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[发明专利]二次电池的检查系统、充放电器以及检查方法-CN201310053250.7无效
发明人：胜又大介;野口千鹤;三轮俊晴;田村太久夫 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2013-02-19 - 公布日： 2014-01-15 - 主分类号： G01R31/36 文献下载
摘要：本发明提供一种二次电池的检查系统、充放电器以及检查方法，在二次电池的制造阶段能够确保长期容量可靠性。本检查系统（二次电池异常检测系统1）在ROM（31）中存储包含成为基准的二次电池初次充电时的V-dQ/dV曲线的信息的数据（72）。在检查二次电池（10）时，在从电源（60）进行了初次充电时，异常检测部（30）使用根据电流检测部（50）检测到的电流值（I）计算的蓄电量（Q），计算蓄电量（Q）的变化量（dQ）相对于电压检测部（40）检测到的电压值（V）的变化量（dV）的比例dQ/dV实测值，将该值与V-dQ/dV曲线的信息进行对比，判定是否相当于该曲线上的特征点，在不相当时，检测为该二次电池（10）的异常（无法确保长期容量可靠性）。
二次电池检查系统电器以及方法

[发明专利]自动分析装置及自动分析方法-CN201180030850.0有效
发明人： 田村太久夫;芝正树;足立作一郎 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2011-06-15 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： G01N21/51 文献下载
摘要：本发明实现一种能减少测量对象物以外的噪声成分的散射光的影响从而改善光接收信号的S/N比特性的自动分析装置。在多个检测器(204～206)中以多个角度取得数据。检测数据选择部(18a)将由其中一个检测器取得的信号选择为基准信号。在第1选择数据处理部(18b)的近似式选择部(18b1)中选择应用的近似式，并使用选出的近似式由近似式计算部(18b2)来计算近似式。变动率计算部(18b3)求取基准信号的变动率。检测器(205)的信号由第2选择数据处理部(18c)进行保持，并通过数据校正部(18d)除以基准信号的变动率来实施。浓度运算处理部(18e)使用校正后的信号数据来进行浓度运算，并由结果输出部(18f)将结果输出至CRT等。
自动分析装置方法

[发明专利]自动分析装置-CN201180030416.2有效
发明人：芝正树;田村太久夫;足立作一郎 -专利权人：株式会社日立高新技术
申请日： 2011-06-13 - 公布日： 2013-02-27 - 主分类号： G01N21/51 文献下载
摘要：本发明提供自动分析装置，其具备检测散射光的光检测器，并且通过减少噪声分量的影响来得到可靠性高的分析结果。在浓度运算前，推算多个光检测器所检测到的散射光的相关性，利用相关高的散射光来进行浓度分析，从而能够进行噪声分量的影响少的、可靠性高的浓度分析。
自动分析装置

[发明专利]图像显示装置-CN200710006909.8无效
发明人： 田村太久夫;佐野靖;宫田一史 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2007-01-30 - 公布日： 2007-09-12 - 主分类号： H01J31/12 文献下载
摘要：本发明提供一种图像显示装置。具有2维配置的多个像素和薄膜电子源，该薄膜电子源具备设置在各个前述像素且由信号布线之一形成的下部电极、由该下部电极表面的阳极氧化形成的电子加速层、以及层叠在该电子加速层上且发射电子的上部电极，本发明通过将设置在各个前述像素的前述电子加速层(阳极氧化膜)中所包含的含水氧化铝成分相对于该含水氧化铝成分与无水氧化铝成分之和的比率调整在0.25～0.42的范围，来抑制该电子加速层的二极管特性的劣化，提高前述图像显示装置的可靠性。
图像显示装置

[发明专利]显示装置的修正方法和制造方法-CN200510093475.0无效
发明人： 田村太久夫;菊池广;佐野靖;佐川雅一;三上佳朗 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2005-08-30 - 公布日： 2006-04-05 - 主分类号： H01J9/50 文献下载
摘要：本发明提供一种显示装置的修正方法和制造方法，在电子发射式显示装置中，各像素具有信号线侧的第一电极和扫描线侧的第二电极中间隔着绝缘层(电子加速层)接合起来的电子源，为了抑制在其显示画面中不显示的像素以线状产生，在本发明中，切断该第一电极和该第二电极因缺陷而短路的电子源的第一电极和第二电极的导通，使有该缺陷的电子源与其它电子源孤立起来。在有缺陷的电子源中，例如，利用激光切除第二电极的包围上述缺陷的部分。
显示装置修正方法制造

[发明专利]有机电致发光显示装置的制造方法-CN200410057618.8有效
发明人： 田村太久夫;本乡幹雄;奥中正昭;加藤真一;松崎永二;伊藤雅人;寺门正伦 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-08-20 - 公布日： 2005-09-28 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：提供一种有机电致发光显示装置的制造方法，该有机电致发光显示装置，在第一电极层和第二电极层之间具有有机发光层，在其任一个象素未点亮时，从第一电极层侧观察该象素的有机发光层，如果含有异物则把第二电极层分离成与异物接触的区域和与该区域和异物都不接触的区域。由此，可以减小点不亮的显示区域，制造显示性能优良的有机EL显示装置。
有机电致发光显示装置制造方法

