“宋学昌”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网_中国专利网

首页在售求购查询申请展会资讯专利榜企服商城升级VIP

立即登录免费注册

在售专利
求购专利
查询专利
新闻资讯
技术展会
招商加盟
专利榜

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247 本网专利代理业务由天津创信方达专利代理事务所(普通合伙)承接机构代码：12247

专利名称

专利名称
专利号码
专利分类
申请人
公布日期

农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

专利下载VIP

公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

钻瓜专利网为您找到相关结果45个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201610654720.9在审
发明人： 宋学昌;张智强;李昆穆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-11 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：半导体结构包括器件区域和测试区域。在器件区域中，第一鳍间隔件覆盖第一鳍结构的侧壁并且具有第一高度，并且第一外延结构设置在第一鳍结构中，其中，部分第一外延结构位于第一鳍间隔件之上并且具有第一宽度。在测试区域中，第二鳍间隔件覆盖第二鳍结构的侧壁并且具有第二高度，并且第二高度大于第一高度。第二外延结构设置在第二鳍结构中，并且部分第二外延结构位于第二鳍间隔件之上并且具有第二宽度，其中，第二宽度小于第一宽度。本发明的实施例还涉及半导体结构的制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]半导体结构及其制造方法-CN201610707132.7在审
发明人： 宋学昌;张智强;李昆穆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-08-23 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体结构和制造半导体结构的方法。半导体结构包括衬底、应变诱导层和外延结构。应变诱导层设置于衬底上和外延结构嵌入在应变诱导层中并且不与衬底接触。本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。
半导体结构及其制造方法

[发明专利]具有不均匀P型杂质分布的MOS器件-CN201310452596.4有效
发明人： 宋学昌;郭紫微;李昆穆;李资良;李启弘 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-09-27 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H01L27/105 文献下载
摘要：本发明提供了具有不均匀P型杂质分布的MOS器件，其中，一种集成电路结构包括半导体衬底、位于半导体衬底之上的栅极堆叠件和延伸至半导体衬底中的开口，其中，开口与栅极堆叠件相邻。硅锗区被设置在开口中，其中，硅锗区具有第一p型杂质浓度。基本上不含锗的硅罩覆盖硅锗区。硅罩具有高于第一p型杂质浓度的第二p型杂质浓度。
具有不均匀杂质分布 mos 器件

[发明专利]调节MOS器件中的锗百分比-CN201310594148.8在审
发明人：郭紫微;李昆穆;宋学昌;李啟弘;李资良 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-11-21 - 公布日： 2015-02-11 - 主分类号： H01L29/423 文献下载
摘要：本发明涉及调节MOS器件中的锗百分比的技术。本发明的集成电路结构包括：位于半导体衬底上方的栅极堆叠件，以及延伸到半导体衬底内的开口，其中开口邻近栅极堆叠件。第一硅锗区域设置在开口中，其中，第一硅锗区域具有第一锗百分比。第二硅锗区域覆盖第一硅锗区域，其中，第二硅锗区域具有大于第一锗百分比的第二锗百分比。金属硅化物区域位于第二硅锗区域上方并与第二硅锗区域接触。
调节 mos 器件中的百分比

[发明专利]降低外延中的图案负载效应-CN201310158941.3有效
发明人： 宋学昌;郭紫微;陈冠宇;李昆穆 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2013-05-02 - 公布日： 2014-05-21 - 主分类号： H01L21/20 文献下载
摘要：降低外延中的图案负载效应。一种方法包括：在半导体衬底上方形成栅极堆叠件，在半导体衬底中且邻近于栅极堆叠件形成开口，以及实施第一外延在开口中生长第一半导体层。实施回蚀刻以减小第一半导体层的厚度。实施第二外延以在第一半导体层上方生长第二半导体层。第一半导体层和第二半导体层具有不同的组成。
降低外延中的图案负载效应

