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- [发明专利]半导体装置-CN201910018835.2有效
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小屋茂树;筒井孝幸;中井一人;田中佑介
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株式会社村田制作所
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2019-01-09
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2022-12-06
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H01L27/06
- 本发明提供能够抑制发射极电阻的增大且具有适合于高输出动作的构成的半导体装置。多个单位晶体管在基板的表面沿第一方向排列地配置。与单位晶体管对应地配置输入电容元件。在单位晶体管的发射极层连接发射极共用布线。在与发射极共用布线重叠的位置设置从发射极共用布线到达至基板的背面的导通孔。在单位晶体管的集电极层连接集电极共用布线。多个输入电容元件、发射极共用布线、多个单位晶体管以及集电极共用布线按上述记载顺序沿第二方向排列地配置。将多个输入电容元件与对应的单位晶体管的基极层连接的基极布线与发射极共用布线不物理性接触地交叉。
- 半导体装置
- [实用新型]高频模块和通信装置-CN202121162014.5有效
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后藤聪;中井一人
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株式会社村田制作所
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2021-05-27
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2022-01-25
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H04B1/40
- 提供一种抑制了多尔蒂型的发送功率放大电路与接收电路的隔离度劣化的小型的高频模块和通信装置。高频模块(1)具备具有彼此相向的主面(91a及91b)的模块基板(91)、多尔蒂型的功率放大电路(10)以及低噪声放大器(21)，功率放大电路(10)具有载波放大器、峰值放大器以及相位电路(11D及12B)，载波放大器的输入端子与相位电路(11D)的一端连接，峰值放大器的输入端子与相位电路(11D)的另一端连接，载波放大器的输出端子与相位电路(12B)的一端连接，峰值放大器的输出端子与相位电路(12B)的另一端连接，载波放大器和峰值放大器配置于主面(91a)，低噪声放大器(21)配置于主面(91b)。
- 高频模块通信装置
- [实用新型]高频模块和通信装置-CN202120502760.8有效
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中井一人;后藤聪;高桥秀享;吴大禄
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株式会社村田制作所
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2021-03-09
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2021-11-23
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H04B1/40
- 提供一种高频模块和通信装置。高频模块(1)具备：具有彼此相向的主面(91a及91b)的模块基板(91)；功率放大器(10)；以及第一电路部件，其中，功率放大器(10)具有：放大元件(12及13)；以及具有初级侧线圈(15a)和次级侧线圈(15b)的输出变压器(15)，其中，初级侧线圈(15a)的一端与放大元件(12)的输出端子连接，初级侧线圈(15a)的另一端与放大元件(13)的输出端子连接，次级侧线圈(15b)的一端与功率放大器(10A)的输出端子连接，放大元件(12及13)配置于主面(91a)，第一电路部件配置于主面(91b)。
- 高频模块通信装置
- [发明专利]功率放大模块-CN201611041657.8有效
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大山宁;筒井孝幸;中井一人
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株式会社村田制作所
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2016-11-22
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2020-11-03
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H03F1/26
- 本发明提供在发送接收频率间隔较窄的频带中抑制接收频带的噪声产生的功率放大模块。功率放大模块，包括：第一输入端子，该第一输入端子输入第一频带中的第一发送信号；第二输入端子，该第二输入端子输入比第一频带的发送接收频率间隔窄的第二频带中的第二发送信号；第一放大电路，第一发送信号被输入至该第一放大电路，该第一放大电路将放大所述第一发送信号后的第一放大信号输出；第二放大电路，第二发送信号被输入至该第二放大电路，该第二放大电路将放大所述第二发送信号后的第二放大信号输出；第三放大电路，第一或第二放大信号被输入至该第三放大电路，该第三放大电路将放大所述第一或第二放大信号后的输出信号输出；以及衰减电路，该衰减电路设置在所述第二输入端子与所述第二放大电路之间，使第二频带中的接收频带分量衰减。
- 功率放大模块
- [发明专利]半导体装置-CN201710239749.5有效
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本多悠里;播磨史生;中井一人
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株式会社村田制作所
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2017-04-13
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2020-10-16
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H01L27/02
- 本发明提供一种能降低多个单位晶体管间的温度偏差的半导体装置。半导体装置包括：半导体基板；以及晶体管组，该晶体管组包含至少1列晶体管列，该至少1列晶体管列在半导体基板上，沿第1方向排列配置有多个单位晶体管，至少1列晶体管列中的第1晶体管列包含：第1一组单位晶体管，该第1一组单位晶体管由以第1间隔相邻的2个单位晶体管构成；以及第2一组单位晶体管，该第2一组单位晶体管由以第2间隔相邻的2个单位晶体管构成，第1一组单位晶体管与第2一组单位晶体管相比，其形成在接近第1晶体管列在第1方向上的中心的位置，且第1间隔比第2间隔宽。
- 半导体装置
- [发明专利]功率放大装置-CN201611048553.X有效
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渡边一雄;田中聪;中井一人;筒井孝幸
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株式会社村田制作所
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2016-11-24
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2019-11-29
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H03F3/21
- 本发明涉及一种功率放大装置。包括放大第1无线频率信号且输出第2无线频率信号的第1晶体管；放大第2无线频率信号且输出第3无线频率信号的第2晶体管；向第1晶体管的基极提供第1偏置电流的第1偏置电路；向第2晶体管的基极提供第2偏置电流的第2偏置电路，第1偏置电路包括从发射极或源极输出第1偏置电流的第3晶体管；一端输入第1无线频率信号且另一端与第1晶体管的基极相连接的电容器；一端与第3晶体管的发射极或源极相连接且另一端与第1晶体管的基极相连接的第1电阻器；一端与电容器的一端相连接且另一端与第3晶体管的发射极或源极相连接的第2电阻器；一端与电容器的一端相连接且另一端与第1晶体管的基极相连接的第3电阻器。
- 功率放大模块
- [发明专利]通信单元-CN201610191805.8有效
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田中聪;筒井孝幸;田中佑介;中村隼人;中井一人
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株式会社村田制作所
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2016-03-30
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2019-03-15
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H04W88/06
- 本发明提供一种对应于多模和多频并且适用于下行载波聚合的通信单元，其具备第1功率放大模块和第2功率放大模块，第1功率放大模块包括：对第1通信方式下的第1发送信号进行放大的第1功率放大器、对第1通信方式下的第2发送信号进行放大的第2功率放大器、对第2通信方式下的第3发送信号进行放大的第3功率放大器、对第2通信方式下的第4发送信号进行放大的第4功率放大器、生成第1偏置电流的第1偏置电流生成电路、以及将第1偏置电流转换成第2偏置电流的偏置电流转换电路，第2功率放大模块包括：对第1通信方式下的第5发送信号进行放大的第5功率放大器、以及生成提供给第5功率放大器的第3偏置电流的第2偏置电流生成电路。
- 通信单元
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