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[发明专利]层叠体及其制造方法-CN202280007539.2在审
发明人：山本悠贵友;佐藤和幸;泽康之介;尾藤三津雄 -专利权人： JX金属株式会社;株式会社东北磁材研究所
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高对低频率区域的电磁波屏蔽效果的层叠体。本发明的层叠体，包括至少1个非磁性金属层和至少1个磁性金属层，所述磁性金属层中的至少1个含有非晶相。
层叠及其制造方法

[发明专利]半导体部件的制造方法以及半导体装置的制造方法-CN202110086060.X在审
发明人：横山昇;佐藤和幸 -专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
申请日： 2021-01-22 - 公布日： 2022-03-18 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：实施方式提供能够减少杂质量差的半导体部件的制造方法以及半导体装置的制造方法。在实施方式的半导体部件的制造方法中，测定包含第一导电型的第一半导体层的半导体基板的第一质量。在所述第一半导体层的上表面形成第一开口。测定形成有所述第一开口的所述半导体基板的第二质量。在所述第一开口的内部形成第二导电型的第二半导体层时，使所述第二半导体层中的第二导电型的杂质浓度根据所述第一质量与所述第二质量的质量差而变化。
半导体部件制造方法以及装置

[发明专利]用于车辆的中央部结构-CN201711181128.2有效
发明人： 佐藤和幸;桥口宽 -专利权人：丰田自动车株式会社
申请日： 2017-11-23 - 公布日： 2020-06-26 - 主分类号： B62D25/06 文献下载
摘要：一种用于车辆的中央部结构，包括：上边梁，所述上边梁被形成为管状；和第一加强构件，所述第一加强构件在车顶加强件和上边梁彼此重叠的位置处被容纳在上边梁中，其中第一加强构件包括沿上边梁延伸的主加强壁部和被设置成与上边梁交叉的横向部，所述横向部被放置在所述横向部能够接收经由中柱的上部施加的侧碰撞负荷的位置处。
用于车辆中央结构

[发明专利]溅射靶及其制造方法-CN201380005832.6有效
发明人：奈良淳史;佐藤和幸 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2013-01-21 - 公布日： 2016-11-09 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种溅射靶，其特征在于，在Al的含量以Al₂O₃换算为0.2～3.0摩尔％、Mg和/或Si的含量以MgO和/或SiO₂换算为1～27摩尔％、其余部分由Zn的以ZnO换算的含量构成的基本组成的基础上，还含有以氧化物重量换算为0.1～20重量％的形成熔点为1000℃以下的低熔点氧化物的金属。本发明提供不含硫、体积电阻低、能够进行DC溅射且折射率低的光学薄膜形成用靶及其制造方法。靶自身为高密度，因此异常放电少，能够进行稳定的溅射。而且，溅射成膜得到的薄膜的透射率高且由非硫化物系构成，因此，对于形成相邻的反射层、记录层不易产生劣化的光信息记录介质用薄膜而言有用。通过提高光信息记录介质的特性、降低设备成本、提高成膜速度而大幅改善产量。
溅射及其制造方法

[发明专利]高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧为主要成分的金属栅膜-CN201510437044.5在审
发明人：高畑雅博;佐藤和幸;成田里安;乡原毅 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： C22B59/00 文献下载
摘要：本发明的课题在于，提供能够高效且稳定地提供高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度材料镧的溅射靶和以高纯度材料镧为主要成分的金属栅用薄膜的技术。该高纯度镧的制造方法的特征在于，以除气体成分以外的纯度为2N～3N的粗镧氧化物原料为起始材料，在450～700℃的浴温下进行熔盐电解得到镧结晶，然后在将该镧结晶进行脱盐处理后，进行电子束熔炼而除去挥发性物质。
纯度制造方法包含溅射主要成分金属

[发明专利]高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶及以高纯度镧为主要成分的金属栅极膜-CN201280021193.8无效
发明人：高畑雅博;佐藤和幸;乡原毅;成田里安 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-09-04 - 公布日： 2014-01-08 - 主分类号： C25C3/34 文献下载
摘要：一种高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上，α射线计数为0.001cph/cm2以下。一种高纯度镧的制造方法，其特征在于，将除气体成分以外的纯度为4N以下的粗镧金属的原料在450～700℃的浴温下进行熔盐电解而得到镧结晶，接着，将该镧结晶进行脱盐处理后进行电子束熔炼而将挥发性物质除去，使除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上且使α射线计数为0.001cph/cm2以下。本发明的课题在于提供能够有效且稳定地提供低α射线的高纯度镧、包含高纯度材料镧的溅射靶及以高纯度材料镧为主要成分的金属栅极用薄膜的技术。
纯度制造方法包含溅射主要成分金属栅极

