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[发明专利]基于光强探测的高灵敏度传感系统-CN201210052676.6无效
发明人：张晓光;吴远大;王玥;张家顺;安俊明;王红杰;李建光;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2012-03-02 - 公布日： 2012-08-15 - 主分类号： G01D5/32 文献下载
摘要：一种基于光强探测的高灵敏度传感系统，包括：一光源；一第一3dB光分束器，其输入端与光源连接，用于光的分束；一第一光功率计，其输入端与第一3dB光分束器的第一输出端连接；一传感芯片，其输入端与第一3dB光分束器的第二输出端连接；一第二光功率计，其输入端与传感芯片的输出端连接；一处理器，其输入端与第一光功率计和第二光功率计的输出端连接，用于对数据的处理、分析。具有降低了光传感系统的成本、灵敏度很高、探测极限小和降低了工艺要求的优点。
基于探测灵敏度传感系统

[发明专利]光学微腔生化传感器-CN201110289307.4无效
发明人：张晓光;吴远大;王玥;张家顺;安俊明;王红杰;李建光;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-09-27 - 公布日： 2012-06-20 - 主分类号： G01D5/26 文献下载
摘要：一种光学微腔传感器，包括：一第一3dB光分束器和一第二3dB光分束器；一传感微腔，该传感微腔的一侧与第一3dB光分束器的端口1耦合，该传感微腔的另一侧与第二3dB光分束器的端口1耦合；一参考微腔，该参考微腔的一侧与第一3dB光分束器的端口2耦合，该参考微腔的另一侧与第二3dB光分束器的端口2耦合；一样品槽，该样品槽用于容置传感微腔；一参考槽，该参考槽用于容置参考微腔；其中传感微腔与参考微腔的自由频谱宽不同，入射光由第一3dB光分束器输入，经分束后分别与传感微腔和参考微腔相耦合；耦合进入传感微腔和参考微腔的光分别耦合进入第二3dB光分束器的端口1和端口2，两束光经第二3dB光分束器干涉后作为传感信号输出。
光学生化传感器

[发明专利]集成光波导马赫－泽德干涉型传感芯片的制作方法-CN201110155033.X有效
发明人：姜婷;吴远大;王玥;安俊明;李建光;王红杰;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2011-06-10 - 公布日： 2011-11-23 - 主分类号： G02B6/132 文献下载
摘要：一种集成光波导马赫-泽德干涉型传感芯片的制作方法，包括：取一SOI基片；在SOI基片的顶层硅上涂光刻胶，利用光刻的技术在光刻胶上形成图形；利用感应耦合等离子体刻蚀工艺，在顶层硅上刻蚀出脊形光波导结构，去掉脊形光波导结构上的光刻胶；利用等离子体增强化学气相沉淀技术，在脊形光波导结构的表面淀积一层二氧化硅层；再在二氧化硅层的表面涂光刻胶层，利用光刻的技术在光刻胶层上形成图形；利用湿法刻蚀工艺，在二氧化硅层上得到敏感窗口，形成基片；对基片进行划片、抛光处理，得到芯片单元；利用旋涂法，将二氧化锡溶胶均匀涂覆在芯片单元的表面；对涂覆有二氧化锡溶胶的芯片单元进行退火处理；在退火后的芯片单元两端用紫外固化胶粘上光纤阵列。
集成波导马赫干涉传感芯片制作方法

[发明专利]槽波导微环谐振型单纤三向器-CN201010591556.4无效
发明人：宋世娇;安俊明;王玥;吴远大;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-12-08 - 公布日： 2011-05-25 - 主分类号： G02B6/28 文献下载
摘要：一种槽波导微环谐振型单纤三向器，包括：一衬底；一槽波导双微环两路滤波器，制作于衬底上，该槽波导双微环两路滤波器包括：一个主通道波导，一第一波导双微环，一第二波导双微环，一第一下载波导，一第二下载波导；其中，主通道波导，第一波导双微环，第二波导双微环，第一下载波导以及第二下载波导均由槽波导结构组成；一第一输入波导制作于衬底上；一第二输入波导制作于衬底上；一第一输出波导制作于衬底上；一第二输出波导制作于衬底上；一第一监视探测器集成在衬底上，该监视探测器的接收窗口与第一输出波导的末端相连接；一第二监视探测器集成在衬底上，该监视探测器的接收窗口与第二输出波导的末端相连接；一激光器，该激光器集成在衬底上，其输出端与第二输入波导的一端连接。
波导谐振型单纤三

