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[实用新型]一种用于光伏电站的BIM可视化展示装置-CN202222911560.5有效
发明人：王六虎;周国;车建平;钟毅;张大勇;谭昊;李彦昭;高瑞锋;汤文军;夏凌;彭兴虎;都凡 -专利权人：北京京能国际控股有限公司华中分公司
申请日： 2022-11-02 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： F16M13/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于光伏电站的BIM可视化展示装置，包括基座，所述基座的内部中空，所述基座的一端内壁安装有电机，所述电机的输出端连接有丝杆，所述电机的下方电连接有嵌入在基座内部的PLC控制器，所述丝杆的外表面设置有调节机构，所述基座的上方设置有安装板，所述安装板的前端表面安装有显示屏。本实用新型通过设置有一系列的结构，使得整体便于移动，同时可以调整展示的高度，并且可以在不使用时对显示屏进行有效的保护。
一种用于电站 bim 可视化展示装置

[发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管-CN202310284696.4在审
发明人：吕元杰;王元刚;刘宏宇;秦哲;李保弟;孙保瑞;周国;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基二极管制备方法及肖特基二极管。该方法包括：利用高温热氧化工艺对N+型氧化镓衬底进行氧化处理，得到形成在N+型氧化镓衬底上表面的第一N‑型氧化镓漂移层，以及在N+型氧化镓衬底下表面的第二N‑型氧化镓漂移层；去除第二N‑型氧化镓漂移层；在去除了第二N‑型氧化镓漂移层的N+型氧化镓衬底的下表面制备阴极电极，在第一N‑型氧化镓漂移层的上表面制备阳极电极，得到肖特基二极管。本发明能够在无需氧化镓外延工艺的前提下，仅采用N+型氧化镓单晶衬底制备肖特基二极管，进而解决外延氧化镓层会降低二极管器件性能和成品率的问题。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]肖特基二极管制备方法及肖特基二极管-CN202310286583.8在审
发明人：吕元杰;王元刚;刘宏宇;秦哲;李保弟;孙保瑞;周国;卜爱民;冯志红 -专利权人：中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2023-03-22 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L29/872 文献下载
摘要：本发明提供一种肖特基二极管制备方法和肖特基二极管。该方法包括：利用高温热氧化工艺对目标N+型氧化镓衬底进行氧化处理，得到形成在目标N+型氧化镓衬底上表面的第一N‑型氧化镓漂移层，以及在目标N+型氧化镓衬底下表面的第二N‑型氧化镓漂移层；在第一N‑型氧化镓漂移层的上表面和第二N‑型氧化镓漂移层的下表面制备阳极电极；对目标N+型氧化镓衬底进行裁切，得到第一N+型氧化镓衬底和第二N+型氧化镓衬底；在第一N+型氧化镓衬底的下表面和第二N+型氧化镓衬底的上表面制备阴极电极，得到两个肖特基二极管。本发明能够有效解决外延氧化镓层导致的二极管器件性能差、成品率低和生产成本高等问题。
肖特基二极管制备方法

[发明专利]一种挤压涂布垫片及挤压涂布机-CN202211595419.7在审
发明人：周国;夏学荣 -专利权人：江苏深盐达新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-12 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明涉及涂布机领域，具体为一种挤压涂布垫片及挤压涂布机，包括：挤压涂布垫片主体的端部设置有调节轨，调节轨的表面设置有调节板，调节板的一端设置有导流板另一端设置有控制架，调节板的底面开设有调节槽，调节槽的内壁开设有伸缩槽；定位块设置于伸缩槽的内部，定位块的内部开设有内滑槽；控制柱设置于内滑槽的内部，控制柱的两侧设置有调节柱；有益效果为：将控制环向调节板的方向推动，转动控制环使定位块与调节轨分离，此时将调节板沿调节轨调节到指定位置，并通过转动控制环使定位块与调节轨贴合，将调节板的位置固定，改变两组调节板之间的距离，从而改变涂布规格，避免了在改变涂布规格时，需要更换挤压涂布垫片的问题。
一种挤压垫片涂布机

