的表面上进行第2化学机械研磨；以及在使被研磨体的凹凸面平坦化了时，从第1化学机械研磨转换为第2化学机械研磨。
半导体器件制造方法

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