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[发明专利]氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统-CN201810191647.5有效
发明人：小林岳志;佐久间隆;山崎英亮;清水梨央;津田荣之辅 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2018-03-08 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供氧化膜去除方法和装置以及接触部形成方法和系统。该氧化膜去除方法在将形成于图案底部的硅部分的含硅氧化膜去除时抑制CD损失。所述氧化膜去除方法用于在具有形成有规定图案的绝缘膜并且具有形成于图案的底部的硅部分的含硅氧化膜的被处理基板中去除含硅氧化膜，所述氧化膜去除方法包括以下工序：通过基于碳系气体的等离子体的离子性的各向异性等离子体蚀刻，来将形成于图案的底部的含硅氧化膜去除；通过化学蚀刻，来去除各向异性等离子体蚀刻后的含硅氧化膜的残余部分；以及去除在化学蚀刻后残留的残渣。
氧化去除方法装置以及接触形成系统

[发明专利]硅氧化膜的去除方法及处理装置-CN200710161652.3有效
发明人：长谷部一秀;冈田充弘;千叶贵司;小川淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-20 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器(18)内，去除形成在被处理体(W)表面的硅氧化膜，使用HF气体与NH₃气体的混合气体去除所述硅氧化膜。通过如此使用HF气体与NH₃气体的混合气体可有效地去除形成在被处理体表面的硅氧化膜。
氧化去除方法处理装置

[发明专利]硅氧化膜的去除方法及处理装置-CN200480011043.4有效
发明人：长谷部一秀;冈田充弘;千叶贵司;小川淳 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2004-04-20 - 公布日： 2006-05-24 - 主分类号： H01L21/3065 文献下载
摘要：本发明提供一种将自然氧化膜或化学氧化膜等硅氧化膜，在远高于室温的温度下有效地去除的硅氧化膜的去除方法。本方法用于在可以进行真空排气的处理容器(18)内，去除形成在被处理体(W)表面的硅氧化膜，使用HF气体与NH₃气体的混合气体去除所述硅氧化膜。通过如此使用HF气体与NH₃气体的混合气体可有效地去除形成在被处理体表面的硅氧化膜。
氧化去除方法处理装置

[发明专利]半导体装置的制造方法-CN201680087142.3有效
发明人：蔀拓一郎 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-06-30 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制氧化膜的一部分变薄的技术。在第1区域的氮化膜之上形成第3氧化膜，并且在第2区域的主面之上形成第4氧化膜。使用掩模将第3氧化膜、氮化膜、以及第1氧化膜从第1区域去除。在将第3氧化膜、氮化膜、以及第1氧化膜去除之后，在第1区域的主面之上形成第5氧化膜。使用掩模将第5氧化膜从第1区域去除。在将第5氧化膜去除之后，在第1区域的主面之上形成第6氧化膜。
半导体装置制造方法

[发明专利]镁合金微弧氧化膜层的去除方法-CN202110482951.7有效
发明人：董帅;聂照;邓泽;钱辰;师春晓;董杰 -专利权人：上海交通大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-02-21 - 主分类号： C23G1/06 文献下载
摘要：本发明提供了一种镁合金微弧氧化膜层的去除方法，该去除方法包括：将需要退膜的镁合金微弧氧化样品放入含有微弧氧化膜层的退膜溶液的处理槽中，之后置于去离子水中进行水洗，去除试样表面的腐蚀产物，得到已退膜试样；将已退膜试样置入含光亮剂的处理槽中，置于去离子水中进行水洗，并烘干，得到光亮的去除微弧氧化膜的镁合金试样；本发明采用微弧氧化膜层去除工艺，镁合金基体表面平整光滑，基体表面无残余膜层及其它腐蚀产物产生，可直接进行二次微弧氧化；该膜层的去除方法退膜速度快且退膜溶液不含环保限制元素、成分简单、成本低廉；本发明的微弧氧化膜层的退膜方法简单，与常规的通过打磨方法去除膜层的方法相比，去除效率高、操作方便。
镁合金氧化去除方法

