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[发明专利]车辆用灯具-CN201910767915.8有效
发明人：山本拓矢;峰海乃;南春奈;半谷明彦;伊藤功三郎;今关规文;千竈启之 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2019-08-20 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： F21S41/141 文献下载
摘要：提供车辆用灯具，能够满足法规所要求的配光标准并且实现各种亮度和各种发光形状的发光模式(丰富多彩的发光图形)的新发光外观。该车辆用灯具的特征在于，具有膜光源，该膜光源包含：膜，其具有挠性；以及多个半导体发光元件，它们以二维地配置在所述膜的至少表面的状态被固定。
车辆灯具

[发明专利]车辆用灯具-CN201910836435.2在审
发明人：千竈启之;今关规文;南春奈;峰海乃;半谷明彦;伊藤功三郎;山本拓矢 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2019-09-05 - 公布日： 2020-03-13 - 主分类号： B60Q1/30 文献下载
摘要：提供车辆用灯具，能够满足法规所要求的配光标准并且实现各种亮度和各种发光形状的发光模式(丰富多彩的发光图形)的新发光外观。该车辆用灯具的特征在于，具有：膜光源，其包含具有挠性的透明膜、以及多个半导体发光元件，该多个半导体发光元件在所述透明膜的至少表面以二维地配置的状态被固定；以及反射面，其以与所述膜光源的所述透明膜的背面相对的状态被配置，对从所述多个半导体发光元件中的一部分或全部放射并透过所述透明膜的光进行反射。
车辆灯具

[发明专利]电阻器的制造方法、电阻器以及电子器件-CN201680023401.6有效
发明人： 半谷明彦 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2016-03-23 - 公布日： 2019-12-03 - 主分类号： H01C17/065 文献下载
摘要：提供电阻器的制造方法，能够以增加或减少的方式调整电阻体膜的电阻值。将分散有导电性纳米尺寸粒子和绝缘材料的溶液、或者分散有被绝缘材料层覆盖的导电性纳米尺寸粒子的溶液以期望的形状涂覆在基板(10)表面，形成膜(141)(图1的(a)～(c))。对膜(141)的一部分照射光来对粒子进行烧结，形成电阻体膜(140)(图1的(d)、(e))。计测电阻体膜的电阻值。在计测出的电阻值大于期望电阻值的范围的情况下，对电阻体膜(140)的缘部照射光来对粒子进行烧结，扩展电阻体膜(140)(图1的(f))。
电阻器制造方法以及电子器件

[发明专利]电路基板、电子电路装置和电路基板的制造方法-CN201910112398.0在审
发明人： 半谷明彦 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2019-02-13 - 公布日： 2019-09-17 - 主分类号： H05K1/11 文献下载
摘要：本发明提供电路基板、电子电路装置和电路基板的制造方法。本发明的课题是抑制所谓的通孔断线，提高由通孔产生的基板两面的连接可靠性。本发明的解决手段是一种电路基板，其具有：基板，其具有通孔；第1导电部，其按照堵塞基板的一个面的通孔开口的方式进行覆盖，从一个面插入至通孔内；和第2导电部，其按照堵塞基板的另一个面的通孔的开口的方式进行覆盖，从另一个面插入至通孔内。第1导电部的插入至通孔内的部分是直径小于通孔直径的柱状。第2导电部的插入至通孔内的部分是填充第1导入部的上述柱状的部分与上述通孔的内壁的间隙的形状。第1导电部和第2导电部均由使导电性颗粒烧结而成的物质构成。
通孔导电部电路基板基板电子电路装置柱状直径小于通孔导电性颗粒连接可靠性堵塞基板两面通孔开口烧结导入部断线覆盖内壁填充制造开口

[发明专利]具有发光功能的透光板及其制造方法-CN201810635218.2在审
发明人：多田励起;半谷明彦 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2018-06-20 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L33/48 文献下载
摘要：本发明提供具有发光功能的透光板及其制造方法。是将LED裸片直接搭载于透光性基板的构造，提高光的取出效率。提供一种透光板，该透光板具有透光性基板、设置于透光性基板的表面或者背面或者表面和背面两面上的布线图案、以及与布线图案接合的LED裸片。在透光性基板的搭载有LED裸片的面的相反侧配置有反射膜。布线图案的至少一部分和反射膜均由对导电性颗粒进行烧结而成的导电材料构成。
透光性基板透光板布线图案发光功能反射膜背面导电性颗粒导电材料接合烧结相反侧制造取出配置

[发明专利]半导体复合器件及其制造方法-CN200710109194.9无效
发明人：多田康广;半谷明彦 -专利权人：斯坦雷电气株式会社
申请日： 2007-06-12 - 公布日： 2007-12-19 - 主分类号： H01L25/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种半导体复合器件，其包括共用基板；第一半导体发光器件；以及第二半导体发光器件。所述第一半导体发光器件被构造成包括直接地或经由接合层而形成在所述共用基板的一部分上的、包含发光层的外延生长层。所述第二半导体发光器件设置在所述外延生长层并不接合的至少一个位置处的槽中或者设置在形成于至少一个位置处的所述槽的凹部中。本发明还提供了具有这种结构的半导体复合器件的制造方法。
半导体复合器件及其制造方法