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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]计数装置-CN202110546056.7在审
发明人：林哲民 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H03K21/40 文献下载
摘要：本发明提供一种可提升工作速度的计数装置。计数装置包括多个计数电路级以及第一逻辑运算电路。计数电路级依序串联耦接。第一级的计数电路级根据第一时钟信号执行计数动作，并产生第一级计数结果。第二级的计数电路级至第N级的计数电路级根据第二时钟信号以进行计数动作，N为大于2的正整数。第一逻辑运算电路根据指示信号以提供第一级计数结果以作为第二时钟信号。
计数装置

[发明专利]存储器组件及其形成方法-CN202110548434.5在审
发明人：杨峻昇;陈兴豪 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-05-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器组件，包括：衬底、多个位线结构、多个位线接触窗以及多个保护结构。衬底具有多个有源区。多个位线结构沿着X方向平行配置于衬底上。多个位线接触窗分别配置在多个位线结构与多个有源区的重叠处且电性连接多个位线结构与多个有源区。多个保护结构至少配置在多个位线接触窗的第一侧壁与第二侧壁上。另提供一种存储器组件的形成方法。
存储器组件及其形成方法

[发明专利]恒流电路及半导体装置-CN202011252907.9有效
发明人：中谷真史 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-11-11 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G05F1/56 文献下载
摘要：本发明提供一种恒流电路及半导体装置，供给经温度补偿的恒流。本发明的恒流电路(100)包含BGR电路(110)、温度依存电流生成部(120)、基准电流生成部(130)以及输出电流生成部(140)来构成。BGR电路(110)生成电压依存性少的基准电压(VBGR)。温度依存电流生成部(120)生成正的温度系数的温度依存电流。基准电流生成部(130)利用基准电压(VBGR)及温度依存电流来生成经温度补偿的基准电流(IREF)。输出电流生成部(140)根据由基准电流生成部(130)所生成的基准电流(IREF)来生成输出电流。
流电半导体装置

[发明专利]电压产生电路以及使用该电压产生电路的半导体装置-CN202011299442.2有效
发明人：村上洋树 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-11-19 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： G05F1/567 文献下载
摘要：本发明提供了一种电压产生电路以及使用该电压产生电路的半导体装置，该电压产生电路能够追求省空间化、构成简易、并且产生高信赖性的电压。本发明的电压产生电路包含基准电压产生部、PTAT电压产生部、比较部以及选择部。基准电压产生部产生几乎没有温度依存性的基准电压。PTAT电压产生部产生具有正或负的温度依存性的温度依存电压，且温度依存电压在目标温度时具有与基准电压相等的电压。比较部比较基准电压以及温度依存电压。选择部基于比较部的比较结果，选择基准电压及温度依存电压的其中一个，并输出所选择的基准电压或温度依存电压。
电压产生电路以及使用半导体装置

[发明专利]电阻式随机存取存储单元及其制造方法-CN202110522097.2在审
发明人：许博砚;吴伯伦;郭泽绵 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储单元及其制造方法，所述电阻式随机存取存储单元包括第一电极、氧存储层、可变电阻层以及第二电极。第一电极位于介电层上，包括主体部，在第一方向延伸；以及多个延伸部，与主体部的侧壁连接，在第二方向延伸，第二方向与第一方向垂直。氧存储层覆盖第一电极。可变电阻层，位于第一电极层与氧存储层之间。第二电极，位于氧存储层的顶面上方以及氧存储层的上侧壁周围。
电阻随机存取存储单元及其制造方法

[发明专利]动态随机存取存储器及其制造方法-CN202110522769.X在审
发明人：魏宏谕 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-05-13 - 公布日： 2022-11-15 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种动态随机存取存储器及其制造法方法。动态随机存取存储器，包括：衬底；隔离结构位于衬底中，隔离结构定义出多个有源区域；埋入式字线结构，位于衬底的字线沟渠中，字线沟渠穿过多个有源区域和隔离结构，埋入式字线结构包括：栅极导体层，位于字线沟渠中；第一栅介电层，位于字线沟渠的侧壁与底面；以及第二栅介电层，位于第一栅介电层与栅极导体层之间，且第二栅介电层的顶面低于栅极导体层的顶面。
动态随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]动态随机存取内存的制造方法-CN202210147927.2在审
发明人：黒田聡;王芯雅;蔡昌翰;蔡明庭 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-02-17 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/8242 文献下载
摘要：本发明提供一种动态随机存取内存的制造方法，包括：在衬底上形成硬掩膜层；在硬掩膜层与衬底中形成开口；在开口的侧壁形成介电层；在开口中形成第一阻障层与第一导体层；进行第一干式刻蚀工艺，以第一阶段部分地移除第一阻障层与第一导体层；进行第一湿式刻蚀工艺，以第二阶段部分地移除第一阻障层与第一导体层，并裸露出开口的上侧壁的介电层；在开口中形成第二阻障层；在开口中形成掩膜层，以覆盖第二阻障层；移除部分第二阻障层与部分掩膜层，以裸露出在开口的上侧壁上的介电层；及在开口中形成第二导体层。
动态随机存取内存制造方法