[发明专利]宽深沟槽介质填充的制作工艺方法-CN200910201731.1无效
发明人：肖胜安 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-10-28 - 公布日： 2011-05-11 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种宽深沟槽介质填充的制作方法，在硅片上依次生长一层底层氧化膜、氮化硅膜和顶层氧化膜；在顶层氧化膜上涂光刻胶，通过光刻定义出多个等间距的沟槽；通过刻蚀将曝出的顶层氧化膜去除，然后再去除光刻胶；利用顶层氧化膜的图形作为掩膜，刻蚀氮化硅膜、底层氧化膜和硅片得到所需的多个沟槽；利用热氧化将所述多个沟槽的侧墙全部氧化，形成氧化硅侧墙；去除顶层氧化膜、氮化硅膜；利用CVD淀积需要的介质膜，并将沟槽填满；利用反刻或化学机械研磨将硅片表面的介质膜去除，并去除硅片表面的氧化膜，最终得到填满介质膜的既宽又深的沟槽。
深沟介质填充制作工艺方法

[发明专利]膜形成方法和基板处理装置-CN201910126154.8在审
发明人：林宽之;兼村瑠威;高木聪;冈田充弘 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2019-02-20 - 公布日： 2019-08-30 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及膜形成方法和基板处理装置。[课题]提供能形成具有良好的表面粗糙度的膜的膜形成方法。[解决方案]一实施方式的膜形成方法具备如下工序：有机物去除工序，向基底供给含氢气体和含氧气体，将有机物去除，所述有机物附着于在前述基底的表面产生的氧化膜；氧化膜去除工序，在前述有机物去除工序后，向前述基底供给含卤素气体和碱性气体，将形成于前述基底的表面的氧化膜去除；和，成膜工序，在前述氧化膜去除工序后，在前述基底的表面成膜为规定的膜。
基底膜形成氧化膜去除工序有机物去除工序基板处理装置表面粗糙度含卤素气体氧化膜去除有机物去除表面成膜成膜工序含氢气体含氧气体碱性气体氧化膜有机物附着

[发明专利]碳化硅衬底的表面重建方法-CN200680001088.2无效
发明人：增田健良 -专利权人：住友电气工业株式会社
申请日： 2006-03-02 - 公布日： 2007-10-10 - 主分类号： C30B29/36 文献下载
摘要：一种碳化硅衬底(1)的表面重建方法，该方法包括：在碳化硅衬底(1)表面形成硅膜(2)的硅膜形成步骤和在没有在硅膜(2)表面上提供多晶碳化硅衬底的情况下，热处理碳化硅衬底(1)和硅膜(2)的热处理步骤。此处，在热处理步骤后，可以包括去除硅膜(2)的硅膜去除步骤。另外，可以包括：在热处理步骤后氧化硅膜(2)以产生氧化硅膜的氧化硅膜形成步骤，以及去除氧化硅膜的氧化硅膜去除步骤。
碳化硅衬底表面重建方法

[实用新型]氧化膜去除机-CN202121884963.4有效
发明人：刘少鹏;尹航 -专利权人：青岛地铁集团有限公司运营分公司
申请日： 2021-08-12 - 公布日： 2022-01-25 - 主分类号： H01H49/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种氧化膜去除机，属于轨道交通技术领域。本实用新型所述的一种氧化膜去除机，包括机箱外壳，机箱外壳一侧设有操作显示面板，操作显示面板上设有电流调节开关、电流调节旋钮、电流表、打磨位置指示灯以及打磨模式选择开关；机箱外壳内部安装有控制器、调压板以及电源本实用新型去除继电器触点氧化膜效果明显，并且污染小，运营成本低。
氧化去除

[发明专利]用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法-CN201911274320.5在审
发明人：权捧秀;金洗璨;吉惠晙 -专利权人： TES股份有限公司
申请日： 2019-12-12 - 公布日： 2020-07-07 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明涉及一种利用等离子体及气体的用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法，更具体而言，涉及一种包括从形成有通道的电极去除形成在电极上的氧化膜的步骤、及对去除氧化膜的所述电极执行蚀刻制程的步骤的用以去除电极氧化膜及蚀刻电极的处理方法
用以去除电极氧化蚀刻处理方法

[实用新型]一种钢丝氧化膜去除装置-CN201821034449.X有效
发明人：韩远志 -专利权人：天津市瑞宝龙预应力钢绞线有限公司
申请日： 2018-07-02 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： B21C19/00 文献下载
摘要：本实用新型是一种钢丝氧化膜去除装置，包括套筒，所述套筒内腔从左到右依次嵌装有膜孔共轴线的第一矫直模、粗刮削模、第二矫直模、精刮削模、压光模，所述套筒7上均设有上下对应的上润滑粉喷注管和下润滑粉喷注管，所述套筒底部均开设有排屑孔所述的一种钢丝氧化膜去除装置能够迅速去除钢丝表面氧化膜，耗工时短，生产效率高，采用物理方法去除氧化膜，不使用酸性溶液，不会产生废液污染环境，较为环保，去除钢丝表面氧化膜效果好，去除氧化膜后的钢丝光洁度高
钢丝氧化膜去除氧化膜去除套筒钢丝表面刮削模矫直模喷注管润滑粉光洁度废液污染环境本实用新型拉丝工序上下对应生产效率酸性溶液套筒内腔致密性好共轴线排屑孔膜孔压光圆度环保

