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[发明专利]动态随机存取存储器及其制作方法-CN202110587180.8有效
发明人：许耀光;朱贤士;周运帆;童宇诚;王超雄 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种动态随机存取存储器，包括一衬底，复数个第一有源区域设置在该衬底上，沿着一第一方向端部对端部排列并且沿着一第二方向互相平行，其中该第一方向垂直于该第二方向。复数个第二有源区域设置在该第一有源区域之间并且沿着该第一方向端部对端部排列，其中该第二有源区域各自包括邻近该第二有源区域与该第一有源区域之间的一第一沟槽的一第一侧壁以及邻近该第一有源区域的端部之间的一第二沟槽的一第二侧壁，其中于沿着该第二方向的一剖面图中，该第一侧壁的一第一倾角大于该第二侧壁的一第二倾角。
动态随机存取存储器及其制作方法

[发明专利]台阶结构的制备方法、NAND存储器的制备方法-CN202210793011.4在审
发明人：孔果果;庄梦琦;童宇诚;周运帆 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供了一种台阶结构的制备方法、NAND存储器的制备方法。在台阶结构的制备方法中，通过修整工艺逐次扩大第一开口的开口尺寸，并在每一次扩大第一开口后执行刻蚀工艺，以逐级界定出台阶结构的各级台阶，从而在N‑1次修整工艺和刻蚀工艺后，即可在第一开口内同时形成两组台阶结构，简化了台阶结构的制备工艺。并且，对第一开口的每次扩展均是从相对两侧进行双向扩展，使得每一次开口的扩展量双倍增大，有利于增大后续所执行的刻蚀工艺的工艺窗口，降低刻蚀难度。
台阶结构制备方法 nand 存储器

[实用新型]三维存储器件-CN202220676402.3有效
发明人：孔果果;庄梦琦;周运帆;童宇诚;何世伟 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本实用新型公开了三维存储器件，包括衬底以及存储堆叠结构。存储堆叠结构设置在衬底上，包括多个堆叠单元由下而上依序堆叠成阶梯状，其中，各堆叠单元具有阶梯斜率，任一设置于下方的堆叠单元的阶梯斜率的斜率大于任一设置于上方的堆叠单元的所述阶梯斜率。由此，可优化三维存储器件的结构完整性，进而提升其组件效能。
三维存储器件

[发明专利]三维存储器件及其制作方法-CN202210303407.6在审
发明人：孔果果;庄梦琦;周运帆;童宇诚;何世伟 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-03-24 - 公布日： 2022-06-28 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明公开了三维存储器件及其制作方法，包括衬底以及存储堆叠结构。存储堆叠结构设置在衬底上，包括多个堆叠单元由下而上依序堆叠成阶梯状，其中，各堆叠单元具有阶梯斜率，任一设置于下方的堆叠单元的阶梯斜率的斜率大于任一设置于上方的堆叠单元的所述阶梯斜率。由此，可优化三维存储器件的结构完整性，进而提升其组件效能。
三维存储器件及其制作方法

[实用新型]三维存储器件-CN202220092411.8有效
发明人：孔果果;童宇诚;周运帆;何世伟;庄梦琦;吴冈;戴灿发 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种三维存储器件，包括一衬底以及一存储堆叠结构设置在所述衬底上。第一阶梯结构位于所述存储堆叠结构的第一侧。第二阶梯结构位于所述存储堆叠结构的第二侧。第三阶梯结构位于所述存储堆叠结构的第三侧。自所述衬底的表面，所述第一阶梯结构、所述第二阶梯结构以及所述第三阶梯结构的台阶分别位于不同高度处，以分别扇出存储堆叠结构的各个导电层。
三维存储器件

