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[发明专利]开关LDMOS器件的制造方法-CN202010817030.7有效
发明人：张晗;杨新杰;金锋;乐薇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-08-14 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/8238 文献下载
摘要：本申请公开了一种开关LDMOS器件的制造方法，涉及半导体制造领域。该方法包括在衬底上形成有源区；在CMOS区域形成CMOS器件的第一阱区；在衬底表面形成栅氧化层；形成CMOS器件的栅极和开关LDMOS器件的栅极；在开关LDMOS区域形成开关LDMOS器件的第二阱区，第一阱区与第二阱区不相同；形成开关LDMOS器件的高压掺杂区；形成器件的栅极侧墙；形成CMOS器件和开关LDMOS器件的源区、漏区；解决了目前集成制作CMOS器件和开关LDMOS器件，开关LDMOS器件的性能受到CMOS器件限制的问题；达到了提升开关LDMOS器件的性能，满足新的应用场景的效果。
开关 ldmos 器件制造方法

[发明专利]高压MOSFET装置、制造方法及器件-CN202310057580.7在审
发明人：林中;乐薇;吴永杰 -专利权人：伏达半导体（合肥）股份有限公司
申请日： 2023-01-18 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请提出了一种高压MOSFET装置、制造方法及器件。所述装置包括：具有第一电导率的基底，形成在基底上的具有第二电导率的漂移层，形成在漂移层中的具有第一电导率的体区；形成在体区中的具有第二电导率的源区，形成在漂移层中的具有第二电导率的漏区，形成在体区和漂移层上的栅极电介质层，形成在栅极电介质层上的栅极，从漂移层的顶面延伸到栅极的顶面的第一电介质层，和形成在第一电介质层上的场板缝隙结构，其中场板缝隙结构包括多个缝隙。
高压 mosfet 装置制造方法器件

[发明专利]LDMOS器件及其制作方法-CN202110733085.4有效
发明人：杨新杰;金锋;乐薇;张晗;宋亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种LDMOS器件及其制作方法，该器件包括：衬底，其中形成有第一阱掺杂区和第二阱掺杂区，第一阱掺杂区中形成有第一重掺杂区和第二重掺杂区，第二阱掺杂区中形成有第三重掺杂区，第一重掺杂区和第二重掺杂区中形成有金属硅化物层；栅极，其形成于栅氧上，栅氧形成于衬底上；第一金属连线，其底部与金属硅化物层连接；第二金属连线，其底部与第三重掺杂区连接；Z字型阻挡层，其上部与栅极连接，其底部与第二阱掺杂区连接，其底部被第二金属连线截成两段，Z字型阻挡层的上部和底部之间的部位与栅极的侧墙连接。本申请提供的LDMOS器件可在减小Rsp的同时提高器件的BV，在提高器件适用性的基础上提高了其电学性能。
ldmos 器件及其制作方法

[发明专利]LDMOS器件及其形成方法-CN202111119049.5在审
发明人：张晗;杨新杰;金锋;乐薇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2021-09-24 - 公布日： 2022-01-11 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本申请公开了一种LDMOS器件及其形成方法，该器件包括：外延层，其形成有环绕设置的第一STI结构和环绕设置的第二STI结构，第二STI结构位于第一STI结构的外周侧；栅极，其形成于外延层上方，栅极位于第一STI结构所绕的区域内，栅极和外延层之间形成有栅介电层；外延层中形成有阱区和轻掺杂区，阱区和轻掺杂区接触；栅极两侧的外延层中形成有第一重掺杂区和第二重掺杂区，第一重掺杂区形成于所述第一STI结构所环绕的区域内的阱区中，第二重掺杂区形成于轻掺杂区中，阱区中还形成有口袋注入区，口袋注入区沿横向方向位于第一重掺杂区和栅极之间；第一STI结构和第二STI结构之间的外延层中还形成有第三重掺杂区和第四重掺杂区，第三重掺杂区形成于所述阱区中。
ldmos 器件及其形成方法

[发明专利]开关LDMOS器件及制造方法-CN202010321166.9在审
发明人：杨新杰;金锋;乐薇;张晗;宋亮 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种开关LDMOS器件，在半导体衬底中具有第一阱中，包含有所述开关LDMOS器件的LDD区及第二导电类型的第一体掺杂区；在所述的LDD区中，具有作为源区的第一重掺杂区，在第一体掺杂区中，具有作为漏区的第二重掺杂区；在栅极结构之下、LDD区与体掺杂区之间的半导体衬底表层形成所述开关LDMOS器件的沟道，在栅极施加电压超过所述LDMOS器件的阈值电压时，沟道反型使得源区与漏区之间导通；所述LDD区及体掺杂区远离栅极结构的一侧均具有场氧或者STI，所述场氧或者STI的一侧是与LDD中的第一重掺杂区或第一体掺杂区的第二重掺杂区相接。本发明体掺杂区以更高的离子注入的能量和离子注入的剂量实现提高器件的击穿电压BV且缩小器件尺寸的目的。
开关 ldmos 器件制造方法