[发明专利]一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法-CN201910949028.2在审
发明人：崔文荣 -专利权人：江苏晟驰微电子有限公司
申请日： 2019-10-08 - 公布日： 2020-01-14 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除硅腐蚀沟槽边缘氧化膜的改进方法,包括以下步骤：A、将蚀刻后的硅片进行固定；B、采用毛刷将蚀刻后的硅片表面进行清刷；C、使用超声槽振荡去除硅片上残留的氧化膜；D、对清理氧化膜的硅片进行清洗；E、放置到硅片片架的内部，本发明先使用尼龙刷子去除沟槽边缘的氧化膜，再使用超声槽振荡去除残留在沟槽边缘的氧化膜及被刷子刷掉落在沟槽中的氧化膜，有效降低了硅片时刻沟槽边缘氧化膜清理工艺的成本。
氧化膜硅片沟槽边缘去除蚀刻超声槽振荡残留刷子硅片表面尼龙刷子硅腐蚀再使用掉落毛刷片架清刷清洗改进

[发明专利]一种活性钎剂、金属氧化膜去除方法及挂锡方法-CN202010676875.9在审
发明人：高凤林;杨海鑫;邹鹤飞;孔兆财;王志东;高竹青;杜岩峰;朱平萍;马丽翠;洪园 -专利权人：首都航天机械有限公司
申请日： 2020-07-14 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： B23K1/08 文献下载
摘要：本发明提供了一种活性钎剂、金属氧化膜去除方法及挂锡方法，包括：步骤1，领取并称量配制活性钎剂的原材料，进行活性钎剂的配制：将称量好的氯化亚锡加入浓盐酸中，然后加入锌粒至饱和状态，充分反应；步骤2，将金属氧化膜难去除零件待钎焊区域进行机械清理，清洗后放入活性钎剂中浸泡，实施金属氧化膜的去除。本发明通过研发活性钎剂并改善金属氧化膜去除方法，可以有效去除金属氧化膜难去除表面如镍铬合金表面的氧化膜，解决钎焊中润湿性差，结合力弱等造成的产品不满足设计要求的问题，结合挂锡方法，保证了钎焊质量。
一种活性金属氧化去除方法

[发明专利]一种去除深沟槽内氧化膜残留的方法-CN201110360072.3无效
发明人：刘继全 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2011-11-14 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种去除深沟槽内氧化膜残留的方法，包括如下步骤：步骤1，在硅衬底上刻蚀形成深沟槽；步骤2，在深沟槽内生长一层氧化膜；步骤3，利用HF和H2O的混合蒸汽去除深沟槽内的氧化膜。本发明可以彻底去除深沟槽内氧化膜，达到深沟槽内无氧化膜残留的效果。
一种去除深沟氧化残留方法

[发明专利]一种硅片的处理方法-CN201711271080.4在审
发明人：赵向阳 -专利权人：上海新昇半导体科技有限公司
申请日： 2017-12-05 - 公布日： 2019-06-11 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种硅片的处理方法，包括以下步骤：取一硅片进行氧化处理，以在所述硅片表面形成氧化膜；对所述硅片进行低温加热处理，使所述硅片内部的金属离子扩散至所述硅片表面的氧化膜中；去除所述硅片表面的氧化膜；通过对所述硅片进行氧化处理形成氧化膜，氧化膜有吸附金属离子的功能；对所述硅片进行低温加热处理，使所述金属离子向所述硅片表面扩散，所述金属离子会附着在所述氧化膜上，以去除所述硅片内部的金属离子；通过酸性腐蚀溶液等腐蚀所述硅片表面，可以腐蚀掉所述硅片表面的氧化膜和附着在氧化膜上的金属离子，达到去除所述硅片中金属离子的目的，使所述硅片中金属离子去除的更有效。
硅片氧化膜硅片表面金属离子去除低温加热氧化处理附着金属离子扩散金属离子去除酸性腐蚀溶液吸附金属离子腐蚀扩散清洁

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