[发明专利]高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧为主要成分的金属栅膜-CN201280006129.2有效
发明人：高畑雅博;佐藤和幸;成田里安;乡原毅 -专利权人：吉坤日矿日石金属株式会社
申请日： 2012-01-17 - 公布日： 2013-09-25 - 主分类号： C22B59/00 文献下载
摘要：本发明提供能够高效且稳定地提供高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度材料镧的溅射靶和以高纯度材料镧为主要成分的金属栅用薄膜的技术。该高纯度镧的制造方法的特征在于，以除气体成分以外的纯度为2N～5N的粗镧氧化物原料为起始材料，在450～700℃的浴温下进行熔盐电解得到镧结晶，然后在将该镧结晶进行脱盐处理后，进行电子束熔炼而除去挥发性物质。
纯度制造方法包含溅射主要成分金属

[发明专利]氧化镧基烧结体、包含该烧结体的溅射靶、氧化镧基烧结体的制造方法及通过该制造方法制造溅射靶的方法-CN200980126610.3有效
发明人： 佐藤和幸;小井土由将 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化镧基烧结体，以氧化镧作为基础成分，含有氧化钛、氧化锆、氧化铪的一种或两种以上，其余为氧化镧和不可避免的杂质。还涉及一种氧化镧基烧结体的制造方法，使用La2(CO3)3粉末或La2O3粉末作为氧化镧原料粉末，使用TiO2、ZrO2、HfO2粉末的一种或两种以上作为添加氧化物，将其以用金属换算添加氧化物的金属成分的组成比为规定值的方式进行配合并混合后，将该混合粉末在大气中进行加热合成，然后将该合成材料粉碎得到粉末，然后将该合成粉末进行热压得到烧结体。本发明可以防止与水分或二氧化碳结合形成氢氧化物等而变为粉末状，可以长期保存。另外，本发明提供通过使用该溅射靶进行成膜，可以高效且稳定地提供High-K栅绝缘膜用氧化物的技术。
氧化烧结包含溅射制造方法通过

[发明专利]氧化物烧结体、包含该烧结体的溅射靶、该烧结体的制造方法及该烧结体溅射靶的制造方法-CN200980126562.8无效
发明人： 佐藤和幸;小井土由将 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-06-23 - 公布日： 2011-06-08 - 主分类号： C04B35/00 文献下载
摘要：本发明提供一种氧化物烧结体，包含镧和铪的复合氧化物，其特征在于，烧结体中所含的铪相对于镧含有当量以上。本发明提供一种镧与铪的氧化物烧结体的制造方法，其特征在于，使用La2(CO3)3粉末和HfO2粉末作为原料粉末，以Hf与La的组成摩尔比为1～1.2的方式进行配合并混合后，将该混合粉末在大气中进行加热合成，然后将该合成材料粉碎得到粉末后，将该合成粉末进行热压而得到烧结体。金属镧快速地与氧结合而崩解，另外氧化镧与水分结合形成氢氧化物而变为粉末状，因此存在均难以长期保存，即使制成溅射靶，也不能实际应用的问题。鉴于此，本发明提供包含镧(La)和铪(Hf)的氧化物的稳定的含La氧化物烧结体，并提供特别适合形成High-k栅绝缘膜的含La氧化物溅射靶。
氧化物烧结包含溅射制造方法

[发明专利]包含贵金属粉末和氧化物粉末的混合粉末的制造方法及包含贵金属粉末和氧化物粉末的混合粉末-CN200980122627.1无效
发明人：荒川笃俊;佐藤和幸;佐藤敦 -专利权人： JX日矿日石金属株式会社
申请日： 2009-08-18 - 公布日： 2011-05-18 - 主分类号： B22F9/30 文献下载
摘要：本发明提供一种包含贵金属粉末和氧化物粉末的混合粉末的制造方法，其特征在于，在贵金属粉末与氧化物粉末的混合粉末的制造中，将贵金属的氯化铵盐粉末与氧化物粉末混合，然后将该混合粉末焙烧，通过该焙烧使氯化铵脱除，从而得到贵金属粉末与氧化物粉末的混合粉末；还提供一种包含贵金属粉末和氧化物粉末的混合粉末，其特征在于，氯低于1000ppm、氮低于1000ppm、贵金属粉末的粒径90％以上为20μm以下，氧化物粉末的粒径90％以上为12μm以下。本发明的制造方法可以避免贵金属粉末制造的重复工序，并可以省略工序以使得尽可能不混入王水中所含的氯或与肼还原反应相关的氮。结果，可以省略干燥工序，防止颗粒生长或凝聚，并且无粉碎或分级工序，显著减少制造成本，这是本发明的课题。
包含贵金属粉末氧化物混合制造方法