[发明专利]一种涂布机的收卷机构-CN202211488037.4在审
发明人：夏学荣;周国 -专利权人：江苏深盐达新能源科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： B65H18/10 文献下载
摘要：本发明涉及涂布机技术领域，具体为一种涂布机的收卷机构，包括：收卷辊，收卷辊的表面开设有通孔；插接管，插接管的表面开设有升降孔，升降孔中插接有移动块，移动块的顶部设置有顶持杆；及支撑架，设于收卷辊的底部；本发明还公开了操作方法，包含以下步骤：吸附，清理，有益效果为：本发明提出的螺接管螺接在螺接槽中，气管连接着抽气装置，通孔就会进行吸气，布料收卷在收卷辊的表面时，由于通孔的吸气使得布料吸附在收卷辊的表面，收卷辊对布料进行收卷的时候，布料的就不会褶皱，收卷辊的内部插接在插接管，升降孔的位置对应着通孔的位置，将插接杆插接进插接管中后，圆环顶推着移动块，使得顶持杆从升降孔这个伸出。
一种涂布机机构

[实用新型]SiC沟槽MOSFET器件-CN202223044477.9有效
发明人：李波;刘相伍;廖龙忠;陟金华;张志国;安国雨;付兴中;刘佳霖;张力江;周国;商庆杰;高昶;冯旺 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种SiC沟槽MOSFET器件，包括衬底层，所述衬底层的上侧有外延形成的N‑漂移区，所述N‑漂移区的上表面形成有栅区沟槽，所述栅区沟槽的底部和侧壁形成有二氧化硅层，所述沟槽内二氧化硅层上的剩余间隙被栅极多晶硅填充，所述栅区沟槽的左右两侧均有一个P阱区域，每个所述P阱区域上分别形成N+区域和P+区域，所述多晶硅的上表面形成有栅极，所述栅极的两端延伸到所述N+区域边缘，所述P+区域的上表面各形成有一个源极，且所述源极延伸到所述N+区域的上表面，所述衬底层的下表面形成有漏极。所述器件中沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度，解决了沟槽拐角处易提前击穿问题，提高了器件可靠性。
sic 沟槽 mosfet 器件

[发明专利]一种间歇式挤压涂布机-CN202211678333.0在审
发明人：夏学荣;周国 -专利权人：江苏深盐达新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： B01F27/118 文献下载
摘要：本发明涉及涂布机技术领域，具体为一种间歇式挤压涂布机，包括：浆料密封罐，内部设置有转轴，转轴的外表面设置有过滤板；过滤网，设置在过滤板的两侧侧壁，且过滤板的内部底侧设置有收集盒；滚轴，设置在过滤板的底部，滚轴的一侧设置有刮刀；有益效果为：通过转动设置的转轴带动多组过滤板对浆料密封罐内部的浆料进行搅拌，搅拌过程中，两组过滤网对浆料进行过滤，大颗粒可通过两组过滤网被过滤留到过滤板的内部，同时弹性设置的清洁板可对浆料密封罐的内壁进行清理，滚动设置的滚轴可对粘附在浆料密封罐底部的浆料进行碾压，刮刀的设置可以防止浆料粘附在滚轴的外表面。
一种间歇挤压涂布机

[实用新型]一种混凝土布料机的自动控制系统-CN202320252488.1有效
发明人：易杰;吕超;周蓉;胡细楠;周国;赵迎辉 -专利权人：中铁建设集团华东工程有限公司;中铁建设集团有限公司
申请日： 2023-02-20 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： E04G21/04 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种混凝土布料机的自动控制系统，包括混凝土布料机、控制箱和上位机，所述上位机通过所述控制箱控制所述混凝土布料机自动运转和出料，上位机通过BIM软件计算出每个“网格”的预计混凝土用量，并将数据传递给控制箱，通过浇筑控制模块控制进料变频电机和出料变频电机控制出料口的不同落料量和布料厚度，对不同容量的“网格”进行浇筑，实现每个下料点下料的精准化，并统计混凝土实际输送量，使混凝土布料机能够按照规划路径进行控制实现自动布料，解决布料厚度不均匀、布料路径重复等问题，从而提升布料效率、提高布料质量、减少人工，降低生产成本。
一种混凝土布料自动控制系统