[发明专利]单调计数器存储器系统-CN202210259979.9在审
发明人：连存德;林纪舜 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-03-16 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： G06F21/71 文献下载
摘要：本发明提供一种单调计数器存储器系统，包含计数器电路和存储器电路。计数器电路配置成响应于时钟信号而将计数增加一且输出n位的计数值，其中n为正整数。存储器电路包含多个存储器单元。存储器电路配置成存储计数值。计数值在时钟信号的每个输入计数处改变一位，且计数值的位切换次数小于2n‑1次。
单调计数器存储器系统

[发明专利]半导体结构-CN202110511466.8在审
发明人：刘奇青;陈修斌;温松颖;洪佐桦;陈俞安;林铭哲 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-05-11 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L23/00 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构用以产生物理不可仿制功能码。半导体结构包括金属层、N个钛结构以及N个氮化钛结构，N为正整数。金属层形成N个金属结构。钛结构分别形成在金属结构的一端上。氮化钛结构分别形成在钛结构的上方。其中金属结构与分别对应的钛结构以及氮化钛结构分别形成多个柱状体。柱状体提供多个电阻值，上述电阻值用以产生物理不可仿制功能码。
半导体结构

[发明专利]半导体晶圆与多芯片的并行测试方法-CN202111193778.5在审
发明人：赖志强 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-10-13 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L23/544 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体晶圆与多芯片的并行测试方法。半导体晶圆包括多个芯片、多个测试垫与测试控制电路。多个测试垫从测试治具接收多个测试信号。测试控制电路电性连接芯片与测试垫，自测试信号中选择出至少一经选择测试信号，并依据经选择测试信号产生多个广播测试信号，且将这些广播测试信号并行地提供至多个芯片。
半导体芯片并行测试方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110493679.2在审
发明人：庄哲辅;廖修汉 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-05-07 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H01L27/11521 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体结构及其形成方法，该方法包含：依序形成第一至第三牺牲层于基板上。基板包含存储器单元区域及周边区域。周边区域包含字线区域。移除字线区域中的第二及第三牺牲层，以暴露位于字线区域中的第一牺牲层的顶表面。移除字线区域中的第一牺牲层以及存储器单元区域中的第三牺牲层。在字线区域中形成字线介电层于基板上。形成第一导电层于字线介电层上。移除存储器单元区域中的第一及第二牺牲层。在存储器单元区域中形成穿隧介电层于基板上。穿隧介电层的厚度小于字线介电层的厚度。形成浮置栅极层于穿隧介电层上。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体装置和操作方法-CN202210428292.3在审
发明人：荒川贤一 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G11C16/30 文献下载
摘要：本发明提供一种能够进行可靠性高的操作的半导体装置和操作方法。本发明的电压监视电路(100)包括：通电检测部(110)，检测出外部电源端子的供给电压(EXVDD)是否达到通电电压电平；计时器(120)，在检测出供给电压达到通电电压电平时计时预定时间；贯通电流生成部(130)，在计时器(120)对预定时间进行计时的期间，使外部电源端子与GND之间产生贯通电流；以及断电检测部(140)，检测在产生贯通电流的期间供给电压(EXVDD)的下降是否到达断电电压电平。
半导体装置操作方法

[发明专利]更新存储在非易失性存储器的加密金钥的装置及其方法-CN201911215673.8有效
发明人：厄瑞·卡路兹尼;马克·卢克 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2019-12-02 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： H04L9/08 文献下载
摘要：本发明提供一种更新非易失性存储器的加密金钥与产生加密金钥的新例项的装置与物联网装置及其方法。本发明提供一种用于产生N比特加密金钥的新例项的方法，N比特加密金钥的新例项存储于非易失性存储器，非易失性存储器中的多个未编程单元具有特定比特值。方法包括：产生随机的N比特更新序列。以及通过求反N比特加密金钥的当前例项中每个具有特定比特值且不同于随机的N比特更新序列中相应位置比特的比特，以产生N比特加密金钥的新例项，而不求反N比特加密金钥的当前例项中不具有特定比特值的任何比特。
更新存储非易失性存储器加密装置及其方法

[发明专利]运算速度补偿电路及其补偿方法-CN201810558400.2有效
发明人：林泰吉;许庭瑜;黄教铨;王进贤 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-06-01 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G06F11/34 文献下载
摘要：本发明提供一种运算速度补偿电路及其补偿方法。运算速度补偿电路包括电源选择电路以及运算速度传感器。电源选择电路依据第一控制信号以选择第一电源及第二电源的其中之一以产生供应电源。运算速度传感器依据检测运算电路的第一中继信号传输点上的第一检测信号的反应速度来产生第一控制信号。其中第一电源的电压值小于第二电源的电压值，运算电路接收供应电源以作为操作电源。
运算速度补偿电路及其方法

[发明专利]快闪存储器储存装置及其操作方法-CN201811169428.3有效
发明人：林宏学 -专利权人： 华邦电子股份有限公司
申请日： 2018-10-08 - 公布日： 2022-11-08 - 主分类号： G11C16/14 文献下载
摘要：本发明提供一种快闪存储器储存装置，包括存储器晶胞阵列以及存储器控制电路。存储器晶胞阵列包括多个井区域。各井区域包括多个存储器区块以及记录区块。存储器控制电路耦接至存储器晶胞阵列。存储器控制电路用以对各井区域的存储器区块进行抹除操作，并且将各井区域的抹除次数记录在各自的记录区块中。另外，一种快闪存储器储存装置的操作方法也被提出。
闪存储存装置及其操作方法

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