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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]一种用于制备半导体功率器件的方法-CN201510570811.X在审
发明人：哈姆扎·耶尔马兹;伍时谦;丹尼尔·卡拉夫特;马督儿·博德;安荷·叭剌;潘继;李亦衡;金钟五 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2015-12-30 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种半导体功率器件包括一个形成在重掺杂层上的轻掺杂层。一个或多个器件形成在轻掺杂层中。每个器件都包括一个本体区、一个源极区、以及一个形成在轻掺杂区中相应的沟槽中的一个或多个栅极电极。每个沟槽的深度都在第一维度上，宽度在第二维度上，长度在第三维度上。本体区的导电类型与轻掺杂层和重掺杂层相反。源极区形成在上表面附近。一个或多个深接触区形成在沿一个或多个沟槽附近的第三维度的一个或多个位置处。接触区在第一方向上从上表面开始，延伸到轻掺杂层中，并与源极区电接触。
一种用于制备半导体功率器件方法

[发明专利]用于负载开关和直流-直流器件的高密度MOSFET的器件结构及其制备方法-CN201310675735.X有效
发明人：哈姆扎·耶尔马兹;马督儿·博德;常虹;李亦衡;丹尼尔·卡拉夫特;金钟五;雷燮光;陈军 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明的各个方面提出了一种带有自对准源极接触的基于高密度沟槽的功率MOSFET，以及这类器件的制备方法。源极接触与垫片自对准，垫片沿栅极盖的侧壁形成。另外，有源器件具有二阶栅极氧化物。其中栅极氧化物底部的厚度大于顶部的厚度。二阶栅极氧化物与自对准的源极接触相结合，从而制备的器件间距可以在深亚微米级别。
用于负载开关直流器件高密度 mosfet 结构及其制备方法

[发明专利]带有自对准有源接触的基于高密度沟槽的功率MOSFET及其制备方法-CN201310675752.3有效
发明人：李亦衡;常虹;金钟五;雷燮光;哈姆扎·耶尔马兹;马督儿·博德;丹尼尔·卡拉夫特;陈军 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2013-12-11 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：本发明提出了一种带有自对准源极接触的高密度沟槽功率MOSFET。源极接触与第一绝缘垫片和第二绝缘垫片自对准，其中第一垫片可以抵抗选择性除去第二垫片制备材料的刻蚀工艺。另外，有源器件具有二阶栅极氧化物，其中栅极氧化物的底部厚度T₂大于栅极氧化物顶部的厚度T₁。
带有对准有源接触基于高密度沟槽功率 mosfet 及其制备方法

[发明专利]沟槽底部氧化物屏蔽以及三维P-本体接触区的纳米MOSFET-CN201310034093.5有效
发明人：哈姆扎·耶尔马兹;伍时谦;丹尼尔·卡拉夫特;马督儿·博德;安荷·叭剌;潘继;李亦衡;金钟五 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2013-01-29 - 公布日： 2013-08-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体功率器件包括一个形成在重掺杂层上的轻掺杂层。一个或多个器件形成在轻掺杂层中。每个器件都包括一个本体区、一个源极区、以及一个形成在轻掺杂区中相应的沟槽中的一个或多个栅极电极。每个沟槽的深度都在第一维度上，宽度在第二维度上，长度在第三维度上。本体区的导电类型与轻掺杂层和重掺杂层相反。源极区形成在上表面附近。一个或多个深接触区形成在沿一个或多个沟槽附近的第三维度的一个或多个位置处。接触区在第一方向上从上表面开始，延伸到轻掺杂层中，并与源极区电接触。
沟槽底部氧化物屏蔽以及三维本体接触纳米 mosfet

[发明专利]屏蔽栅极沟槽MOSFET封装-CN201210286947.4无效
发明人：雷燮光;苏毅;伍时谦;丹尼尔·卡拉夫特;安荷·叭剌 -专利权人：万国半导体股份有限公司
申请日： 2012-08-13 - 公布日： 2013-03-06 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种屏蔽栅沟槽场效应晶体管可以形成在衬底上，具有一个外延层在衬底上，以及一个本体层在外延层上。形成在本体层和外延层中的沟槽，内衬电介质层。屏蔽电极形成在沟槽下部。通过电介质层使屏蔽电极绝缘。栅极电极形成在屏蔽电极上方的沟槽中，并通过额外的电介质层，与屏蔽电极绝缘。一个或多个源极区形成在本体层中，位于沟槽的侧壁附近。源极垫形成在本体层上方，电连接到一个或多个源极区，并与栅极电极和屏蔽电极绝缘。源极垫提供到源极区的外部接头。栅极垫提供到栅极电极的外部接头。屏蔽电极垫提供到屏蔽电极的外部接头。电阻元件可以电连接在封装中的屏蔽电极垫和源极引线之间。
屏蔽栅极沟槽 mosfet 封装

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