专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]移动破冰装置及破冰船-CN202310669894.2在审
  • 倪轩;孙海素;刘洋浩;张雨新;刘鹏 - 上海船舶研究设计院
  • 2023-06-07 - 2023-10-24 - B63B35/08
  • 本发明属于破冰船技术领域,公开了移动破冰装置及破冰船。该移动破冰装置包括导轨、破冰机构和驱动机构,破冰机构包括基座组件和破冰组件,破冰组件设置于基座组件,驱动机构与基座组件传动连接,用于驱动基座组件沿导轨滑动,锁定件能够将基座组件锁定于导轨的任意位置,破冰组件用于破冰。导轨设置于甲板,这种设置使得破冰组件所在的基座组件能够锁定在导轨的任意位置,使得破冰组件能够对甲板周围的冰块均能够进行破除,提升移动破冰装置的破冰范围,进一步确保行船安全。
  • 移动装置破冰船
  • [发明专利]节能型上建防风装置-CN202310892176.1在审
  • 刘洋浩;张雨新;孙海素;徐旭敏;杨博 - 上海船舶研究设计院
  • 2023-07-19 - 2023-09-29 - F03D9/25
  • 本发明提供了一种节能型上建防风装置,由底座以及摆动安装在底座上的发电机构组成;底板以及竖挡板构成L型底座;发电机构包含有挡风板基柱、圆饼型挡风板、弹性复位机构、传动连杆和机械动能发电模组,挡风板基柱底部与底板转动连接,圆饼型挡风板固定安装在挡风板基柱的顶部且高于竖挡板,机械动能发电模组通过传动连杆与挡风板基柱相连,弹性复位机构连接在挡风板基柱与竖挡板之间;圆饼型挡风板的正面或者反面朝向舷外侧,圆饼型挡风板的正反面由外向内在厚度方向上向外凸出后向圆心凹陷,以在圆饼型挡风板的正反面中部均形成圆形浅槽。本发明可以离散受到风场作用的侧向力,有效降低横摇风险,此外还兼具回收风能,转化为可支配能源的功能。
  • 节能型防风装置
  • [发明专利]半导体器件结构及其制备方法-CN202310855171.1在审
  • 刘洋浩;徐朋辉;刘涛;曲晓帅 - 长鑫科技集团股份有限公司
  • 2023-07-12 - 2023-08-29 - H10B12/00
  • 本发明涉及一种半导体器件结构及其制备方法,方法包括:提供衬底;于衬底上形成叠层结构,叠层结构包括由下至上依次交替排布的支撑层及牺牲层,叠层结构的顶层为支撑层;于叠层结构内形成电容孔,电容孔沿厚度方向贯穿叠层结构;于电容孔的侧壁及底部形成第一电极层,第一电极层包括位于电容孔侧壁的体电极层及位于电容孔底部的接触电极层;去除牺牲层;对体电极层进行减薄处理,以使得体电极层的厚度小于接触电极层的厚度。上述半导体器件结构及其制备方法能够优化半导体器件结构的性能。
  • 半导体器件结构及其制备方法
  • [发明专利]电容阵列结构及其形成方法-CN202110759810.5在审
  • 刘洋浩;夏军;占康澍;李森;宛强;刘涛;徐朋辉 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-07-05 - 2023-01-24 - H10B12/00
  • 本发明涉及集成电路技术领域,尤其涉及一种电容阵列结构及其形成方法。所述电容阵列结构的形成方法包括如下步骤:形成基底,所述基底包括衬底、位于所述衬底上的堆叠结构、以及位于所述堆叠结构上的掩模层,所述掩模层中具有沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述掩模层的刻蚀窗口;沿所述刻蚀窗口刻蚀所述堆叠结构,形成沿垂直于所述衬底的方向贯穿所述堆叠结构的电容孔;形成填充满所述电容孔和所述刻蚀窗口、并覆盖所述掩模层顶面的导电层;去除所述堆叠结构顶面的所述导电层和所述掩模层,残留于所述电容孔内的所述导电层形成下电极。本发明避免了在去除所述掩模层的过程中电容孔特征尺寸的异常增大,确保了形成的下电极的特征尺寸。
  • 电容阵列结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110604226.2在审