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN200410058669.2有效
发明人：山口裕功;尾形洁;田村太久夫;后藤顺;斋藤雅和;武田一男 -专利权人：株式会社日立显示器
申请日： 2004-07-27 - 公布日： 2005-07-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种显示装置及其制造方法。测量形成于基板上的非晶质硅膜的平均膜厚，将激光照射到该非晶质硅膜，然后，测定由该照射进行了晶体化的多晶硅膜的粒径分布，根据多晶硅膜的2个点A、B的粒径的测定值，计算出适当的激光照射能量密度值，然后，测量下一非晶质硅膜的平均膜厚，根据该平均膜厚与1个前的非晶质硅膜的平均膜厚计算出照射的能量密度值，将该能量密度值反馈到激光照射系。如上述那样，通过对应于形成在基板上的硅膜的膜厚控制此时应照射的激光照射能量，从而可在大型基板上沿基板整个面形成均匀的大粒径的多晶硅，结果，可在大面积形成多晶硅TFT。
显示装置及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及具有该薄膜晶体管之显示装置-CN02130120.4无效
发明人：田中顺;大谷美晴;尾形洁;田村太久夫;堀越和彦 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-08-22 - 公布日： 2003-09-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：构成该薄膜晶体管之绝缘膜是一种通过加热涂膜而形成的绝缘膜，该涂膜的主要组成物为氢倍半硅氧烷化合物或甲基倍半硅氧烷化合物。通过设计该绝缘膜以主要具有直径约4纳米或更小的细孔，从而可降低该绝缘膜的介电常数，因此便可改善该薄膜晶体管的工作速度。从而改善主要由非晶硅构成之薄膜晶体管的工作速度，并实现一种包含这种薄膜晶体管的显示器。
薄膜晶体管具有显示装置

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN02102827.3有效
发明人：堀越和彦;尾形洁;田村太久夫;中原美和子;大仓理;折付良二;中野泰;芝健夫 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2002-01-21 - 公布日： 2003-03-19 - 主分类号： H01L29/768 文献下载
摘要：以廉价的非退火玻璃作为基片，在500℃以下的处理温度下对搀杂了硼(B)或磷(P)的多晶硅膜表面用臭氧进行氧化处理，在多晶硅表面形成4～20nm的硅氧化膜。由此，可以降低栅绝缘层/沟道层界面上的能级密度，从而可在非退火玻璃基片上制造特性变动小的薄膜晶体管。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法-CN01140707.7有效
发明人： 田村太久夫;尾形洁;高原洋一;堀越和彦;山口裕功;大仓理;阿部广伸;斋藤雅和;木村嘉伸;糸贺敏彦 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 2001-07-20 - 公布日： 2002-07-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种多晶硅薄膜晶体管,通过对非晶硅膜多次照射激光,实现由多个晶粒构成,通过抑制邻接晶粒的边界部分中突起的发生,成为至少2个以上的晶粒集合体,在该多晶硅薄膜晶体管的至少一部分中存在(111)优先取向的簇结晶;可达到200cm2/V·S以上的高迁移率特性。
薄膜晶体管及其制造方法

[发明专利]Fe-M-C系磁性膜及其制造方法-CN94119335.7无效
发明人：中野朝雄;田村太久夫;末永和史;尾形洁;笹岛崇三;熊坂登行 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1994-10-28 - 公布日： 2002-02-27 - 主分类号： H01F10/14 文献下载
摘要：把Fe－M－C（其中M是从Ti、Zr、Hf、Nb、V、Ta、Mo、W中选择的至少一种金属）作为必要成分，由原子比组成为Fe65—80％、M6—16％、其余是C形成的磁性膜中，在磁性膜的微细组织中C原子及与之相结合的3—15％的Fe原子形成具有体心立方结构、平均晶粒尺寸为5—14nm的结晶性微聚合体，M原子和C原子形成平均晶粒尺寸为0．5—2的非晶质性微聚合体，两种微聚合体共存。先用溅射法形成上述组成的非晶质膜，再在非氧化性气氛中，500—560℃的低温度下进行30分钟左右的短时间热处理形成这种磁性膜。$#!
fe 磁性及其制造方法

[发明专利]保护膜用材料和具有用该材料形成的保护膜的磁头-CN95103271.2无效
发明人： 田村太久夫;中野朝雄;末永和史;尾形洁;笹嶋崇三;熊坂登行 -专利权人：株式会社日立制作所
申请日： 1995-02-28 - 公布日： 2001-05-09 - 主分类号： G11B5/255 文献下载
摘要：本发明提供一种保护膜，设置在磁头的滑动面上时，其热膨胀系数、硬度与磁头基板的热膨胀系数、硬度接近，而且是用防水性好、成膜速度快的材料制成。所述保护膜，至少其一部分中包括成分CaMgSi＃-[2]O＃-[6]区域。此区域的原子配置是Ca以八配位与０结合，Mg以六配位与０结合，Si以四配位与０结合。
保护膜用材有用材料形成磁头

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