[实用新型]三维存储器件-CN202123107759.4有效
发明人：孔果果;何世伟;周运帆;朱冬祥;吴冈;戴灿发;赖建雄 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-05-31 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本实用新型公开了三维存储器件，包括衬底，其包括第一区以及第二区。包括交替层叠的多个导电层和电介质层的存储堆叠结构，设置在所述衬底上并且自所述第一区延伸至所述第二区，其中所述第二区上的所述存储堆叠结构包括阶梯结构，其中所述阶梯结构的台阶分别包括一所述导电层以及一所述电介质层，且所述导电层的侧壁自所述电介质层的侧壁凹入，显露出所述电介质层的部分底面。导电层的侧壁自所述电介质层的侧壁凹入可减少导电层与后续制作的字线接触插塞发生短路的问题。
三维存储器件

[发明专利]半导体结构及半导体装置-CN202210102769.9在审
发明人：许耀光;朱贤士;周运帆;王超雄 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体结构及半导体装置。该半导体结构中，将第一有源区图形中至少一个第一突出部以朝向第二缺口的方式设置，将第二有源区图形中的至少一个第二突出部以朝向第一缺口的方式设置，从而可以在有限的面积之中提高有源区的密度，可以达到有效利用空间的优点。
半导体结构装置

[发明专利]三维存储器件及其制作方法-CN202210040325.7在审
发明人：孔果果;童宇诚;周运帆;何世伟;庄梦琦;吴冈;戴灿发 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2022-01-14 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：一种三维存储器件及其制作方法，包括一衬底以及一存储堆叠结构设置在所述衬底上。第一阶梯结构位于所述存储堆叠结构的第一侧。第二阶梯结构位于所述存储堆叠结构的第二侧。第三阶梯结构位于所述存储堆叠结构的第三侧。自所述衬底的表面，所述第一阶梯结构、所述第二阶梯结构以及所述第三阶梯结构的台阶分别位于不同高度处，以分别扇出存储堆叠结构的各个导电层。通道结构，沿着垂直方向贯穿所述存储堆叠结构及电介质层、蚀刻停止层。
三维存储器件及其制作方法

[发明专利]三维存储器件及其制作方法-CN202111507546.2在审
发明人：孔果果;何世伟;周运帆;朱冬祥;吴冈;戴灿发;赖建雄 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-12-10 - 公布日： 2022-03-15 - 主分类号： H01L27/115 文献下载
摘要：本发明公开了三维存储器件及其制作方法，包括衬底，其包括第一区以及第二区；衬垫层，其设置在所述衬底和存储堆叠结构之间；包括交替层叠的多个导电层和电介质层的存储堆叠结构，其设置在所述衬底上并且自所述第一区延伸至所述第二区，其中所述第二区上的所述存储堆叠结构包括阶梯结构，其中所述阶梯结构的台阶分别包括一所述导电层以及一所述电介质层，且所述导电层的侧壁自所述电介质层的侧壁凹入，显露出所述电介质层的部分底面。导电层的侧壁自所述电介质层的侧壁凹入可减少导电层与后续制作的字线接触插塞发生短路的问题。
三维存储器件及其制作方法

[发明专利]图案布局的形成方法-CN202010791325.1有效
发明人：许耀光;朱贤士;周运帆;王超雄 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-08-07 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/033 文献下载
摘要：本发明公开了一种图案布局的形成方法。至少形成在衬底上的多条第一图案，本身具有交替排列多个的第一宽部以及第一窄部，其中多个第一窄部由于尺寸较小，因此在蚀刻步骤后会自动地被移除，而留下多个排列的第一宽部。所述留下的多个第一宽部可以当作后续有源区的掩膜层，进而后续步骤在衬底中形成多个棋盘式排列的有源区。藉由本发明所述的方法，可以达到节省制程步骤的目标。
图案布局形成方法

[实用新型]动态随机存取存储器-CN202121165979.X有效
发明人：许耀光;朱贤士;周运帆;童宇诚;王超雄 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-05-27 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种动态随机存取存储器，包括一衬底，复数个第一有源区域设置在该衬底上，沿着一第一方向端部对端部排列并且沿着一第二方向互相平行，其中该第一方向垂直于该第二方向。复数个第二有源区域设置在该第一有源区域之间并且沿着该第一方向端部对端部排列，其中该第二有源区域各自包括邻近该第二有源区域与该第一有源区域之间的一第一沟槽的一第一侧壁以及邻近该第一有源区域的端部之间的一第二沟槽的一第二侧壁，其中于沿着该第二方向的一剖面图中，该第一侧壁的一第一倾角大于该第二侧壁的一第二倾角。
动态随机存取存储器