[发明专利]制造应变源极/漏极结构的方法-CN201210029796.4有效
发明人：郭紫微;宋学昌;陈冠宇;林宪信 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2012-02-10 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： H01L29/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路器件和形成该集成电路器件的方法。所公开的方法提供了用于在半导体器件中形成改进的轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件的工艺。具有改进的轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件的半导体器件可以防止或者降低缺陷，并且获得较好的应变效果。在至少一个实施例中，轻掺杂源极/漏极元件和源极/漏极元件包含通过外延生长形成的相同的半导体材料。
制造应变结构方法

[发明专利]制造应变的源极/漏极结构的方法-CN201110271896.3有效
发明人：郭紫微;宋学昌;陈冠宇;林宪信 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-09-09 - 公布日： 2012-07-25 - 主分类号： H01L29/43 文献下载
摘要：本申请公开了一种制造应变的源极/漏极结构的方法。本公开的方法提供了一种用于在半导体器件中形成改进的源极/漏极部件的工艺过程。带有改进的源极/漏极部件的半导体器件可以防止或减少缺陷并且由外延层实现高的应变效应。在实施例中，该源极/漏极部件包括围绕着第一部分的第二部分和在第二部分和半导体衬底之间的第三部分，其中，第二部分具有与第一和第三部分不同的成分。
制造应变结构方法

[发明专利]高性能应变源极-漏极结构及其制造方法-CN201110220721.X有效
发明人： 宋学昌;蔡明桓;林宪信;郑振辉;范玮寒 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2011-08-02 - 公布日： 2012-05-30 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种用于制造高性能应变源极-漏极结构的方法，包括：在基板上形成栅极结构，在接近栅极结构的位置上形成袋状注入区域；在邻近栅极结构的位置上形成隔离件；实施干式蚀刻，以形成具有第一轮廓的凹部；实施湿式蚀刻，以将凹部扩大成第二轮廓；以及实施热蚀刻，以将凹部扩大成第三轮廓；然后，在具有第三轮廓的凹部中形成源极-漏极结构。本发明还提供了一种高性能应变源极-漏极结构。
性能应变结构及其制造方法

[发明专利]具有凹陷沟道的应变半导体装置以及形成该装置的方法-CN201010250734.7无效
发明人：郑振辉;冯家馨;蔡瀚霆;蔡明桓;范玮寒;宋学昌;王海艇;吕伟元;罗先庆;陈冠仲 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-08-10 - 公布日： 2011-10-19 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种具有应力沟道(strained channel)的半导体装置以及制造该装置的方法。此半导体装置具有形成在沟道凹陷上的栅极。以应力引发材料(stress-inducing material)填入形成于栅极两侧的第一凹陷及第二凹陷，该应力引发材料扩展进入源极/漏极延伸(source/drain extension)与栅极边缘重叠的区域。在一实施例中，沟道凹陷及/或第一与第二凹陷的侧壁可为沿着{111}刻面。本发明相较于其他已知系统可在沟道区显示较高且较均匀的应力。
具有凹陷沟道应变半导体装置以及形成方法

[发明专利]半导体组件及其制造方法-CN201010614922.3无效
发明人：许育荣;余振华;陈昭成;蔡明桓;林宪信;宋学昌 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-10-05 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体组件及其制造方法，半导体组件包含半导体基材、栅极结构位于部分的基材上、以及数个应变结构位于此部分基材的任一边上且由不同于半导体基材的半导体材料所构成。此部分的基材为T字型，而具有一水平区与一垂直区，此垂直区自水平区而以一方向远离基材的表面。
半导体组件及其制造方法

[发明专利]集成电路结构的形成方法-CN201010603967.0有效
发明人：苏建彰;郭紫微;林宪信;宋学昌;白易芳;陈冠宇 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-12-22 - 公布日： 2011-08-31 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明公开了一种集成电路结构的形成方法，该方法包含提供晶片，其包含基底与基底的主要表面上的半导体鳍片，以及进行沉积步骤，在半导体鳍片的上表面与侧壁上外延生长外延层，其中外延层包含半导体材料。然后，进行蚀刻步骤，移除一部分的外延层，在半导体鳍片的上表面与侧壁上留下外延层的剩余部分。采用本发明提供的方法，能够经由外延层的融合所产生的空隙(如果真的形成)至少会减小，且可能会被消除。
集成电路结构形成方法

