[发明专利]超低压低容单向保护器及其制作方法有效
| 申请号： | 202210413913.0 | 申请日： | 2022-04-20 |
| 公开（公告）号： | CN115172358B | 公开（公告）日： | 2022-12-02 |
| 发明（设计）人： | 刘宗贺 | 申请（专利权）人： | 深圳长晶微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L21/82 |
| 代理公司： | 深圳市宏德雨知识产权代理事务所(普通合伙) 44526 | 代理人： | 李捷 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种超低压低容单向保护器及其制作方法，该一种超低压低容单向保护器设置有电极衬底，电极衬底上依次连接有第一掺杂区、第二掺杂区、第三掺杂区、第四掺杂区、第五掺杂区、第六掺杂区，连通电极连接于第六掺杂区的一端。第二掺杂区与第一掺杂区之间连接有第一正向PN结，第三掺杂区与第二掺杂区之间连接有第一反向PN结，第四掺杂区与第三掺杂区之间连接有第二正向PN结，第五掺杂区与第四掺杂区之间连接有第二反向PN结，第六掺杂区与第五掺杂区之间连接有第三正向PN结。第四掺杂区与第五掺杂区的外侧设置有第一金属层，第二掺杂区与第三掺杂区的外侧设置有第二金属层。 | ||
| 搜索关键词： | 压低 单向 保护 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
