专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]泵浦装置及具有其的激光发射器-CN202210356605.9在审
  • 冯江;于志伟;解朝晗;张海东;韩忠峰;刘铁军 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
  • 2022-04-06 - 2022-08-09 - H01S3/04
  • 本发明提出了一种泵浦装置及具有其的激光发射器,泵浦装置包括:增益介质、LD模块及散热模块。LD模块设于增益介质的径向外侧,LD模块采用多维环形均匀泵浦方式激励增益介质;散热模块靠近LD模块设置,散热模块采用风冷散热方式对增益介质和LD模块进行冷却散热。根据本发明的泵浦装置,LD模块采用环形多维均匀泵浦方式,提高了泵浦荧光分布的均匀性,进而提高了输出激光的光束质量。而且,本发明在LD模块采用环形多维均匀泵浦方式的基础上,散热模块采用了冷热散热方式,从而有效降低了泵浦装置的体积和功耗,且可以使泵浦装置应用在无法使用液冷散热的机载平台等特殊平台。
  • 装置具有激光发射器
  • [发明专利]激光发射器调轴机构-CN202210380417.X在审
  • 赵长松;李长桢;郑毅 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
  • 2022-04-12 - 2022-07-29 - F41A33/02
  • 本申请涉及一种激光发射器调轴机构,包括激光模组、壳体以及调节组件,激光模组沿自身长度方向设置有两端,一端为激光发射端,激光模组远离发射端设置有调节环,调节环远离激光模组的一面呈弧形设置调节环开设有多个球槽,多个球槽绕调节环周向排布;壳体开设有放置腔,壳体通过放置腔套设于激光模组;调节组件包括多个调节球,多个调节球沿调节环周向排布,调节球的部分伸入球槽中,调节球远离球槽的部分位于壳体的内腔壁中。该激光发射器调轴机构提高了激光发射器光轴精度以及稳定性。
  • 激光发射器机构
  • [发明专利]基于红外镜面反射的石油泄漏监测装置及监测方法-CN202210240449.X在审
  • 张朋 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
  • 2022-03-10 - 2022-07-22 - G01M3/38
  • 本发明提出了一种基于红外镜面反射的石油泄漏监测装置及监测方法,监测装置包括:热激励源及红外热像仪,热激励源设于第一位置,用于增强目标发射的红外辐射;红外热像仪设于第二位置,用于采集经目标反射的红外辐射形成的红外图像,并对红外图像进行处理得到处理图像,以基于处理图像监测判断是否发生石油泄漏事件。根据本发明的基于红外镜面反射的石油泄漏监测装置及监测方法,利用红外热像仪对泄漏到火车或汽车轮毂上石油反射热激励源入射的红外辐射进行聚焦成像,并完成红外图像实时处理得到处理图像,进而实现石油运输过程泄漏的有效监测,具有结构简单、非接触、实时性、快速定位的优点。
  • 基于红外反射石油泄漏监测装置方法
  • [发明专利]红外探测器拼接基板制备方法-CN202210203924.6在审
  • 张智超;张磊;王成刚;杨刚;许家昌 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
  • 2022-03-02 - 2022-07-22 - G03F9/00
  • 本发明公开了一种红外探测器拼接基板制备方法,红外探测器拼接基板制备方法包括:清洗基板;在清洗后的基板的第一表面制备至少一个定位标记,定位标记为厚度为h的金属图案;在制备完定位标记的第一表面制备至少一个金属引线,金属引线的厚度为H,且满足:H>h。采用本发明,通过对拼接基板上的定位标记图形和金属引线图形分别制备,并设计不同的膜层厚度,在满足电学引线结构的电流承载能力的同时,提高了拼接对准标记的图形加工精度,降低了拼接基板的加工难度,有利于提升探测器子模块的拼接精度。
  • 红外探测器拼接制备方法
  • [发明专利]台面结构芯片的非接触式光刻方法-CN202210289083.5在审
  • 张轶;刘世光 - 中国电子科技集团公司第十一研究所
  • 2022-03-23 - 2022-07-12 - H01L31/0352
  • 本发明公开了一种台面结构芯片的非接触式光刻方法。台面结构芯片的非接触式光刻方法,包括:在芯片的任意两个台面结构之间形成的凹槽处设置遮挡结构。遮挡结构的上表面与台面结构的上表面平齐。对设置有遮挡结构的芯片进行非接触式光刻工艺。采用本发明,通过将台面结构之间形成的凹槽处设置遮挡结构,可以使得光刻机自动对焦时能够将曝光焦面固定的定位于台面结构的上表面,解决非接触式光刻过程中曝光焦面定位不准确所造成的曝光质量差的问题,实现台面结构芯片的高质量非接触光刻。
  • 台面结构芯片接触光刻方法

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