[发明专利]一种涂布头组件及涂布机-CN202211578622.3在审
发明人：刘寅虎;周国 -专利权人：江苏深盐达新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-05 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： B05C5/02 文献下载
摘要：本发明涉及涂布机技术领域，具体为一种涂布头组件及涂布机，包括：右模头本体，侧壁开设有第一通孔，第一通孔的内部插接设置有固定螺杆，且固定螺杆的外表面开设有滑槽；套环，套设在固定螺杆的外表面，套环的内壁设置有固定块，固定块插接在滑槽内部；固定螺帽，设置在固定螺杆的一端，固定螺帽的一侧开设有凹槽，凹槽内部设置有抵持板；有益效果为：通过弹性设置的卡块将套环固定在沉槽的内部，转动固定螺帽时，套环插接在凹槽的内部，弹性设置的抵持板插接在插槽的内部，同时卡齿卡接在让位槽的内部，旋拧完成后，转动抵持螺杆，使抵持板的端部与固定块的侧壁完成卡接，防止固定螺杆发生松动。
一种布头组件涂布机

[发明专利]高压GaN MIS-HEMT器件及其制备方法-CN202310045518.6在审
发明人：冯旺;周国;付兴中;谭永亮;秦龙;张晓磊;安国雨;刘相伍;刘育青;李雪荣;邵欣欣;张洋阳 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司
申请日： 2023-01-30 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： H01L29/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种高压GaN MIS‑HEMT器件及其制备方法，包括如下步骤：制备无栅场板的GaN MIS‑HEMT器件；在无栅场板的GaN MIS‑HEMT器件上制备第一层栅场板；在具有第一层栅场板的GaN MIS‑HEMT器件表面依次淀积第一钝化介质层与第二钝化介质层；在刻蚀预留出的第二层栅场板位置处制备制备第二层栅场板，并在第二层栅场板上制备第三层栅场板；在器件表面淀积第三钝化介质层；在通过刻蚀预留出来的第四层栅场板对应的第三钝化介质层上形成第四层栅场板设置位置，在所述第四层栅场板设置位置内制备第四层栅场板，并在所述第四层栅场板的上侧形成第五层栅场板。所述方法工艺流程简洁，并且可提高击穿电压以及器件的可靠性。
高压 gan mis hemt 器件及其制备方法

[发明专利]一种涂布装置及涂布机-CN202211586540.3在审
发明人：陈飞洪;周国 -专利权人：江苏深盐达新能源科技有限公司
申请日： 2022-12-09 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： B05C1/08 文献下载
摘要：本发明涉及涂布机相关技术领域，具体为一种涂布装置及涂布机，涂布装置包括支架结构、涂布辊轴和涂布喷头，支架结构上固定连接有导向座，导向座上开设有导杆孔，导向座滑动安装在导杆上，导杆两端均固定在涂布机机架的安装梁上，支架结构整体通过驱动结构进行驱动，涂布辊轴的两端一体成型有转轴，且涂布辊轴通过转轴转动安装在支架结构上，涂布喷头位于涂布辊轴的正上方；通过设置由支架结构、涂布辊轴和涂布喷头组合构成的涂布装置，并通过将涂布喷头上的物料孔设置有三排，并保证相邻排的物料孔之间均为错位设置，从而让物料孔在给料时，其物料在涂布辊轴上可以更加均匀的分布，从而便于提高后续涂布过程中的涂布均匀性。
一种装置涂布机