[实用新型]一种拔罐器材消毒器-CN201920908811.X有效
发明人：辛欢;周利;王莉;刘丽华;陈可;邓薇;乐薇;吴莹;张玲;李娜 -专利权人：武汉市第一医院
申请日： 2019-06-17 - 公布日： 2020-04-10 - 主分类号： A61L2/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种拔罐器材消毒器，在敞口池底部通过螺栓固定底部固定座，底部固定座与支撑筒底部固定连接，支撑筒顶部与顶部固定座固定连接，支撑筒中下部侧壁上均布有八条通透的滑槽，顶部固定座上设置有一套驱动装置，丝杠设置在支撑筒内部，且丝杠两端通过滚动轴承与顶部固定座和底部固定座连接，丝杠上套接有一套夹持装置的升降支架，本装置实现了对不同尺寸火罐的夹持功能，实现机械控制液面的没入和取出，适用范围较大，在对火罐消毒或浸泡的过程中，实现火罐在消毒液或清水中的翻转，利于提高消毒质量和清洗质量，在干燥过程中，将火罐的开口旋转至向下，便于加快火罐的干燥速度。
一种器材消毒器

[发明专利]一种箬叶总黄酮的提取与纯化方法-CN201510737809.7有效
发明人：乐薇;吴士筠;杨文婷;柯斌清;覃瑞 -专利权人：武汉工商学院
申请日： 2015-11-03 - 公布日： 2019-12-27 - 主分类号： A61K36/899 文献下载
摘要：本发明属于天然产物分离、食品添加剂、医药技术领域，具体涉及一种箬叶总黄酮的提取与纯化方法，包括以下步骤：a.将箬叶洗净、烘干，并粉碎；b.将上述粉碎的箬叶用饱和石灰水预浸泡20～60min，加入乙醇水溶液后调节体系的酸碱度至接近中性并加热提取30min以上，加热提取的温度控制在50～70℃，然后减压抽滤获得总黄酮提取液；c.将上述总黄酮提取液蒸发浓缩，经大孔树脂吸附，水洗后用乙醇水溶液洗脱得到洗脱液；d.将洗脱液蒸发浓缩，经冷冻干燥后得总黄酮。本发明的有益效果为，总黄酮的得率较高，提取时所用乙醇溶液浓度较低，提取时的温度较低。
一种箬叶总黄酮提取纯化方法

[发明专利]LDMOS器件埋层的工艺方法-CN201510607086.9有效
发明人：杨文清;乐薇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-09-22 - 公布日： 2019-01-04 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种LDMOS器件埋层的工艺方法，包含：第1步，在硅衬底上，使用光刻胶定义出N型埋层区，并且在N型埋层区的外围，定义出一个或者多个包围所述N型埋层区的N型环形埋层区；第2步，进行N型埋层的注入，杂质通过光刻打开的N型埋层区窗口以及N型环形埋层区窗口进入衬底中，形成N型埋层区和N型环形埋层区；第3步，进行高温推进；第4步，进行P型杂质离子的普注，形成P型埋层。本发明不增加光刻层数，依然采用P型埋层普注的方式，调节N型埋层边缘处的浓度，提高器件的击穿电压。
ldmos 器件工艺方法

[发明专利]NLDMOS的制造方法-CN201510068404.9有效
发明人：杨新杰;邢军军;乐薇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-02-10 - 公布日： 2017-12-05 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明公开了一种NLDMOS的制造方法，在硅衬底上形成深N阱，低压N阱，场氧隔离层以及在所述硅衬底表面淀积栅介质层和多晶硅栅后，包括步骤采用光刻工艺定义出P型体区的形成区域；采用刻蚀工艺将P型体区的形成区域的深N阱表面露出；依次进行二次P型离子注入和一次N型离子注入；进行快速热退火推进形成P型体区；光刻刻蚀形成栅极结构；在栅极结构的侧面形成侧墙；进行N型重掺杂的源漏注入形成源区和漏区。本发明能降低源漏导通电阻。
nldmos 制造方法