[实用新型]金属互连结构及半导体器件-CN202121654627.0有效
发明人：孔果果;周运帆;何世伟;朱贤士;赖建雄;夏勇 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-12-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请提供一种金属互连结构及半导体器件，该金属互连结构包括依次叠层设置的衬底、刻蚀停止层和保护层；贯穿所述保护层和所述刻蚀停止层的接触孔；其中，所述接触孔包括贯穿所述保护层并延伸至所述刻蚀停止层内的第一部分，以及设置于所述刻蚀停止层内并与所述接触孔的第一部分连接的第二部分；所述接触孔的第一部分的侧壁相对于所述接触孔底部的倾斜角小于所述接触孔的第二部分的侧壁相对于所述接触孔底部的倾斜角；覆盖所述接触孔侧壁和底部的扩散阻挡层。所述接触孔的第一部分和第二部分的连接处位于所述刻蚀停止层处，过渡平缓，不会形成尖锐的角，扩散阻挡层的覆盖性较好，大大减少了互连结构之间的短路问题。
金属互连结构半导体器件

[发明专利]金属互连结构及其制备方法、半导体器件-CN202110819492.7在审
发明人：孔果果;周运帆;何世伟;朱贤士;赖建雄;夏勇 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2021-07-20 - 公布日： 2021-10-01 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请提供一种金属互连结构及其制备方法、半导体器件，该金属互连结构包括依次叠层设置的衬底、刻蚀停止层和保护层；贯穿所述保护层和所述刻蚀停止层的接触孔；其中，所述接触孔包括贯穿所述保护层并延伸至所述刻蚀停止层内的第一部分，以及设置于所述刻蚀停止层内并与所述接触孔的第一部分连接的第二部分；所述接触孔的第一部分的侧壁相对于所述接触孔底部的倾斜角小于所述接触孔的第二部分的侧壁相对于所述接触孔底部的倾斜角；覆盖所述接触孔侧壁和底部的扩散阻挡层。所述接触孔的第一部分和第二部分的连接处位于所述刻蚀停止层处，过渡平缓，不会形成尖锐的角，扩散阻挡层的覆盖性较好，大大减少了互连结构之间的短路问题。
金属互连结构及其制备方法半导体器件

[实用新型]有源区结构-CN202022661807.3有效
发明人：许耀光;童宇诚;朱贤士;周运帆;郭鹏 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2020-11-17 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本公开提供一种有源区结构，该有源区结构包括设置于所述有源层上的有源区；其中，所述有源区为封闭结构，所述有源区包括沿预设方向的若干间隔设置的第一有源线、与所述第一有源线间隔且交替的第二有源线、第一封闭边界和第二封闭边界；所述第一有源线的两端均与所述第一封闭边界相交；所述第一有源线包括若干间隔设置的第一器件单元，所述第二有源线包括若干间隔设置的第二器件单元，所述第一器件单元与所述第二器件单元交错设置。这种结构可以均衡有源器件单元与其边界的应力，防止器件单元因为应力不均而损坏。
有源结构

[实用新型]半导体结构-CN202020139568.2有效
发明人：童宇诚;周运帆;黄德浩;朱贤士;黄丰铭 -专利权人：福建省晋华集成电路有限公司
申请日： 2019-07-02 - 公布日： 2021-03-26 - 主分类号： H01L21/76 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种半导体结构。通过将电性传导结构设置在沟槽隔离结构上，以利用沟槽隔离结构上方的空间，从而可以缩减电性传导结构在整个半导体集成电路中所占用的空间，进而有利于实现所构成的半导体集成电路的尺寸缩减。
半导体结构

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