[发明专利]半导体装置及其制作方法-CN201010529486.X无效
发明人：苏建彰;林宪信;郭紫微;陈冠宇;宋学昌;白易芳 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-10-29 - 公布日： 2011-06-22 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明揭示一种半导体装置及其制作方法，该方法包括提供一基底，形成多个鳍于基底上方，上述鳍借由一隔离结构彼此隔离，形成一栅极结构于每个鳍的部分上方，分别于栅极结构的侧壁形成间隙壁，于每个鳍的暴露部分外延成长硅，其中外延工艺加入一不纯物元素，不纯物元素择自锗、铟和碳组成的族群，及于外延硅掺杂n型掺杂物。本发明通过不纯物元素能偶外延硅的成长速率，可减少硅表面上的掺杂毒化，并使浅沟槽隔离具有良好的选择性，从而使得外延硅中的缺陷因而减少。
半导体装置及其制作方法

[发明专利]晶体管与其制法-CN201010243664.2有效
发明人：郑振辉;宋学昌;陈冠宇;林宪信;冯家馨 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2010-07-30 - 公布日： 2011-03-23 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种晶体管与其制法。此晶体管包括：一栅极电极，设置于一基材之上；以及至少一复合应力结构，设置于该栅极电极下方的沟道旁，其中复合应力结构包括：一第一应力区域，位于基材中；以及一第二应力区域，设于第一应力区域之上，且至少一部分的第二应力区域设置于基材中。本发明提供的晶体管具有复合应力结构，可提供晶体管的沟道所需的压缩或伸张应力，增加了晶体管的电性表现。
晶体管与其制法

[发明专利]半导体结构-CN200710137027.5有效
发明人：林宪信;张文;苏建彰;陈冠宇;宋学昌;游明华 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2007-07-19 - 公布日： 2008-10-08 - 主分类号： H01L29/12 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构。该半导体结构包括：第一含硅化合物层，该第一含硅化合物层包括一元素，该元素大体选自由锗及碳所组成的族群；硅层，在第一含硅化合物层之上，其中该硅层包括实质上的纯硅；及第二含硅化合物层，包括在硅层上的元素。第一及第二含硅化合物层的硅浓度实质上小于硅层。该复合半导体结构可作为金属氧化物半导体(MOS)元件的源极/漏极区。
半导体结构

[实用新型]内冷却空心车刀-CN03205114.X无效
发明人：毛军帆;于杰栋;睢相林;宋学昌;李献芹 -专利权人：安阳钢铁股份有限公司
申请日： 2003-07-21 - 公布日： 2004-07-14 - 主分类号： B23B27/10 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种内冷却空心车刀，尤其是一种适用于在普通车床上加工深孔及深孔螺纹的车刀。本实用新型由螺栓、刀杆、接头、刀片构成，所述刀片通过螺栓固定在刀杆的一端，所述刀杆中设置一个孔径为Φ10mm－Φ15mm的冷却孔，所述冷却孔一端与刀片槽不连通，另一端与固定于刀杆的接头连通，在刀片附近设置一与冷却孔相连的喷液孔，孔径为Φ2mm－Φ5mm，喷液孔与冷却孔轴线之间夹角α为30°至60°。本实用新型通过在刀杆内设置一内冷却通道，实现了对刀具的连续充分冷却，防止了轧刀和挤屑现象，提高了加工质量。
冷却空心车刀

首页
«上一页
1
2
3
共 45 条

友情链接：交换友情链接需要网站权重大于4，网站收录10W以上，如符合条件，请联系QQ：76009968。

关于我们寻求报道投稿须知广告合作版权声明网站地图友情链接企业标识联系我们

在线咨询

400-8765-105周一至周五 9:00-18:00

版权所有钻瓜科技（天津）有限公司津ICP备15000985号津公网安备 12019202000206号http://www.vipzhuanli.com/公布日期

咨询在线客服

咨询在线客服

tel code back_top