[发明专利]在硅平台上实现AWG与LD倒装集成的方法-CN200910237098.1无效
发明人：李俊一;安俊明;吴远大;李建光;王红杰;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-11-04 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： G02B6/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种在硅平台上实现二氧化硅阵列波导光栅与激光器倒装集成的方法，包括如下步骤：步骤1：在硅片上制作对准标记和水平定位；步骤2：在硅片上制作出高度定位、凹槽和电极槽；步骤3：在电极槽中依次制作二氧化硅薄膜和Cr-Ni-Au电极；步骤4：在硅片上制作出AWG的倒装对准标记；步骤5：在倒装焊平台上将AWG倒装粘在硅平台上；步骤6：将LD根据定位标记倒装焊在硅平台上。利用本发明提供的这种在硅平台上实现AWG与LD倒装集成的方法，实现了LD和AWG的无源对准耦合，并且本发明具有制作工艺简单，可规模化生产、成本低等特点。
平台实现 awg ld 倒装集成方法

[发明专利]一种光子晶体微腔激光器-CN201010556376.2有效
发明人：张家顺;王玥;吴远大;安俊明;王红杰;李建光;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-11-24 - 公布日： 2011-05-04 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种光子晶体微腔激光器，包括一光子晶体微腔和一输出波导，所述光子晶体微腔是在SOI衬底顶层硅上完整的二维平板三角晶格空气孔型光子晶体中间去掉若干个空气孔而形成的，是边长为4个晶格常数的正六边形H4型微腔，与该光子晶体微腔相邻的三层空气孔由内至外分别为最邻近空气孔、次邻近空气孔及第三邻近空气孔，在该光子晶体微腔中注入稀土离子和非金属离子，形成有源区；所述输出波导是从所述光子晶体微腔的某个端点处开始沿光子晶体Γ-K方向去掉一排空气孔而形成的单线缺陷。这种结构具有较大的微腔体积，能够提高微腔的Q值，减少微腔的模式数量，提高微腔对有源介质发光的增强效果。
一种光子晶体激光器

[发明专利]一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器-CN201010500489.0有效
发明人：王玥;张家顺;吴远大;安俊明;李建光;王红杰;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-09-30 - 公布日： 2011-04-06 - 主分类号： H01S5/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅基光子晶体槽状波导微腔激光器，该激光器是由在SOI衬底顶层硅上的二维平板空气孔型光子晶体的单线缺陷波导中间引入的槽状波导，以及在该槽状波导及空气孔中填充的折射率低于SOI衬底顶层硅折射率的发光材料构成，该槽状波导包括依次连接的第一槽状波导、第二槽状波导和第三槽状波导，其中作为微腔的第二槽状波导的宽度大于第一槽状波导及第三槽状波导的宽度。这种结构能够将集光子晶体模式禁带局域模式限制效应、慢光效应及槽状波导的强场限制效应三者结合起来，能大幅度提高光与发光材料的相互作用，从而大幅度增强硅基的发光效率，进而实现低阈值激射。
一种光子晶体波导激光器

[发明专利]一种双环谐振的四路可重构光插分复用器结构-CN201010139030.2有效
发明人：李帅;吴远大;尹小杰;安俊明;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2010-03-31 - 公布日： 2010-08-25 - 主分类号： G02B6/26 文献下载
摘要：本发明公开了一种双环谐振的四路可重构光插分复用器结构，包括五根波导和四个双环模块，其中波导分为两部分，中间的一根波导是作为主路的主路波导，标以Input和Output，表示整个结构的输入和输出；另外的四根波导是作为分路的上下载波导，标以A1/D1、A2/D2、A3/D3、A4/D4，表示上下载特定波长的信号；四个双环模块是ROADM的核心结构，标以R1、R2、R3、R4，每个模块的两个环的半径相同，能够谐振特定波长的光信号，R1、R2、R3、R4对应的半径各不相同，用来分别谐振波长为λ1/λ′1、λ2/λ′2、λ3/λ′3、λ4/λ′4的光信号。利用本发明，可以实现多路光信号的插分复用，改善器件带宽性能、降低插入损耗、提高器件集成度。
一种谐振四路可重构光插分复用器结构

[发明专利]倒锥波导耦合器的制作方法-CN200810117073.3无效
发明人：尹小杰;王玥;吴远大;安俊明;李建光;王红杰;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2008-07-23 - 公布日： 2010-01-27 - 主分类号： G02B6/136 文献下载
摘要：一种倒锥波导耦合器的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在SOI上用电子束光刻和感应耦合等离子体刻蚀技术，将SOI的硅波导层刻蚀为一倒锥波导和微纳波导集成器件；步骤2：利用有机/无机杂化的溶胶凝胶法制备光敏性溶胶薄膜材料；步骤3：在SOI的SiO₂隔离层及倒锥波导和微纳波导集成器件上旋涂溶胶薄膜；步骤4：对旋涂的溶胶薄膜进行前烘、凝胶；步骤5：在溶胶薄膜上利用掩模版进行紫外写入；步骤6：腐蚀掉紫外写入区以外的部分溶胶薄膜，形成光纤耦合波导，该光纤耦合波导和倒锥波导构成倒锥波导耦合器；步骤7：后烘，完成倒锥波导耦合器的制作。
波导耦合器制作方法

