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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]层叠体及其制造方法-CN202280007539.2在审
发明人：山本悠贵友;佐藤和幸;泽康之介;尾藤三津雄 -专利权人： JX金属株式会社;株式会社东北磁材研究所
申请日： 2022-03-03 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种能够提高对低频率区域的电磁波屏蔽效果的层叠体。本发明的层叠体，包括至少1个非磁性金属层和至少1个磁性金属层，所述磁性金属层中的至少1个含有非晶相。
层叠及其制造方法

[发明专利]电容式传感器-CN201580072637.4有效
发明人：山井知行;北村恭志;平木勇太;石桥节雄;尾藤三津雄;矢泽学 -专利权人：阿尔卑斯阿尔派株式会社
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：作为即使在使用包括金属纳米线的透光性导电膜的情况下也能够得到充分的ESD耐性的电容式传感器，提供如下电容式传感器：该电容式传感器在基材设置有透光性导电膜的图案，其中，透光性导电膜包括金属纳米线，图案具有：检测图案，其通过多个检测电极以隔开间隔的方式排列而成；多条引出布线，其从多个检测电极分别沿着第一方向呈直线状延伸出；以及电阻设定部，其与多条引出布线中的至少任一方连接，且包括沿着与第一方向不平行的方向延伸出的部分。
电容传感器

[发明专利]电容式传感器-CN201580073163.5有效
发明人：山井知行;尾藤三津雄;北村恭志;平木勇太;石桥节雄;矢泽学 -专利权人：阿尔卑斯阿尔派株式会社
申请日： 2015-10-29 - 公布日： 2019-11-22 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：作为即使在使用包括金属纳米线的透光性导电膜的情况下也能够得到充分的ESD耐性的电容式传感器，提供如下电容式传感器：该电容式传感器在基材设置有透光性导电膜的图案，其中，透光性导电膜包括金属纳米线，图案具有：检测图案，其通过多个检测电极以隔开间隔的方式排列而成；和多条引出布线，其从多个检测电极分别沿着第一方向呈直线状延伸出，检测图案中的至少一个检测电极包括电流路径设定部，该电流路径设定部延长从检测电极朝向引出布线的电流的直线路径长度。
电容传感器

[发明专利]透光性导电构件及其布图方法-CN201480044544.6有效
发明人：山井知行;尾藤三津雄;北村恭志 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2018-09-25 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供能够将包含银纳米线的导电层布图成导电区域和非导电区域、且非导电区域的光学特性得以改善的透光性导电构件的布图方法。所述布图方法使用在透光性基材薄膜(11)的表面形成有将银纳米线(13a)埋设于外涂层(14)中的导电层(12)的透光性层叠材；其具有以下工序：对没有用抗蚀剂层(41)覆盖的导电层(12)的表面用碘液进行处理，从而使银纳米线(13a)的至少一部分发生碘化的工序；以及对没有用抗蚀剂层(41)覆盖的导电层(12)的表面给以硫代硫酸盐溶液，从而将在外涂层(14)的表面露出的银碘化物除去的工序。通过除去白色浑浊的或者白色化的银碘化物，便可以提高非导电区域的光透射性。
透光导电构件及其方法

[发明专利]硅接合型二极管及其制造方法-CN03154928.4无效
发明人： 尾藤三津雄 -专利权人：阿尔卑斯电气株式会社
申请日： 2003-08-22 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： H01L29/861 文献下载
摘要：提供一种电容温度系数具有负值的硅接合型二极管。第2硅单结晶层(16)的第2物质的含有浓度设定成比第1硅单结晶层(14)的第1物质的浓度低、并且在第2硅单结晶层(16)中导入第4族并且完全固溶型的元素、使第1硅单结晶层(14)和第2硅单结晶层(16)接合形成的硅接合型二极管(10)，具有现有技术中没能实现的零或者负的电容温度系数。例如，硅接合型二极管(10)的电容温度系数为—1500ppm/℃。
接合二极管及其制造方法

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