  • 刘洋浩;夏军;宛强;占康澍;李森;刘涛;徐朋辉 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-05-31 - 2022-12-16 - H01L21/8242
  • 本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法,形成方法包括:提供基底,在基底上形成介质层;在介质层上形成图形化的第一掩膜层,第一掩膜层内具有多个初始第一通孔;以第一掩膜层为掩膜,刻蚀介质层,在介质层内形成第一通孔,第一通孔与初始第一通孔正对;在介质层上形成图形化的第二掩膜层,第二掩膜层内具有多个初始第二通孔,初始第二通孔在基底表面的正投影与第一通孔在基底表面的正投影相互间隔;以第二掩膜层为掩膜,刻蚀介质层,在介质层内形成第二通孔,第二通孔与初始第二通孔正对;以具有第一通孔和第二通孔的介质层为掩膜,刻蚀基底,在基底内形成沟槽。本发明实施例有利于提高半导体结构的性能。
  • 半导体结构及其形成方法
  • [发明专利]半导体结构及其制作方法-CN202210864845.X在审
  • 刘涛;夏军;占康澍;李森;徐朋辉;宛强;刘洋浩 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2022-07-21 - 2022-10-21 - H01L23/64
  • 本公开涉及一种半导体结构及其制作方法。半导体结构,包括:基底;第一刻蚀层,位于所述基底的表面;阵列排布的多个第一电极,所述第一电极包括:第一子电极段和第二子电极段,所述第一子电极段位于所述第一刻蚀层且具有第一端和第二端,所述第一端与所述基底接触,所述第二子电极段具有第三端和第四端,所述第三端与所述第一子电极段连接,并且所述第三端的正投影位于所述第二端的正投影内;第二电极,与所述第一电极构成电容器。该半导体结构能够增大相邻两个第二子电极段之间的距离,以减小相邻两个电容器之间的短路风险,从而提升该半导体结构的性能。
  • 半导体结构及其制作方法
  • [发明专利]有源区阵列的形成方法及半导体结构-CN202010134688.8有效
  • 平尔萱;周震;刘洋浩 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2020-03-02 - 2022-09-09 - H01L21/033
  • 本发明提供了一种有源区阵列的形成方法及半导体结构。有源区阵列的形成方法包括如下步骤:提供一衬底;形成第一掩膜层于衬底表面,第一掩膜层中具有第一刻蚀图形;形成覆盖于第一掩膜层表面的第二掩膜层;形成具有第二刻蚀图形的第三掩膜层于第二掩膜层表面;形成覆盖第二刻蚀图形侧壁的侧墙;去除第三掩膜层,于相邻侧墙之间形成第三刻蚀图形;沿第三刻蚀图形刻蚀第一掩膜层,于第一掩膜层中形成第四刻蚀图形;沿第一刻蚀图形和第四刻蚀图形刻蚀衬底,于衬底内形成多个有源区。本发明避免了光刻精度对有源区尺寸的限制,使得有源区的尺寸可以进一步的缩小,衬底内部有源区阵列的密度进一步增大。
  • 有源阵列形成方法半导体结构
  • [发明专利]半导体结构的制造方法-CN202110744675.7有效
  • 宛强;夏军;占康澍;刘涛;徐朋辉;李森;刘洋浩 - 长鑫存储技术有限公司
  • 2021-07-01 - 2022-07-22 - H01L21/8242
  • 本发明实施例提供一种半导体结构的制造方法。半导体结构的制造方法包括:提供基底;于基底上形成多个相互分立的第一掩膜层;形成若干侧墙层,每一侧墙层环绕一个第一掩膜层,每一侧墙层与其余距离最近的侧墙层相连,多个相连的侧墙层背向第一掩膜层的侧壁围成初始第一通孔,初始第一通孔具有倒角;去除第一掩膜层,每一侧墙层围成第二通孔;去除第一掩膜层后,形成修复层,修复层位于侧墙层背向第二通孔的侧壁;修复层还填充于初始第一通孔的倒角,以形成第一通孔;沿第一通孔和第二通孔刻蚀基底,以形成位于基底内的电容孔。本发明实施例能够提高半导体结构的良率。
  • 半导体结构制造方法

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