[发明专利]混合集成单纤三向器-CN200710179887.5无效
发明人：安俊明;吴远大;李建光;李俊一;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-12-19 - 公布日： 2009-06-24 - 主分类号： G02B6/28 文献下载
摘要：本发明提出一种混合集成单纤三向器，包括：一衬底(100)；一粗波分复用阵列波导光栅(11)，一第一输入波导(10)，一第一输出波导(12)，一第二输出波导(14)，一第二输入波导(13)，一激光器(15)，一第一监视面探测器(16)，一第二监视面探测器(17)。本发明提出的混合集成单纤三向器简化了制作工艺，节约成本，制作的三向器可用于低成本EPON或GPON光网中。
混合集成单纤三

[发明专利]采用非平面工艺制备硅线波导的方法-CN200710179385.2无效
发明人：安俊明;吴远大;李建光;李俊一;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-12-12 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：本发明是一种采用非平面工艺制备硅线波导的方法，其特征在于，包括如下步骤：1)在绝缘层上硅(SOI)衬底先进行感应耦合等离子刻蚀，预刻蚀出硅线条，硅线条宽度在2μm到3.5μm之间，高度在1.1μm到2μm之间；2)高温热氧化形成1.8μm到3μm厚的二氧化硅包层，硅线条中间留下宽度和厚度在0.2μm到0.5μm之间的芯区，整个硅线波导制备完毕。
采用平面工艺制备波导方法

[发明专利]紫外光直写制作掺铒杂化SiO₂光波导放大器的方法-CN200710118006.9无效
发明人：王鵫;吴远大;李建光;王红杰;安俊明;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2007-06-27 - 公布日： 2008-12-31 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种紫外光直写制作掺铒杂化SiO₂光波导放大器的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：先用热氧化法在单晶Si衬底上生长下包层；步骤2：利用有机/无机杂化的溶胶－凝胶法制备掺铒光敏性SiO₂材料；步骤3：在下包层上旋涂光敏性杂化SiO₂薄膜作为芯层；步骤4：前烘，固化；步骤5：然后利用紫外光通过掩模版进行曝光，将器件图形直接复制到芯层上；步骤6：显影、后烘，获得条形掺铒波导放大器。
紫外光制作掺铒杂化 sio sub 波导放大器方法

[发明专利]混合集成单纤三向器-CN200610141032.9有效
发明人：胡雄伟;安俊明;吴远大;李建光;王红杰 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2006-09-28 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： G02B6/12 文献下载
摘要：一种混合集成单纤三向器，包括：一衬底；一粗波分复用器制作在衬底的上面；一第一输入波导制作在衬底上；一输出波导制作在衬底上，位于粗波分复用器的另一侧；一波导制作在衬底上；一第二输入波导制作在衬底上，其一端与粗波分复用器相连；一激光器混合集成在衬底上，该激光器的输出端与第二输入波导的一端相连接；一监视探测器混合集成在衬底上，该监视探测器的接收窗口与激光器的另一端相连接；一集成分波/探测器混合集成在衬底上，该集成分波/探测器分别与输出波导和波导相连接；一探测器混合集成在衬底上，该探测器与波导的尾端相连接。
混合集成单纤三

[发明专利]采用损耗微调波导实现阵列波导光栅通道均匀性的方法-CN200510126242.6无效
发明人：安俊明;李建光;王红杰;吴远大;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：本发明一种采用损耗微调波导实现阵列波导光栅通道均匀性的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一阵列波导光栅；步骤2：在阵列波导光栅的输出波导的末端加入损耗微调波导，从而实现阵列波导光栅的输出通道均匀。
采用损耗微调波导实现阵列光栅通道均匀方法

[发明专利]3dB耦合波导实现阵列波导光栅输出平坦化的方法-CN200510126241.1无效
发明人：安俊明;李建光;王红杰;吴远大;胡雄伟 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2005-11-30 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： G02B6/124 文献下载
摘要：一种3dB耦合波导实现阵列波导光栅输出平坦化的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：取一阵列波导光栅；步骤2：在阵列波导光栅的输入端的末端加入一3dB耦合波导，该3dB耦合波导与阵列波导光栅中的输入波导构成3dB耦合器，从而实现阵列波导光栅的输出谱平坦化。
db 耦合波导实现阵列光栅输出平坦方法