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[发明专利]一种侧墙法沟道缩微方法-CN202310528505.4在审
发明人：郭琦;高建峰;邓凡;卫路兵 -专利权人：合肥欧益睿芯科技有限公司
申请日： 2023-05-10 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明涉及一种侧墙法沟道缩微方法，包括以下步骤：S1：选取衬底；S2：在衬底表面沉积厚度为T1的第一介质层；S3：在第一介质层上形成宽度为W1的光刻线条；S4：沿光刻线条在第一介质层上刻蚀宽度为W2的第一凹槽；S5：利用化学气相沉积法的各向同性在第一介质层表面和第一凹槽内沉积厚度为T2的第二介质层，第一介质层上表面与第一凹槽侧壁的第二介质层厚度相等；S6：对第二介质层进行刻蚀，形成第二凹槽。该方法可以使用普通的UV光刻机形成50～100nm的沟道，无需采购更高精度的光刻设备，低成本、高效率的对半导体器件进行加工，在光刻机的最小光刻尺寸的基础上再次缩小刻蚀尺寸，实现半导体器件的沟道缩微。
一种侧墙法沟道缩微方法

[发明专利]一种硅柱晶圆光刻方法-CN202010247025.7有效
发明人：杨宁;贺欣;赵永勋;卫路兵 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2020-03-31 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种硅柱晶圆光刻方法，通通过将带有光刻胶感光层的硅片衬底表面均分成多个区域，从其中一个区域按设定曝光视场值开始进行旋转曝光，将多个区域按照设定移动距离依次移动至曝光镜头下进行旋转曝光，设定曝光视场值比按掩模板上图形大小预定的曝光视场值大30μm～60μm，设定移动距离比均分区域大0.3μm～0.5μm，旋转曝光的旋转值为‑5μrad～5μrad；通过对曝光视场值、每个区域曝光时移动距离进行调整，然后采用旋转曝光，确保各区曝光过程中部分区重叠，从而减轻了硅柱产品光刻场效应，通过该方法可显著的减轻光刻场效应，肉眼看不见格线，显微镜下观察重复区域交界处无明显色差，在CD SEM下重复区域交界处图形无明显差异。
一种硅柱晶圆光方法

[实用新型]一种流媒体服务器散热支架-CN202222928396.9有效
发明人：刘勇;卫路兵;邸金;赵昕晖;把雯文;胡金环 -专利权人：甘肃省科学技术情报研究所（甘肃省科学技术发展战略研究院）
申请日： 2022-11-03 - 公布日： 2023-03-24 - 主分类号： G06F1/20 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种流媒体服务器散热支架，包括第一支撑板、防滑底座、支撑柱、置物板和第二支撑板，第一支撑板和第二支撑板一侧两端均设置有T型卡槽，所述支撑柱一侧设置有调节搁置架，所述调节搁置架一端设置有L型结构，所述支撑柱内部设置有移动槽，所述置物板两端均设置有调节卡槽，所述支撑柱一端设置有T型卡块，所述支撑柱、置物板和调节搁置架中部均设置有调节杆，所述调节杆两端均设置有调节卡块，通过设置有T型卡槽和T型卡块，能够使第一支撑板和第二支撑板与支撑柱卡合连接，使散热支架使用后，利用卡合连接，能够便于内部的清洁，通过设置有调节搁置架，能够对散热支架的高度进行调节，并保持固定。
一种流媒体服务器散热支架

[发明专利]一种使用自适应串流技术的流媒体服务器搭建方法-CN202211325154.9在审
发明人：刘勇;卫路兵;邸金;赵昕晖;把雯文;胡金环 -专利权人：甘肃省科学技术情报研究所（甘肃省科学技术发展战略研究院）
申请日： 2022-10-27 - 公布日： 2023-02-03 - 主分类号： H04L65/60 文献下载
摘要：本发明公开了一种使用自适应串流技术的流媒体服务器搭建方法，包括以下步骤：步骤一、点播过程；通过使用自适应串流(ABS)‑采用HTTP传送视频流；‑采用ffmpeg服务器编码多码率编码源内容‑每个单码率的流被切成小的、几秒钟的小切片‑流媒体客户端首先获取所有码率的切片索引信息；步骤二、点播开始；客户端先请求最低码率的串流；服务器接到请求，发送最低码率的串流切片，当客户端判断下载速度比当前码率的切片串流快，它就去服务器请求下一个更高码率的串流；本方法基于自适应串流技术，使用http方式传输视频，已达到多带宽和不稳定带宽的视频流畅点播。
一种使用自适应串流技术流媒体服务器搭建方法

[发明专利]一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法-CN202111204293.1在审
发明人：邵璐;卫路兵 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2021-10-15 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种晶圆刻号区域的光刻工艺方法，对每次沉积不透光介质后的晶圆进行预处理，预处理后的晶圆上涂覆光刻胶，涂胶完毕后对晶圆刻号区域进行曝光；对步骤S1中的晶圆进行显影处理，去除晶圆刻号区域的光刻胶；对步骤S2中的晶圆进行刻蚀，得到刻号清晰的晶圆。本发明对刻号处的晶圆片表面进行特殊曝光处理，使得在后续工艺过程中，刻号处始终保有一定的深宽比，利用光反射定律解决刻号不清的效果远优于现有方法，增强了人工识别晶圆刻号的可行性，最大程度降低了异常率，提高了生产效率。
一种晶圆刻号区域光刻工艺方法

[发明专利]一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法-CN201811119730.8在审
发明人：赵永勋;卫路兵;邵璐;闫树文;陈宝忠 -专利权人：西安微电子技术研究所
申请日： 2018-09-25 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种减少深亚微米光刻工艺球状缺陷的方法，包括1)将晶圆置于冷板上进行涂胶前冷却；2)将完成步骤1)的晶圆涂覆底部抗反射涂层，静置60～100s，然后传送至高温热板上烘烤，接着传送至冷板冷却至室温；3)对冷却至室温的晶圆进行光刻胶涂覆，然后传送到低温热板烘烤，接着传送至冷板冷却到室温，然后进行边缘曝光；4)将边缘曝光完成的晶圆转移至低温热板上进行曝光，然后烘焙，接着传送至冷板冷却至室温；5)对完成步骤4)的晶圆进行显影，显影完成后在低温热板上坚膜，接着传送至冷板冷却至室温。本发明通过晶圆在涂覆底部抗反射涂层后静置60～100s，在保证晶圆每步工艺状态的一致性的同时，减少了深亚微米光刻工艺球状缺陷的产生。
晶圆冷板冷却传送亚微米光刻低温热板球状缺陷涂覆底部抗反射涂层烘烤曝光显影冷却高温热板工艺状态光刻胶烘焙坚膜冷板涂胶保证

[发明专利]一种能够消除光刻显影缺陷的光刻显影方法-CN201510259349.1在审
发明人：信会菊;卫路兵;郎刚平;王冰 -专利权人：中国航天科技集团公司第九研究院第七七一研究所
申请日： 2015-05-20 - 公布日： 2015-08-19 - 主分类号： G03F7/30 文献下载
摘要：本发明公开了一种能够消除光刻显影缺陷的光刻显影方法，首先采用清洗液对晶圆片进行冲洗，冲洗后对晶圆片表面浸润；然后对浸润处理后的晶圆片喷涂显影液，然后显影；接着采用清洗液对显影处理后的晶圆片进行冲洗；最后将冲洗处理后的晶圆片甩干。采用本发明方法可解决由于微气泡粘附在光刻胶表面引起的圆形或类圆形未显开异常，满足显影工艺的各项要求。
一种能够消除光刻显影缺陷方法

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