[发明专利]便携式终端装置、通信控制方法以及通信控制程序-CN201010198907.5无效
发明人：友原史善;佐藤和幸;仓成真一 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2010-06-04 - 公布日： 2010-12-22 - 主分类号： H04M1/02 文献下载
摘要：本发明涉及便携式终端装置、通信控制方法以及通信控制程序。该便携式终端装置包括第一外壳、第二外壳和控制单元。第二外壳具有包括第一形态和第二形态的变形形态；在第一形态的情况下，第二外壳在第一外壳上方盖合。在第二形态的情况下，第二外壳与第一外壳分离，在第一形态的情况下，控制单元控制第一外壳和第二外壳之间的通信通过第一外壳和第二外壳之间的接点执行。在第二形式的情况下，控制单元控制在第一外壳和第二外壳之间的通信通过无线通信单元执行。
便携式终端装置通信控制方法以及控制程序

[发明专利]移动终端设备及其显示控制方法-CN200810005673.0无效
发明人： 佐藤和幸;山口贵子;露木淳雅;熊谷敏光 -专利权人：富士通株式会社
申请日： 2008-02-15 - 公布日： 2008-08-20 - 主分类号： G06F3/048 文献下载
摘要：本发明提供一种移动终端设备及其显示控制方法。在进度表功能被激活的情况下，当检测到应用显示单元的旋转机制进行的显示单元的旋转运动时，或者当检测到预定加速度值或更大加速度值的加速运动时，基于上述的检测，该移动终端设备变更进度表显示。具体地，该移动终端设备或者变更所显示的进度表时段，或者变更显示内容的显示放大系数。本发明通过使用前述显示单元的旋转机制等，无须键操作就可对进度表显示内容进行切换，从而提高了进度表功能的可操作性。
移动终端设备及其显示控制方法

[发明专利]成像装置和无线通信设备-CN200710141625.X有效
发明人：东山真;小池和正;西崎伸吾;佐藤和幸;青木丰和;津川正树 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2007-08-17 - 公布日： 2008-02-27 - 主分类号： G03G21/18 文献下载
摘要：一种成像装置，包括：可旋转的旋转部件；通信介质；以及接收单元。所述通信介质被附加到所述旋转部件的外圆周，在其中存储关于所述旋转部件的信息并通过无线通信转送关于所述旋转部件的信息。所述接收单元从所述通信介质接收关于所述旋转部件的信息。
成像装置无线通信设备

[发明专利]磁场成形装置、铁氧体磁体的制造方法以及模具-CN200610146500.1有效
发明人：栗田英生;永塚康弘;增泽清幸;大塚正幸;佐藤和幸 -专利权人： TDK株式会社
申请日： 2006-09-29 - 公布日： 2007-06-13 - 主分类号： B22F3/12 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供一种能够使制造工序的合格率提高、使质量稳定的磁场成形装置以及铁氧体磁体的制造方法等。在进行磁场成形时，通过控制器的控制，利用在阴模(19)下方的加热块上设置的加热构件(20)，根据阴模(19)各部位的温度，对具有多个模腔(13)的阴模(19)进行加热，藉此使各模腔(13)内的料浆温度变得均匀。这样一来，能够均匀地升高模腔(13)内的成形用料浆的温度，因而能够使脱水性变得良好而且稳定，从而提高产品的合格率。
磁场成形装置铁氧体磁体制造方法以及模具

[发明专利]图像形成装置,成像操作校正方法、及成像操作校正程序-CN200610163111.X无效
发明人： 佐藤和幸;篠原贤史;小林真治;渡辺崇雄;贝间信谦;宿谷佑一郎;川合义昭 -专利权人：株式会社理光
申请日： 2006-11-30 - 公布日： 2007-06-06 - 主分类号： G03G15/16 文献下载
摘要：在图像形成装置中，校正单元基于多个校正模式校正成像操作。模式创建单元在光电导体上形成校正模式的静电潜像，并且将该静电潜像转印到中间转印体以在其上形成校正模式。模式检测单元检测在中间转印体上形成的校正模式。速度检测单元该中间转印体上所形成的校正模式被移动的运动速度。定时保持单元计算用于启动每个校正模式的检测的检测启动定时的设置值，以保持该设置值。该校正单元被提供来，在校正成像操作之前，基于运动速度和设置值而确定检测启动定时。
图像形成装置成像操作校正方法程序

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