[发明专利]一种砌体外墙塞缝的工具及施工方法-CN202111412424.5有效
发明人：董京京;李坤明;施得银;周蓉;周国 -专利权人：中铁建设集团华东工程有限公司;中铁建设集团有限公司
申请日： 2021-11-25 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： E04G13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种砌体外墙塞缝的工具及施工方法，包括结构梁、砌体墙、木胶板、方木次龙骨、方木主龙骨、螺纹钢、螺杆、PVC套管、固定螺母、方木龙骨、加固铁盘、加固螺母、铁环、牵引绳。本发明的有益效果是：将外侧模板与固定卡件与牵引绳结合，使用方便快捷的模板固定方法代替传统的外侧塞缝；并将传统的两侧塞缝方法，优化为内侧固定，一次施工成型，施工质量好；一名施工人员使用牵引绳与卡具即可完成整个工序的施工工作，方便快捷；另使用本发明，不用等待细石砼强度，可缩短该工序的施工时间一半以上。
一种体外墙塞缝工具施工方法

[发明专利]一种涂布机烘道-CN202211489960.X在审
发明人：周国;夏学荣 -专利权人：江苏深盐达新能源科技有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： B08B1/02 文献下载
摘要：本发明涉及涂布机技术领域，具体为一种涂布机烘道，包括：转轴，转轴的表面设置有圆片；第一升降板，第一升降板的顶部设置有第一毛刷，第一升降板的顶部设置有第一顶持板，第一升降板转轴的底部设置有隔板，隔板的顶部设置有第二升降板，第二升降板的顶部设置有第二毛刷，第二升降板的顶部设置有第二顶持板；及涂布，设于转轴的顶部；有益效果为：本发明提出的转轴的表面设置有圆片，涂布在圆片的顶部移动，圆片在滚动过程中使得涂布移动，且圆片的表面会粘留有涂料，第一推拉杆下移后使得第一支撑杆下移，第一升降板就会随着下移，使得第一毛刷不在接触圆片的表面，第一毛刷对圆片的表面进行清理。
一种涂布机烘道

[实用新型]一种铝合金模板规模化转运装置-CN202223115072.X有效
发明人：吴玉康;周国;王国涛 -专利权人：山东华铝模板有限公司;山东华建铝业集团有限公司
申请日： 2022-11-23 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B65G41/00 文献下载
摘要：本实用新型提供了一种铝合金模板规模化转运装置。此装置以带有驱动机构的车体为基础，搭载了分段式的输送机作为承载结构，可实现铝合金模板的高效转运和自由卸料，而且输送机的角度可调节，便于运输和卸料。在其构造中，框体位于车架后部，驱动臂的前后两端分别与第一支架和框体转动连接，第一电动缸的前端同驱动臂转动连接，第一电动缸的后端同框体转动连接，被动臂的前端同第一支架转动连接，被动臂的后端同框体转动连接，后支撑型材的前后两端分别同第一支架和框体转动连接，第二支架转动连接于第一支架前部，第二电动缸的中部与第一支架转动连接，第二电动缸的前端同第二支架转动连接。本实用新型使用方便，具有突出的技术优势。
一种铝合金模板规模化转运装置

[发明专利]SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法-CN202211434790.5在审
发明人：李波;刘相伍;廖龙忠;陟金华;张志国;安国雨;付兴中;刘佳霖;张力江;周国;商庆杰;高昶;冯旺 -专利权人：北京国联万众半导体科技有限公司;中国电子科技集团公司第十三研究所
申请日： 2022-11-16 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种SiC沟槽MOSFET器件及其制备方法，包括如下步骤：在清洗后的SiC外延片上完成对P阱区域、N+区域、P+区域的离子注入及高温激活；在外延片对应栅区的位置通过刻蚀形成栅区沟槽；在SiC外延层上表面淀积一层二氧化硅，淀积厚度大于等于沟槽开口宽度的一半，使沟槽闭合；光刻定义侧壁剩余厚度，使用干刻设备刻蚀沟槽侧壁多余厚度的二氧化硅层，使沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度并淀积多晶硅；多晶硅刻蚀及源接触孔刻蚀，保留沟槽内的多晶硅；完成源、漏端的欧姆接触和栅电极的制备。所述方法可以更好的控制槽栅氧化层的形貌，使沟槽底部氧化层厚度大于沟槽侧壁氧化层厚度，解决沟槽拐角处易提前击穿问题，提高器件可靠性。
sic 沟槽 mosfet 器件及其制备方法