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- [实用新型]半导体电容结构-CN202222098089.2有效
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邹道华;高谷信一郎;刘昱玮;黄仁耀
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常州承芯半导体有限公司
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2022-08-10
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2023-03-17
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H01L23/64
- 一种半导体电容结构，包括：衬底；位于所述衬底上的第一电极层；位于所述第一电极层上的第一绝缘层；位于所述第一绝缘层上的第二电极层；位于所述衬底上介质结构，所述介质结构覆盖所述第一电极层、第一绝缘层以及第二电极层；位于所述介质结构上的第一金属板，所述第一金属板与所述第二电极层连接；位于所述第一金属板上的焊盘。由于所述第一金属板位于所述介质结构上，当在所述焊盘上施加压力连接引线时，所述介质结构对压力的传递具有较强的缓冲作用，能够有效减小传递至所述第一绝缘层上的压力，降低所述第一绝缘层被压裂的风险，使得电容结构能够形成在第一金属板下方，电容结构不需要额外占用芯片面积，进而能够提升芯片的器件结构集成度。
- 半导体电容结构
- [发明专利]滤波装置电路-CN202310070346.8在审
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杨新宇;邹雅丽;汤正杰
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常州承芯半导体有限公司
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2023-02-07
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2023-03-14
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H03H9/52
- 一种滤波装置电路，涉及半导体技术领域，包括：第一滤波器电路，包括第一部分和第二部分，第一部分的一端连接发射端另一端连接第二部分的一端，第二部分的另一端连接天线端；第二滤波器电路，一端连接天线端另一端连接接收端；第一部分：第一谐振器和第二谐振器，第一谐振器电耦合发射端且连接第二谐振器，第一谐振器电耦合第二部分，第二谐振器还电耦合发射端以及接地；第二部分：第三谐振器和第四谐振器，第三谐振器电耦合第一部分且连接第四谐振器同时电耦合天线端，第四谐振器还电耦合第一部分同时接地，第三谐振器和第四谐振器包括声表面波谐振器。能够在不牺牲第一滤波器电路插入损耗的情况下，有效降低电路整体的二阶谐波效应。
- 滤波装置电路
- [发明专利]声表面波滤波装置及其形成方法-CN202211457736.2在审
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黄烜;邹雅丽;汤正杰;杨新宇
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常州承芯半导体有限公司
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2022-11-21
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2023-03-10
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H03H9/64
- 一种声表面波滤波装置及其形成方法，其中形成方法包括：提供压电基底；在压电基底上形成若干第一连接部、第二连接部和若干叉指电极结构；在压电基底上形成钝化层，局部覆盖若干第一连接部，至少局部覆盖第二连接部，以及覆盖若干叉指电极结构；形成第三连接部，跨越第二连接部，与位于第二连接部两侧的第一连接部电连接。在形成叉指电极结构之后，在叉指电极结构表面形成钝化层，利用钝化层及时对叉指电极结构进行保护，防止制程中化学药品和水汽对叉指电极结构造成腐蚀和氧化，进而提升器件的性能。此外，通过先形成钝化层的制程顺序，能够有效避免高温沉积钝化层而造成其他易挥发材料的挥发而污染机台，以此提升生产效率和器件良率。
- 表面波滤波装置及其形成方法
- [发明专利]声表面波谐振装置及其形成方法-CN202211452649.8在审
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汤正杰;邹雅丽;杨新宇
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常州承芯半导体有限公司
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2022-11-21
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2023-01-31
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H03H9/25
- 一种声表面波谐振装置及其形成方法，涉及半导体制造技术领域，其中装置包括：压电基底；位于压电基底上的电极结构，电极结构包括第一金属层、第二金属层及第三金属层，第一金属层和第三金属层的材料密度大于第二金属层的材料密度。通过增设材料密度较高的第三金属层，能够有效抑制低材料密度的金属的声学迁移现象，提高声表面波谐振装置的功率耐受度。另外，由于电极结构的厚度会影响声表面波谐振装置的谐振频率，高材料密度的金属厚度对频率的影响比低材料密度的金属更显著。因此，通过增设材料密度较高的第三金属层，可以调控第三金属层的厚度，从而达到精准控制声表面波谐振装置的谐振频率的效果，使得调频方式更加灵活可控。
- 表面波谐振装置及其形成方法
- [发明专利]体声波谐振装置的形成方法-CN202211203212.0在审
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黄烜;邹雅丽;杨新宇;汤正杰
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常州承芯半导体有限公司
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2022-09-29
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2023-01-20
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H03H3/02
- 一种体声波谐振装置的形成方法，包括：形成第一部，包括：提供第一基底；形成压电层，位于第一基底上方；形成第一电极层，位于压电层上；形成空腔预处理层，位于压电层上；形成空腔预处理层包括：形成牺牲层，位于压电层上方，牺牲层的材料为金属材料；形成第二部，包括：提供第二基底；接合第一部与第二部；去除第一基底；形成第二电极层；去除牺牲层形成空腔。通过接合工艺形成体声波谐振装置，避免对牺牲层进行坦化处理，使得牺牲层的材料选择更灵活。通过选用金属材料的牺牲层，在去除牺牲层的过程中金属材料能与释放溶液反应充分，通过控制反应速率可避免空腔上方结构塌陷的问题，也可避免牺牲层释放不净问题，以提升体声波谐振装置的性能。
- 声波谐振装置形成方法
- [发明专利]体声波谐振装置的形成方法-CN202211356578.1在审
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黄烜;邹雅丽;汤正杰;杨新宇
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常州承芯半导体有限公司
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2022-11-01
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2023-01-20
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H03H9/02
- 一种体声波谐振装置的形成方法，包括：形成第一部，包括：提供第一基底；在第一基底上形成种子层；在种子层上形成第二电极材料层；在第二电极材料层上形成压电层；在压电层上形成第一电极层，第一电极层位于第一侧；在压电层上形成空腔预处理层，空腔预处理层位于第一侧，且空腔预处理层覆盖第一电极层；形成第二部，包括：提供第二基底；将第二部与第一部接合，第二部位于第一侧；去除第一基底和种子层；图形化第二电极材料层，在压电层第二侧上形成第二电极层；基于空腔预处理层形成空腔，第一电极层与第二电极层在空腔上方部分重合。所述体声波滤波器的性能得到提升。
- 声波谐振装置形成方法
- [发明专利]晶圆的切割方法-CN202211380570.9在审
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李青哲;黄玉录;黄仁耀;苏育生
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常州承芯半导体有限公司
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2022-11-04
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2023-01-13
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B23K26/38
- 一种晶圆的切割方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干相互分立的主芯片区、以及位于相邻所述主芯片区之间的切割道区，所述主芯片区内具有器件结构，所述切割道区内具有切割道；在所述切割道区的顶部表面、以及所述切割道的侧壁和底部表面形成第一切割保护层，所述第一切割保护层的材料包括金属氧化物；在形成所述第一切割保护层之后，沿所述切割道对所述晶圆进行切割处理，使得所述晶圆形成若干所述芯片。由于所述第一切割保护层的材料为金属氧化物，能够有效减少在对晶圆进行激光切割时产生的烧结物，进而减少芯片表面附着烧结物，以此提升产品的良率。
- 切割方法
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