[发明专利]一种源极抬高电压使用的高压LDMOS及其制造方法-CN201510080741.X有效
发明人：乐薇;邢军军;杨文清 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2015-02-15 - 公布日： 2017-10-24 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了一种源极抬高电压使用的高压LDMOS器件，在p型衬底与n型外延层的交界面具有n型埋层和p型埋层；n型埋层与p型埋层的侧面不接触，两者具有一定距离，从而提高了n型埋层与p型埋层之间的耐压；所述p型埋层与漏极在垂直方向上至少部分重叠，从而令p型埋层对漏极生成降低表面电场作用以提升漏极对源极的耐压；所述n型埋层在源极和体区引出端的正下方，从而对源极和体区引出端对p型衬底进行高压隔离。本申请通过结构优化可在相同的制造工艺和制程下提升高压LDMOS的击穿电压，从而可用于源极抬高电压的使用环境。
一种抬高电压使用高压 ldmos 及其制造方法

[发明专利]具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法-CN201410409266.1有效
发明人：杨文清;乐薇 -专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
申请日： 2014-08-19 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L21/266 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有不同BVCBO的NPN器件的集成制造方法，包括步骤定义出各NPN器件的N型埋层的离子注入光刻胶图形，包括全部打开结构、栅型结构或者网格结构；采用同一次N型离子注入形成各NPN器件的N型埋层；对各NPN器件的N型埋层进行退火推进，形成具有不同掺杂浓度的N型埋层。本发明采用一次光刻和一次离子注入就能同时制造具有不同掺杂浓度的埋层从而能集成具有不同BVCBO的NPN器件，能大大降低工艺成本。
具有不同 bvcbo npn 器件集成制造方法

[实用新型]一种定位调温艾灸盒-CN201520281884.2有效
发明人：陈可;黄国付;杨敏;罗飞;王凌云;张艺;吴洪阳;王飞;乐薇;邹璟 -专利权人：陈可
申请日： 2015-05-05 - 公布日： 2015-10-21 - 主分类号： A61H39/06 文献下载
摘要：一种定位调温艾灸盒，在定位调温艾灸盒的盒体前端设有灸口，在盒体内设有前端对准灸口的调节杆，调节杆的前端设有用于固定灸条的夹具，调节杆的后端从盒体后部所设的限位孔穿出，在限位孔的内侧壁设有定位弹珠，在调节杆的侧壁轴向设置有与定位弹珠相应的定位槽，在盒体内设有用于支撑夹具的支撑板。本实用新型在盒体的顶部设有透气窗口，可以观察艾条燃烧状态和增强空气的流动；调节杆可以手动调节调节杆的前后位置，控制艾条燃烧头相对灸口的距离，从而控制灸口处的温度，使用定位弹珠和调节杆的定位槽的配合，将调节杆相对固定；为防止艾条的燃烧头伸出伤人，在灸口设有防护罩，防护罩可以拆下，便于更换艾条。
一种定位调温艾灸

[发明专利]一种苯甲醛蒸馏防结焦剂-CN201410208937.8有效
发明人：柯斌清;吴士筠;乐薇;杨立;孙育平;廖庆玲;龚乃超;徐承睿;尹盛玉;杨文婷 -专利权人：武汉长江工商学院
申请日： 2014-05-16 - 公布日： 2015-08-12 - 主分类号： C07C47/54 文献下载
摘要：本发明提供了一种苯甲醛蒸馏防结焦剂，由以下重量比的原料组成：吡啶3—5％，咪唑15—20％，噻唑5—10％，喹啉15—30％，呋喃10—20％，余量为嘧啶，本发明在苯甲醛提纯精馏过程中加入到苯甲醛蒸馏釜中，添加浓度小于100PPM，可以有效阻止苯甲醛蒸馏过程产生结焦现象，在苯甲醛提纯精馏过程中，能够减少蒸馏产生的副产物，阻止苯甲醛的蒸馏釜底聚合，改善蒸馏釜的结垢状况，防止焦化产物的生成，提高苯甲醛的产出率20％左右。
一种甲醛蒸馏结焦

[发明专利]一种共格/半共格结构的Al/W 多层膜制备方法-CN201110340169.8无效
发明人：黄平;谢继阳;王飞;乐薇;徐可为 -专利权人：西安交通大学
申请日： 2011-11-01 - 公布日： 2012-04-11 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明公开了一种共格/半共格结构的Al/W多层膜制备方法。在磁控溅射镀膜过程中，如果采用慢速率沉积工艺，通过控制铝层和钨层的单层厚度，并通过溅射过程转速、偏压等实验参数的调整，则可以实现多层界面由共格界面像非共格界面逐步演化的过程结构特征。本发明多层膜的界面随着铝层和钨层厚度的变化逐渐从共格界面向非共格界面过渡。并且在该工艺制备的薄膜结构致密，多层膜界面明晰，可以很容易通过控制不同层薄膜厚度控制多层膜的界面结构，从而为制备力学性能可控的纳米多层膜材料提供可能。同时，该方法操作简单，成本较低，易于在工业上实现和推广。
一种半共格结构 al 多层制备方法

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